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公开(公告)号：CN111863958B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010518625.2
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种常开型垂直结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管结构及其制造方法。所述晶体管自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、钝化层、源极电极和栅极电极，特征是：在所述栅极电极正下方的高阻层内设有通孔，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，形成由漏极欧姆接触金属层导电的垂直导电通道，可以获得更低的导通电阻。还公开了所述高电子迁移率晶体管结构的制造方法，制造过程无需二次外延和离子注入，从根源上消除了传统制造方法中二次外延带来的界面污染以及离子注入所带来的晶格损伤、工艺复杂、成本较高等不利影响。
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公开(公告)号：CN111863957B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010518624.8
申请日：2020-06-09
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。所述晶体管自下而上依次包括：漏极电极、基板、键合金属层、漏极欧姆接触金属层、高阻层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、P型层、钝化层、源极电极和栅极电极，其特征是：在所述栅极电极正下方的高阻层内设有通孔，使漏极欧姆接触金属层与GaN沟道层联通，形成由漏极欧姆接触金属层导电的垂直导电通道,可以获得更低的导通电阻。本发明还公开了所述高电子迁移率晶体管结构的制造方法，制造过程无需二次外延和离子注入，从根源上消除了传统制造方法中二次外延带来的界面污染以及离子注入所带来的晶格损伤、工艺复杂、成本较高等不利影响。
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公开(公告)号：CN112786757A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110197610.5
申请日：2021-02-22
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L33/40
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件领域，尤其是涉及一种AlGaInP发光二极管结构。本发明采用N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6)代替N型GaAs欧姆接触层。GaxIn1‑xP(0.4≤x≤0.6)材料与GaAs衬底具有很好的晶格匹配性，禁带宽度较大，对红光有较好的透明性，并且与GaAs有很好的选择腐蚀性，在制造芯片过程中也可以看到P面的图形而无需开窗工艺。而且，通过合理的掺杂设计，可以很好的与N电极形成良好的欧姆接触，保证较低的工作电压。在外延生长过程中，可在缓冲层生长后直接生长N型GaxIn1‑xP欧姆接触层(0.4≤x≤0.6)，然后生长N型层，与现有工艺相比更加简单，成本更低。
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公开(公告)号：CN112786750A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN202110197020.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明涉及半导体发光器件领域，特指一种薄膜型AlGaInP发光二极管结构及其制备方法。所述二极管结构包括：P电极、基板、键合金属层、反射金属层、高阻半导体层、P面接触电极、P型层、发光层、N型层、N型欧姆接触层、N电极。在P型层与反射金属层之间设有高阻半导体层，在N电极正下方之外区域的高阻半导体层内留有空缺，并在空缺处设有P型接触电极与P型层相连。这种结构不仅能调控电流走向，同时高阻半导体层和P型层是一体的，且反射金属层与半导体高阻层的粘附力也远高于反射金属层与介质层的粘附力，从而解决了由于介质层带来的粘附力差的问题。
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公开(公告)号：CN112687740A
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN202011621672.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明在GaN基HEMT外延膜生长的过程中，通过图形化硅衬底生长技术将HEMT外延膜设计成以HEMT单元尺寸规则排列的分立外延层，大大降低了外延膜与硅衬底之间的应力累积，利用非常简单的缓冲层便可以解决龟裂问题，同时外延片在生长过程中翘曲程度大幅下降，温度均匀性和材料的均匀性显著改善。本发明解决了现有硅衬底GaN基HEMT外延生长过程中应力控制和HEMT外延膜中残余应力带来的不利影响，具有性能一致性好、制造良率高以及可靠性好等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112582470A
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN202011621679.8
申请日：2020-12-30
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常闭型高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明通过两次选区外延的方法，对栅极位置的栅极AlGaN层和P型层，以及栅极之外区域的AlGaN势垒层可以单独进行设计和生长，组分，厚度等可精确控制，从而实现阈值电压、导通时栅极下方的二维电子气浓度和导通时栅极之外导电沟道的二维电子气浓度的最优化设计，互不干扰，同时整个制造过程中没有涉及干法刻蚀，而是代之以湿法选择性腐蚀，最大程度的保护了晶体管表面质量，避免了干法刻蚀带来的不利后果。基于本发明制造方法获得的常闭型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管，其高阈值电压、阈值电压一致性、低导通电阻、高稳定性等性能可以兼得。
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公开(公告)号：CN119092585A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411239171.X
申请日：2024-09-05
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L31/109 , H01L31/0392 , H01L31/032 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及铅盐红外阵列传感器领域，尤其涉及一种铅盐红外传感阵列结构及其制备方法。结构包括：探测单元阵列、纵向电极M列、钝化绝缘层、横向电极N行。探测单元包括铅盐敏感元、连接电极、共用电极和异质PN结。探测单元电信号由某行横向电极输入，经异质PN结沿垂直方向正向传输，通过共用电极沿水平方向传输至铅盐敏感元，通过连接电极导入各列纵向电极，进行各探测单元的信号读取与处理。本发明采用多层薄膜制备工艺构造传感器结构，利用钝化绝缘层进行横向输入、纵向输出电极的电隔离，降低互通复杂性；集成铅盐探测器和异质PN结，利用PN结单向导电性解决行列扫描中耦合效应同时实现大规模集成。
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公开(公告)号：CN118561230A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410348533.2
申请日：2024-03-26
Applicant: 江苏大学
Abstract: 本发明属于光电技术领域，特指一种体结构MEMS红外光源及其制造方法。该光源从下至上依次为衬底和隔热层、介质层、发热电极层、红外发射层；以及与发热电极层电连接并位于红外发射层两侧的两条发热电极焊盘。隔热层从衬底的上表面向下镶嵌在衬底的中间区域，隔热层的上表面与衬底的上表面处于同一平面，红外发射层相对于隔热层两边各缩小一定的距离。本发明通过低热导率隔热层的引入，不仅能达到现有“悬膜”结构MEMS红外光源一样的热传导控制功能，同时使发热电极层、红外发射层等功能层和衬底融为一体，形成了体结构，大大提升了MEMS红外光源在制造和使用过程中的热稳定性和结构强度，从根源上避免了“悬膜”破裂的隐患。
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公开(公告)号：CN112687740B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011621672.6
申请日：2020-12-30
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特指一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及制造方法。本发明在GaN基HEMT外延膜生长的过程中，通过图形化硅衬底生长技术将HEMT外延膜设计成以HEMT单元尺寸规则排列的分立外延层，大大降低了外延膜与硅衬底之间的应力累积，利用非常简单的缓冲层便可以解决龟裂问题，同时外延片在生长过程中翘曲程度大幅下降，温度均匀性和材料的均匀性显著改善。本发明解决了现有硅衬底GaN基HEMT外延生长过程中应力控制和HEMT外延膜中残余应力带来的不利影响，具有性能一致性好、制造良率高以及可靠性好等优点。
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公开(公告)号：CN112397586B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011320469.5
申请日：2020-11-23
Applicant: 江苏大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，特别是涉及一种常开型硅衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制造方法。晶体管包括硅衬底、外延结构、漏极电极、漏极欧姆接触金属层、源极电极和栅极电极，其特征在于：源极电极和漏极电极分别位于器件的上下两侧，可改善平面结构AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管面临的问题，同时有利于与硅器件的集成，采用选区硅衬底外延生长，使硅衬底上的AlGaN/GaN外延层分隔成相互独立小图形，大大降低了硅衬底与AlGaN/GaN外延层之间的应力累积，解决了外延薄膜的开裂、弯曲等问题，同时可以提升器件的制造良率和可靠性。
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