公开(公告)号：CN107887427A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711036397.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  李阳 ,  付小倩 ,  李志明 ,  岳文静 ,  李威 ,  王靖博

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提出了一种带有可调型场板的高压二极管，包括阴极金属，阳极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电位和感应电荷量，使得漂移区内获得均匀的表面电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面电场分布，具有很高的耐压能力、很小的正向压降和很小的反向恢复时间。

公开(公告)号：CN107863379A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711051971.9

申请日：2017-10-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  李阳 ,  李威 ,  岳文静 ,  付小倩 ,  李志明 ,  王靖博

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种带有场板辅助掺杂区的N型LDMOS结构，包括P型半导体衬底；P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱；P型阱上设有N型源区和P型接触区；N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层；在部分N型漂移区和部分P型阱上方设有栅氧化层；栅氧化层表面设有多晶硅栅；P型接触区和N型源区上连接有源极金属，且源极金属延伸至场氧化层的上方；N型漏区上连接有漏极金属；其特征在于，N型漂移区的内部设有场板辅助掺杂区，场板辅助掺杂区的掺杂类型为N型，且掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度。该结构可以改善场板覆盖范围内表面电场的均匀性，提高器件横向击穿电压，同时减小器件的导通电阻。

公开(公告)号：CN108878517A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810688107.8

申请日：2018-06-28

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  李威 ,  李阳 ,  李志明 ,  岳文静 ,  付小倩

IPC: H01L29/417 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明提出了一种肖特基结导通型金属氧化物半导体场效应管，包括：漏极金属，漏极金属上方连接有高掺杂浓度的半导体衬底，高掺杂浓度的半导体衬底上方设有漂移区，漂移区表面设有栅氧化层、源极金属和源极延伸金属，栅氧化层上方设有栅电极，所述漂移区和源极金属之间，以及漂移区和源极延伸金属之间的接触为肖特基接触。该器件制备简单，具有很小的特征导通电阻和很小的体二极管反向恢复时间。

公开(公告)号：CN107871778B

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN201711032799.2

申请日：2017-10-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  李志明 ,  李阳 ,  李威 ,  岳文静 ,  付小倩 ,  王靖博

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。

公开(公告)号：CN107887426B

公开(公告)日：2020-11-10

申请号：CN201711034819.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  付小倩 ,  李阳 ,  王靖博 ,  岳文静 ,  李志明 ,  李威

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。

公开(公告)号：CN107871778A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201711032799.2

申请日：2017-10-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  李志明 ,  李阳 ,  李威 ,  岳文静 ,  付小倩 ,  王靖博

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括：P型半导体衬底，P型半导体衬底上设有N型漂移区和P型阱，在P型阱上设有N型源区、P型接触区和栅氧化层，在N型漂移区上设有N型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在P型接触区和N型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。

公开(公告)号：CN107887427B

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201711036397.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  李阳 ,  付小倩 ,  李志明 ,  岳文静 ,  李威 ,  王靖博

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/861

Abstract: 本发明提出了一种带有可调型场板的高压二极管，包括阴极金属，阳极金属，场氧化层和位于场氧化层下方的漂移区，在所述场氧化层的表面设置若干可调型场板，相邻两个可调型场板之间间隔设定距离；每一个可调型场板均连接调节电容；通过调节可调型场板和调节电容的正负电极的尺寸，能够调节可调型场板上的感应电位和感应电荷量，使得漂移区内获得均匀的表面电场分布。该结构器件可以改善器件漂移区表面电场分布，具有很高的耐压能力、很小的正向压降和很小的反向恢复时间。

公开(公告)号：CN107887426A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201711034819.X

申请日：2017-10-30

Applicant: 济南大学

Inventor： 张春伟 ,  付小倩 ,  李阳 ,  王靖博 ,  岳文静 ,  李志明 ,  李威

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了一种带有电荷可调型场板的P型LDMOS结构，包括：N型半导体衬底，N型半导体衬底上设有P型漂移区和N型阱，在N型阱上设有P型源区、N型接触区和栅氧化层，在P型漂移区上设有P型漏区和场氧化层，其特征在于，所述场氧化层表面设有多个电荷可调型场板，每个电荷可调型场板上均连接有金属感应层，在N型接触区和P型源区上连接有源极金属，所述源极金属完全覆盖所有的金属感应层。该结构可以使器件整个漂移区获得均匀的表面横向电场分布，具有很高的横向耐压能力，可以在保持高击穿电压的条件下提高器件的漂移区掺杂浓度，从而获得低的导通电阻。