公开(公告)号：CN110311058A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910486479.7

申请日：2019-06-05

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  刘果 ,  蒋晓红 ,  王啊强

IPC: H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L51/50

Abstract: 本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种基于AZO电极的正型QLED器件及其制备方法。本发明通过将AZO替代ITO作为正型QLED器件的阳极材料，通过射频磁控溅射法制备铝掺杂氧化锌AZO透明电极，并对溅射功率和溅射压强进行优化，最终制备得到基于AZO电极的QLED器件，本发明中AZO透明导电薄膜材料来源丰富、廉价且无毒，AZO电极的功函数高达5.0 eV左右，有利于降低空穴注入势垒，提高空穴注入效率。本发明中最终制备得到的基于AZO电极的QLED器件的参数中，最大亮度为102500 cd/m2，最大电流效率为51.75 cd/A，最大外量子率（EQE）为12.94%。

公开(公告)号：CN105885419B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201610275529.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  李留帮 ,  蒋晓红 ,  李林松

IPC: C08L83/04 ,  C08L63/00 ,  C08L33/00 ,  C08K9/10 ,  C08K9/02 ,  C08K3/30 ,  C09K11/02 ,  C09K11/54 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于一种镉化合物量子点荧光薄膜的制备方法，首先用制备的双亲树脂对油溶性镉化合物量子点进行包覆相转移处理，获得水溶性量子点；然后再用硅酸四乙酯和硅烷偶联剂对水溶性量子点进一步包覆处理，获取SiO2包覆的镉化合物量子点，将其与树脂溶液混合制备荧光薄膜。本发明制得的镉化合物量子点荧光薄膜不但保存了油溶性量子点的高荧光量子产率的优势，同时也明显提高了量子点的稳定性和在树脂中的分散性。得到的荧光薄膜透光率高，该性质不仅可以应用在背光显示技术中，在照明领域也可以广泛应用。

公开(公告)号：CN101587938A

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200910065098.8

申请日：2009-06-02

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  王德坤 ,  蒋晓红 ,  王华

IPC: H01L51/00 ,  H01L51/56 ,  H01L51/54 ,  H01L51/40 ,  H01L51/30 ,  H01L51/48 ,  H01L51/46 ,  C07D495/14 ,  C09K11/06

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明属于有机光电子器件领域，特别涉及并三噻吩二羧酸单分子层及其制备方法。配制并三噻吩二羧酸溶于二甲基亚砜的浓度为10 -6 mol·L -1 的溶液，然后滴于新解理的云母基片上；于密闭环境中干燥后即得所述并三噻吩二羧酸单分子层。本发明是首次制备并三噻吩二羧酸单分子层；且该单分子层的制备方法操作简单、方便，利于该两种化合物在有机光电子器件中的器件化。

公开(公告)号：CN105885419A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610275529.3

申请日：2016-04-29

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  李留帮 ,  蒋晓红 ,  李林松

IPC: C08L83/04 ,  C08L63/00 ,  C08L33/00 ,  C08K9/10 ,  C08K9/02 ,  C08K3/30 ,  C09K11/02 ,  C09K11/54 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C08K9/10 ,  B82Y40/00 ,  C08J5/18 ,  C08J2333/00 ,  C08J2363/00 ,  C08J2383/04 ,  C08K3/30 ,  C08K9/02 ,  C08K2003/3027 ,  C08K2003/3036 ,  C08K2201/011 ,  C08L2203/16 ,  C09K11/02 ,  C09K11/54 ,  C08L83/04 ,  C08L63/00 ,  C08L33/00

Abstract: 本发明属于一种镉化合物量子点荧光薄膜的制备方法，首先用制备的双亲树脂对油溶性镉化合物量子点进行包覆相转移处理，获得水溶性量子点；然后再用硅酸四乙酯和硅烷偶联剂对水溶性量子点进一步包覆处理，获取SiO2包覆的镉化合物量子点，将其与树脂溶液混合制备荧光薄膜。本发明制得的镉化合物量子点荧光薄膜不但保存了油溶性量子点的高荧光量子产率的优势，同时也明显提高了量子点的稳定性和在树脂中的分散性。得到的荧光薄膜透光率高，该性质不仅可以应用在背光显示技术中，在照明领域也可以广泛应用。

公开(公告)号：CN102198927A

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN201110100954.6

申请日：2011-04-22

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  吴国运 ,  蒋晓红 ,  王书杰

IPC: B81C1/00

Abstract: 本发明属于纳米图案加工技术领域，具体涉及一种在晶体硅表面刻蚀加工纳米图案的方法，该方法利用原子力显微镜直接刻蚀加工晶体硅表面。本发明采用原子力显微镜直接刻蚀加工晶体硅表面，其加工过程不受环境的影响，比传统的光刻、电子束刻蚀等方法刻蚀精度要高，操作方便，无须后续处理，能直接在位观测加工结果，本发明方法条件要求低，操作步骤简单，可操作性强，重复性好，加工精度高，成本低。

公开(公告)号：CN113809256A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202111185304.6

申请日：2021-10-12

Applicant: 河南大学

Inventor： 杜祖亮 ,  褚晓甜 ,  蒋晓红 ,  刘源义

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了一种正型QLED器件，包括自下而上依次设置的透明电极、第一空穴注入层、第二空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极和封装层；所述第一空穴注入层的材质为碱金属离子掺杂MoOx；所述碱金属离子包括Li+、Na+和K+中的一种；所述第二空穴注入层的材质为PEDOT：PSS。本发明将空穴注入层设置为两层，通过采用碱金属离子掺杂MoOx与PEDOT：PSS作为空穴注入材料，利用Li+、Na+和K+中的一种掺杂MoOx，调节了MoOx的导带位置，增加了导电性，降低了空穴注入势垒，有利于空穴的注入，从而提高了空穴迁移率，促进电子‑空穴注入平衡，进而提高了器件性能和使用寿命。