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公开(公告)号：CN104270580A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410510664.2
申请日：2014-09-28
Applicant: 济南大学
IPC: H04N5/262
Abstract: 本发明公开了一种视频特效快速实现方法，首先对当前帧进行高斯滤波，并利用当前帧之前的n帧图像建立背景的高斯混合模型，然后利用该模型获得运动目标区域，之后利用数学形态学方法消除杂散的噪声干扰；接着利用逐行扫描的办法计算出所获得的运动目标区域的最小外接矩形，并对该最小外接矩形内的图像进行特效处理；最后利用目标区域内外像素灰度值的区别来实现，从而快速实现目标区域的特效处理。本发明的有益效果是：在极大提高视频中隐私信息的保护速度的同时又避免造成处理过度，对于复杂的目标区域可以实现快速的特效以达到较好信息保护；同时避免了复杂区域内的计算比较，因而获得了较快的速度。该方案速度快，效果好，且易于实现。
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公开(公告)号：CN104167025A
公开(公告)日：2014-11-26
申请号：CN201410389867.0
申请日：2014-08-08
Applicant: 济南大学
IPC: G07C1/10
Abstract: 本发明的一种基于动态人脸识别与WIFI定位的移动考勤系统及其方法，首先需要开发一个包含考勤系统服务器端和考勤系统客户端的考勤系统；然后用户利用智能手机通过用户名和密码验证后登录到服务器端；其次考勤系统利用用户的便携设备自带的WIFI模块对用户进行定位，获取用户的当前位置并传给服务器，而服务器对客户端提交的位置信息进行核对；最后校验完位置信息后，利用动态人脸识别技术完成用户身份的确认，用户考勤成功，并生成该用户的考勤记录。本发明的有益效果是：实现了企业对员工进行方便、高效、准确的室内外考勤，完全避免了冒名顶替现象的发生，而且能够以低成本快速实现对较大规模人群的异时同地的考勤。
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公开(公告)号：CN103942994A
公开(公告)日：2014-07-23
申请号：CN201410160620.1
申请日：2014-04-22
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明的主观性试题的计算机考核方法是利用计算机系统对主观性试题，通过判定考生对于定义等相关知识点的应用次序与相应主观性试题的知识点多种正确应用次序之间的关系，进而判定考生的解题思路并最终实现主观性试题的自动阅卷。本发明的有益效果是：可以在一定程度上实现按照步骤给分的传统主观题阅卷模式，改变或者至少部分改变目前只能由人工批阅主观性试题的现状，有望大幅度减轻人工阅卷的劳动强度，甚至有可能实现即考即阅，从而极大提高阅卷的效率，同时也使得主观性试题的阅卷更加公正和透明，避免主观性试题阅卷过程中的因人而异；同时，该方案成本较低，易于实现。
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公开(公告)号：CN103614709A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201310672355.0
申请日：2013-12-12
Applicant: 济南大学
IPC: C23C16/46
Abstract: 本发明的一种用于MOCVD反应室的组合基座式电磁加热装置，包括圆柱形基座和设置在基座底部下方的电磁线圈，基座包括上下相扣合的感应产热传热基座和传热基座，感应产热传热基座位于传热基座下方，感应产热传热基座上表面中心和边缘之间设置有向下的圆环形凹槽，传热基座的下表面与感应产热传热基座的上表面相配合并贴合在一起，传热基座的上表面和感应产热传热基座下表面为相平行的平面，感应产热传热基座的热导率高于传热基座的热导率。本发明的有益效果是：本发明采用组合式基座，从而调节由基座产生的热量在基座各方向上的热传导速率，并调节衬底边缘的温度，使衬底的温度分布均匀性提高。
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公开(公告)号：CN107887426B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201711034819.X
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108847421A
公开(公告)日：2018-11-20
申请号：CN201810688108.2
申请日：2018-06-28
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/417 , H01L29/78
Abstract: 本发明提出了一种横向可集成的肖特基结势垒场效应管，包括：N型衬底，所述N型衬底表面设有源极金属、栅介质层和漏极金属，所述栅介质层上方设有栅电极，所述源极金属和N型衬底之间以及漏极金属和N型衬底之间的接触为肖特基接触。由于本发明器件不需要高掺杂浓度的P型源极接触区和P型漏极接触区，器件具有更小的横向尺寸，同时，器件的栅电极不需要覆盖P型源极接触区和P型漏极接触区，因此栅电极的长度更小，所以器件的栅电极寄生电容更小，器件具有更快的开关速度。
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公开(公告)号：CN108642477A
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201810533289.1
申请日：2018-05-24
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明的一种用于电磁加热MOCVD反应室的加热装置，包括基座和设置在基座底部下方的电磁线圈，基座包括圆柱形的导热体，导热体内底部嵌入有若干可与电磁线圈相配合产生热量的圆环形的感应产热传热体，若干感应产热传热体直径不同且感应产热传热体横截面所在的圆与导热体的横截面所在的圆同心。本发明的有益效果是：本发明调节了由基座产生的热量在基座各方向上的热传导速率，并调节衬底边缘的温度，使衬底的温度分布均匀性提高。
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公开(公告)号：CN107871778A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201711032799.2
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。
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公开(公告)号：CN108847422B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN201810620591.0
申请日：2018-06-15
Applicant: 济南大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/40
Abstract: 本发明提出了一种带有耦合场板的高电子迁移率晶体管，包括：衬底；衬底上方设有缓冲层；缓冲层上方设有沟道层；沟道层上方设有源电极、漏电极和势垒层，且源电极和漏电极位于势垒层的两端，势垒层位于源电极和漏电极的中间；势垒层上方设有介质层和栅电极；其特征在于，在所述栅电极与漏电极之间的介质层表面设置有若干耦合场板，每一个耦合场板上方设有一个耦合电极，所有耦合电极通过金属互连线与源电极相互连接。该结构可以通过耦合电极以及耦合场板的尺寸设计改变耦合场板的耦合电位，进而改变耦合场板对横向电场的调节作用，优化器件的横向电场分布，提高器件的横向耐压能力。
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公开(公告)号：CN107845675B
公开(公告)日：2020-02-18
申请号：CN201711052150.7
申请日：2017-10-30
Applicant: 济南大学
Abstract: 本发明公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：源极金属以及与源极金属相对的漏极金属，所述源极金属上连接宽度渐变型金属场板，所述宽度渐变型金属场板包括沿宽度方向排布的若干宽度渐变型金属层，每一个所述宽度渐变型金属层的宽度沿着源极到漏极的方向逐渐减小。该结构可以使场板上所感应的电荷在器件长度方向上分布更加均匀，从而使器件表面电场分布更加均匀，因此可以在保证器件导通电阻的条件下提高器件的横向耐压能力。
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