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公开(公告)号：CN103668453A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210353611.5
申请日：2012-09-21
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开一种气态硅源生长二维硅烯薄膜的方法，采用化学气相沉积或物理气相沉积技术将硅原子基团从气态硅源中释放在催化层上而形成硅烯薄膜；所述催化层的厚度为25nm～25mm，催化层温度控制在20℃～1600℃之间。本发明方法简单、易于实现。制备得到的硅烯薄膜是由三个、四个、五个或七个硅原子为其重复单元并由共价键相连而成的二维层状薄膜，所包含的硅烯的层数为1～200层。
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公开(公告)号：CN102653396B
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201110049804.7
申请日：2011-03-02
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种具有高分散性的金属纳米点规则修饰的石墨烯片复合材料及原位制备方法。金属纳米点修饰的石墨烯片纳米复合材料由石墨烯片和修饰在石墨烯片表面的金属纳米点组成。其制备方法包括：含有巯基的苝酰亚胺衍生物分子自组装到氧化石墨烯片表面引入巯基；被巯基修饰的氧化石墨烯片还原得到巯基修饰的石墨烯片；加入正价金属盐在石墨烯片表面的巯基位点还原生成金属纳米点，得到由金属纳米点修饰的石墨烯片纳米复合材料。本发明得到的金属纳米点修饰的石墨烯片复合材料具有规则、稳定的结构，金属纳米点在石墨烯片表面规则分布且密度可控，具有良好的水溶液分散性，优异的电化学活性，在纳米催化、电化学传感等领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN102242062A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN201110097791.0
申请日：2011-04-19
Applicant: 浙江大学
IPC: C12M1/34 , G01N27/447
CPC classification number: G01N33/48721 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种高分辨率的生物传感器。第一绝缘层、纳米功能层和第二绝缘层构成的基本单元的中心设有纳米孔从而组成纳米功能层单元，第一电泳电极或微泵、第一储藏室、第二储藏室、第二电泳电极或微泵和微纳米分离通道构成微纳米流体器件单元，纳米功能层单元、源电极、漏电极、介电层、栅电极构成场效应晶体管单元。当生物分子在微纳米流体器件中经过纳米孔，并与纳米功能层发生相互作用时，由场效应晶体管单元测量该相互作用导致的场效应特征的变化，达到检测生物分子的目的。本发明解决了将纳米孔集成于纳米功能层的技术难点，可以控制生物分子穿越纳米孔时形态的变化，解决了达到检测生物分子的特征结构的分辨率，传感器的制备方法简单。
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公开(公告)号：CN118738147A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310317678.1
申请日：2023-03-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/101
Abstract: 本发明公开了一种电偶极驱动光电晶体管，其器件结构包括半导体层、电荷极化绝缘层、二维层状材料沟道层以及与沟道接触的源电极和漏电极；耗尽区形成于半导体层中，在电荷极化绝缘层/半导体层界面形成电偶极子；本发明的晶体管不设有栅极。晶体管的场效应由光照下光伏效应、偶极子效应、耗尽区及绝缘层的电容效应综合产生。电荷极化绝缘层选自高介电常数的具有极化效应的介电材料。本发明的电偶极驱动光电晶体管制备工艺简单，与CMOS工艺兼容；能够在很低的电压下工作，具有宽光谱响应，作为CCD应用具有高探测灵敏度和低探测极限。
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公开(公告)号：CN109868454B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201711268412.3
