-
公开(公告)号：CN110224118A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910408052.5
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/36 , H01M4/50 , H01M4/505 , H01M10/0525 , H01M4/131 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/86
Abstract: 本发明提供了一种复合型锰氧化合物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锰氧化合物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锰氧化合物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锰氧化合物薄膜。本发明复合型锰氧化合物薄膜的制备方法将锰氧化合物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锰氧化合物薄膜具有界面电阻小和比表面积大的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锰氧化合物薄膜化学性能稳定。
-
公开(公告)号：CN110190240A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910403614.7
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/485 , H01M4/525 , H01G11/46 , H01G11/86 , C23C14/06 , C23C14/08 , C23C14/34
Abstract: 本发明提供了一种复合型锂氧化物薄膜及其制备方法与应用。所述复合型锂氧化物薄膜的制备方法包括的步骤有：将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型锂氧化物薄膜。本发明复合型锂氧化物薄膜的制备方法将锂氧化物靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型锂氧化物薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型锂氧化物薄膜化学性能稳定。
-
公开(公告)号：CN110112369A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910403620.2
申请日：2019-05-15
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/1391 , H01M4/04 , H01M4/131 , H01M4/36 , H01M4/485 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01G11/86 , H01G11/46
Abstract: 本发明提供了一种复合型二氧化钛薄膜及其制备方法与应用。所述复合型二氧化钛薄膜的制备方法包括的步骤有：将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材在惰性气氛下进行共溅射处理，在基体上生长复合型二氧化钛薄膜。本发明复合型二氧化钛薄膜的制备方法将二氧化钛靶材和能量密度贡献主体元素靶材直接采用共溅射法沉积形成。使得生长的复合型二氧化钛薄膜具有界面电阻小的特性，而且可以减少和阻止电解液与能量密度贡献主体之间的不可逆副反应，减少固体电解质膜(SEI)的产生，减轻周期性体积变化的应力，保持锂离子嵌入/脱出过程中的结构稳定性。另外，所述制备方法有效保证生长的复合型二氧化钛薄膜化学性能稳定。
-
公开(公告)号：CN109360986A
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201811139119.1
申请日：2018-09-28
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01M4/58 , H01M10/054 , C01B19/04
Abstract: 本发明涉及硒化锌作为铝离子电池正极材料的应用，属于铝离子电池技术领域。将硒化锌用作铝离子电池正极材料，不仅具有高的放电平台，还具有大的比容量，其中，放电电压平台约为1.8V，在200mA/g电流密度下首圈比容量为164mAh/g左右，使得铝离子电池可更好地被应用于众多领域，如电子工业、通讯产业、电动汽车等。同时，硒化锌的制备工艺简单，原料来源广泛，且成本低，适合大规模工业化生产。
-
公开(公告)号：CN109234711A
公开(公告)日：2019-01-18
申请号：CN201811114750.6
申请日：2018-09-25
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种溶胶凝胶法制备（400）晶面择优取向ITO薄膜的方法，其步骤包括：1）制备ITO溶胶；2）在干净的基片上匀胶；3）干燥；4）真空退火生长（400）晶面择优取向的ITO薄膜。本发明通过向ITO溶胶添加表面活性剂甲基纤维素MC-400，并通过控制表面活性剂加入量、干燥和真空退火的温度及时间等工艺参数即可生长具有（400）择优取向的ITO薄膜。本发明采用一种新颖的溶胶-凝胶技术实现了（400）晶面择优取向ITO薄膜的制备，具有工艺简单，成本低廉，易于实现工业化的特点，光电性能优异。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106430985A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610644369.5
