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公开(公告)号：CN114631196A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202080076148.7
申请日：2020-11-03
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 迈克尔·宾德 , 安德烈亚斯·吕克尔 , 罗兰德·蔡塞尔 , 托比亚斯·迈耶 , 克斯廷·内韦林 , 克里斯蒂娜·拉斐尔 , 莫塞·黎克特 , 赖纳·哈特曼 , 克莱门斯·菲尔海利希
IPC: H01L33/14
Abstract: 在至少一个实施方式中，光电子半导体器件(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有掺杂的第一层(20)、掺杂的第二层(21)、在第一层和第二层之间的用于借助于电致发光产生辐射的有源区(22)和侧面(25)，所述侧面横向于有源区延伸并且对半导体层序列沿横向方向限界。此外，半导体器件包括：两个电极(30、31)，用于第一层和第二层的电接触；和在侧面处在第一层的区域中的覆盖层(4)。覆盖层与第一层直接接触。覆盖层在此由如下材料构成，即仅覆盖层在其与第一层直接接触时引起在第一层中构成耗尽区(24)，其中耗尽区具有与第一层的其余部分相比更小的多数载流子浓度。
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公开(公告)号：CN108141010B
公开(公告)日：2020-04-14
申请号：CN201680056018.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 斯文·格哈德 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 克里斯托夫·艾克勒
Abstract: 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。
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公开(公告)号：CN109314367A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037676.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 斯文·格哈德
Abstract: 描述一种用于制造激光二极管棒(10)的方法，所述方法具有如下步骤：制造多个并排设置的发射器(1，2)；检查发射器(1，2)的至少一个光学和/或电学特性，其中光学和/或电学特性处于预设的期望值域之内的发射器(1)归属于第一发射器(1)的组，并且至少一个光学和/或电学特性在预设的期望值域之外的发射器(2)归属于第二发射器(2)的组；以及电接触第一发射器(1)，其中第二发射器(2)未被电接触，使得所述第二发射器在激光二极管棒(10)运行时不被供给电流。此外，提出一种可利用该方法制造的激光二极管棒(10)。
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公开(公告)号：CN103326233A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310088473.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108352678B
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201680047847.2
申请日：2016-09-27
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒
Abstract: 在一个实施形式中，半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)。半导体层序列包括n型导电的n型区域(21)，p型导电的p型区域(23)和位于之间的有源区(22)，所述有源区用于产生激光辐射。为了电流注入，能导电的p型接触层(3)直接位于p型区域(23)上。直接在p型接触层(3)上安置导电的并且金属的p型接触结构(4)。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在所述棱面(25)中的至少一个上的至少一个电流保护区域(5)中，电流注入p型区域(23)中受抑制。p型接触结构(4)与所属的棱面(25)平接，使得p型接触结构(4)并不突出于所属的棱面(25)或反之亦然，其中p型接触层(3)从电流保护区域(5)中的至少一个中去除并且在该电流保护区域(5)中p型接触结构(4)整面地与所述p型区域(23)直接接触。
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公开(公告)号：CN105406351B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201510958578.2
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体(1)，该壳体具有壳体部件(10)和与壳体部件(10)连接的安装部件(11)，该安装部件沿着延伸方向(110)背离壳体部件(10)地延伸；和在安装部件(11)上的激光二极管芯片(2)，所述激光二极管芯片在衬底(20)上具有半导体层(21，22，23，24，26)，该半导体层具有用于放射光的有源层(23)，其中壳体部件(10)和安装部件(11)具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件(10)是钢包封的，并且在激光二极管芯片(2)与安装部件(11)之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层(3)。
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公开(公告)号：CN108141010A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680056018.0
申请日：2016-09-27
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 斯文·格哈德 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 克莱门斯·菲尔海利希 , 安德烈亚斯·莱夫勒 , 克里斯托夫·艾克勒
Abstract: 半导体激光器(1)包括半导体层序列(2)，所述半导体层序列具有n型传导的n型区域(21)、p型传导的p型区域(23)和位于其之间的用于产生激光辐射的有源区(22)。为了注入电流，直接在p型区域(23)处存在由透明导电氧化物构成的对于激光辐射可穿透的p型接触层(3)。直接在p型接触层(3)处安置有导电的且金属的p型接触结构(4)。p型接触层(3)是外罩层的一部分，使得激光辐射在半导体激光器(1)运行时常规地进入到p型接触层(3)中。半导体层序列(2)的两个棱面(25)形成用于激光辐射的谐振器端面。在直接在棱面(25)中的至少一个棱面处的至少一个电流保护区域(5)中，禁止到p型区域(23)中的电流注入。电流保护区域在垂直于所属的棱面(25)的方向上的扩展为至少0.5μm和最高100μm，并且附加地为用于激光辐射的谐振器长度的最高20％。
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公开(公告)号：CN103326233B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201310088473.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 乌韦·施特劳斯 , 森克·陶茨 , 艾尔弗雷德·莱尔 , 卡斯滕·奥恩 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明涉及一种激光二极管装置，其具有：壳体（1），该壳体具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的安装部件（11），该安装部件沿着延伸方向（110）背离壳体部件（10）地延伸；和在安装部件（11）上的激光二极管芯片（2），所述激光二极管芯片在衬底（20）上具有半导体层（21，22，23，24，26），该半导体层具有用于放射光的有源层（23），其中壳体部件（10）和安装部件（11）具有由铜制成的基体，并且至少壳体部件（10）是钢包封的，并且在激光二极管芯片（2）与安装部件（11）之间设置有厚度大于或等于3μm的第一焊料层（3）。
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公开(公告)号：CN103326232A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310088321.7
申请日：2013-03-19
Applicant: 欧司朗光电半导体有限公司
Inventor： 艾尔弗雷德·莱尔 , 森克·陶茨 , 乌韦·施特劳斯 , 克莱门斯·菲尔海利希
CPC classification number: H01S5/02212 , H01S5/02272 , H01S5/02469 , H01S5/02476 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/32341 , H01S2301/176
Abstract: 本发明提出一种激光二极管装置，具有：壳体（1），其具有壳体部件（10）和与壳体部件（10）连接的装配件（11），装配件沿着延伸方向（110）远离壳体部件（10）延伸；以及在装配件（11）上的激光二极管芯片（2），激光二极管芯片在衬底（20）上具有带用于辐射光的有源层（23）的半导体层（21、22、23、24），其中壳体部件（10）和装配件（11）具有铜制基体，并且至少壳体部件（10）被钢包封，在激光二极管芯片（2）和装配件（11）之间设有第一焊料层（3），第一焊料层具有大于或等于2μm的厚度，并且激光二极管芯片（2）具有辐射耦合输出面（27），在辐射耦合输出面（27）上施加有结晶保护层（6）。
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