申请日：2017-12-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种二维硫化铬材料的制备方法，包括：1)在催化层衬底上沉积厚度为1‑50nm的铬源薄膜；2)对沉积在催化层衬底上的铬源薄膜使用硫源进行催化硫化，形成二维硫化铬材料；硫化时催化层衬底采用分段升温及分段恒温，最后一段恒温的温度控制在400‑1100℃。本发明还涉及一种二维硫化铬材料的制备方法，包括：1)分别处理铬源和硫源，使它们形成气态的前驱体；2)气态的前驱体沉积在催化层衬底上进行催化硫化，形成二维硫化铬材料；硫化时催化层衬底的温度控制在400‑1100℃。本发明所提供的二维硫化铬材料的制备方法简单，原材料资源丰富、无毒、无害，制备过程对环境不存在不良影响，且制备的二维硫化铬材料具有优异的光、电、磁性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111362258A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010088334.4
申请日：2020-02-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B32/194
Abstract: 本发明公开了一种金属基底石墨烯薄膜的转移方法，包括如下步骤：(1)将蜂蜡溶液旋涂至金属基底的石墨烯薄膜表面上，形成作为支撑层的蜂蜡层，得到蜂蜡层/石墨烯薄膜/金属基底；(2)用腐蚀液去除金属基底得到蜂蜡层/石墨烯薄膜，再将蜂蜡层/石墨烯薄膜转移至目标基底并干燥；(3)采用有机溶剂除去蜂蜡层，实现石墨烯薄膜的转移。该采用自然无毒无害的蜂蜡作为支撑层材料，可获得表面干净完整且面电阻低的单层石墨烯薄膜。
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公开(公告)号：CN110828652A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910995467.7
申请日：2019-10-18
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种二硫化钼/石墨烯异质结器件，所述二硫化钼/石墨烯异质结器件包括二硫化钼材料层和石墨烯材料层，所述二硫化钼和石墨烯层间的旋转角度在7°-15°之间。本发明提供的二硫化钼/石墨烯异质结器件通过控制MoS2材料层与石墨烯材料层间的旋转角能够调控异质结体系的能带结构而可以诱导出超导特性。
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公开(公告)号：CN110828550A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911000926.X
申请日：2019-10-21
Applicant: 浙江大学 , 中国电子科技集团公司第十三研究所
IPC: H01L29/165 , H01L29/205
Abstract: 本发明公开了一种氮化硼/石墨烯异质结器件，其特征在于，所述氮化硼/石墨烯异质结器件包括六方氮化硼材料层和石墨烯材料层，所述氮化硼和石墨烯层间的旋转角度在5°-15°之间。本发明提供的氮化硼/石墨烯异质结器件在特定的层与层堆砌(旋转)结构，可以使异质结体系出现平带结构而导致超导现象。
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公开(公告)号：CN109868454A
公开(公告)日：2019-06-11
申请号：CN201711268412.3
申请日：2017-12-05
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明涉及一种二维硫化铬材料的制备方法，包括：1)在催化层衬底上沉积厚度为1-50nm的铬源薄膜；2)对沉积在催化层衬底上的铬源薄膜使用硫源进行催化硫化，形成二维硫化铬材料；硫化时催化层衬底采用分段升温及分段恒温，最后一段恒温的温度控制在400-1100℃。本发明还涉及一种二维硫化铬材料的制备方法，包括：1)分别处理铬源和硫源，使它们形成气态的前驱体；2)气态的前驱体沉积在催化层衬底上进行催化硫化，形成二维硫化铬材料；硫化时催化层衬底的温度控制在400-1100℃。本发明所提供的二维硫化铬材料的制备方法简单，原材料资源丰富、无毒、无害，制备过程对环境不存在不良影响，且制备的二维硫化铬材料具有优异的光、电、磁性能。
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公开(公告)号：CN105778907B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201610213877.8
申请日：2016-04-07
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种发蓝光的氧化硅纳米材料的制备方法、其制备步骤包括首先在作为原材料的氧化硅的表面制备厚度为0.5nm～50nm的金属薄层、然后对沉积有金属薄层的氧化硅在硫气氛下进行热处理、热处理的温度为450℃～1030℃、最后降温得到氧化硅纳米材料。本发明制备氧化硅纳米材料的方法简单、原材料前驱体资源丰富、无毒、无害、制备过程对环境不存在不良影响。
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