公开(公告)号：CN103708829A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310702273.6

申请日：2013-12-19

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 周昌荣 ,  杨涛 ,  周秀娟 ,  杨华斌 ,  周沁 ,  陈国华 ,  袁昌来 ,  马家峰 ,  杨云

IPC: C04B35/475 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种反常压电各向异性无铅压电陶瓷及其织构化制备方法，成分为(Bi1/2Na1/2)TiO3+x(Nb2O5+CeO2)，x为摩尔分数，0.005

公开(公告)号：CN102351535B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。

公开(公告)号：CN102351535A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110197606.5

申请日：2011-07-15

Applicant: 桂林电子科技大学

Inventor： 刘心宇 ,  胡耀斌 ,  江民红 ,  崔业让 ,  杨华斌 ,  马家峰

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/622

Abstract: 本发明公开了一种低损耗铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，该无铅压电陶瓷包含钙钛矿型铁电体（K0.5-xNa0.5+x）NbO3、助溶剂LiSbO3以及复合型铁电（磁）体Bi(FetMn1-t)O3。其通式用（1-y-z）（K0.5-xNa0.5+x）NbO3-yLiSbO3-zBi(FetMn1-t)O3来表示，式中0＜x＜0.5,0＜y＜0.1,0＜z＜0.1，0＜t＜1，通过选取适当的x、y、z和t值及工艺参数，用传统制陶工艺制成新的陶瓷产品。本发明提供的压电材料的优点是：致密性好，介电损耗低，压电性能优良，居里温度高，压电性能热稳定性好，制备工艺稳定，采用传统手段获得；烧结温度较低，约1050～1130℃。