申请日：2016-08-09
Applicant: 桂林电子科技大学
CPC classification number: C03C10/0045 , C03B32/02 , C03C12/00
Abstract: 本发明公开了一种微晶玻璃粉的水热制备方法。以质量百分比正硅酸乙脂︰氯化铝︰氯化镁=50~53:30~35:13~20的复合原料，溶解于去离子水，控制溶液浓度为0.5~1.5mol/L，并加入氨水调节pH值为7.0~9.5，反应生成沉淀物，再将沉淀物倒入水热反应釜，在180~240℃/12h的水热条件反应，待反应釜冷却后，出料并按复合原料的氧化物含量0.5~3%的比例加入氯化物掺杂剂，搅拌，静置1小时后，用常规方法过滤、洗涤、干燥，在1400~1500℃熔融，再按常规方法破碎、球磨、喷雾造粒，得到堇青石基微晶玻璃粉。本发明通过水热法制备微晶玻璃前驱体，可获得具有更好封装性能的玻璃粉体，可广泛应用于电子器件的封装。
-
公开(公告)号：CN104505334A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410775252.1
申请日：2014-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/28506 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了一种通过激光加热制作薄膜图案的方法。在磁控溅射沉积金属或非金属薄膜时，采用外部装置对溅射基座进行冷却，冷却的温度为-196～5℃，同时采用激光对基片表面图案化区域加热。激光加热区域与非加热区域的温度差导致薄膜的附着力不同，即在加热区域沉积的薄膜附着力大，未加热区域沉积的薄膜附着力小。然后采用离子束刻蚀技术，通过调节合适的离子束功率，使未加热区域的金属或非金属薄膜快速刻蚀，而加热区域的金属或非金属电极薄膜得以保留并形成所需图案。本发明无需物理掩膜，与光刻技术相比，具有工艺简单，成本低，易于实现工业化的特点，特别适合于各类薄膜器件的制备和加工。
-
公开(公告)号：CN104495941A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410788925.7
申请日：2014-12-19
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种钠离子电池正极材料的制备方法，在混合器中加入NaOH水溶液，加热到50-85℃，搅拌下将MnO2粉体缓慢加入，在50-85℃下保温，并抽减压浓缩，干燥，研磨，将研磨得到的粉体在空气气氛煅烧，煅烧温度为600-800℃，煅烧时间为3-6 h。所述的NaOH水溶NaOH和去离子水的重量比为5-10∶90-95。所述的混合是MnO2和NaOH的重量比为10-15∶85-90计算。本发明方法制备Na0.7MnO2.05的电化学性能较好，在40mA g-1的电流密度下的比容量可达179mAh g-1，在140mA g-1的高电流密度下循环100次后仍有67.5%的容量保持率；方法简单，安全环保，高效节能，产品质量好，具有较好的经济效益、社会效益和生态效益。
-
公开(公告)号：CN104445887A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410780986.9
申请日：2014-12-16
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: C03B23/025 , C03B27/012
Abstract: 本发明公开了一种用于曲面显示屏保护膜的3D曲面超薄钢化玻璃的制备方法。其工艺步骤为：①将超薄玻璃按尺寸大小切割，打孔，磨边和倒角；②将超薄平面玻璃放置于凹模上，定位后在超薄玻璃上方放置超薄的凸模，并在凸模上方放置一定重量的多孔或倒凹形块体材料；③放入加热设备升温至玻璃软化点保温一定时间，利用玻璃自身和凸模的重量实现超薄玻璃的弯曲，并按一定速率降温至50℃以下。采用本发明可以实现超薄玻璃的3D曲面精确弯曲钢化，所加工的超薄3D曲面钢化玻璃具有可见光透光率高、成品率高、表面清洁和易于实现工业化批量制备的优点，特别适合于制备曲面显示屏如手机、可穿戴设备、平板电脑等消费电子产品的屏幕钢化玻璃保护膜。
-
公开(公告)号：CN102436936A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110269256.9
申请日：2011-09-13
Applicant: 桂林电子科技大学
IPC: H01G9/048
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器用具有双重3D结构的二氧化锰薄膜电极及其制备方法，采用具有3D结构的泡沫镍等泡沫金属集流体上覆盖另一3D结构的二氧化锰薄膜组成。其制备方法是在泡沫镍等泡沫金属集流体上通过水热的方法直接反应制备得到二氧化锰薄膜。所述水热制备过程包括集流体清洗、溶液配制以及水热反应等步骤。所制备的薄膜电极具有双重3D结构，且而作为超级电容器的电极具有良好的电容特性及较高的储能特性。同现有技术相比较，本发明制备得到的超级电容器用二氧化锰薄膜电极，较现有二氧化锰电极具有更大的活性物质与电解液接触面积，具有更高的活性物质利用率和更高的比容量。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
55
records
(took 0.031 seconds)
