-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576325A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510041144.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中，由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度，从而能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层，无需去除，从而减少了工序。
-
公开(公告)号：CN104599946B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
-
公开(公告)号：CN105161416A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510615944.4
申请日：2015-09-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/26513
Abstract: 本申请提供了一种半导体结构的掺杂方法，包括：对半导体结构分别进行P型杂质离子注入和N型杂质离子注入；对离子注入后的半导体结构进行退火；其中，所述退火过程包括：升温至第一激活温度，在所述第一激活温度保持第一预设时间；从所述第一激活温度升温至第二激活温度，在所述第二激活温度保持第二预设时间；降温，完成退火。本发明中的半导体结构的掺杂方法，在进行退火时，首先升温至第一激活温度，激活其中一种杂质，接着，从第一激活温度再次升温至第二激活温度，激活另一种杂质，从而能够保证两种杂质的高激活率。由于仅使用一次退火工艺，因而对所述半导体结构的表面形貌损伤很小。
-
公开(公告)号：CN104637801A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510047816.4
申请日：2015-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L21/28 , H01L21/324 , H01L29/66068
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选以0.5-2slm的速率通入Cl2与惰性气体的混合气体，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法使用Cl2退火栅介质SiO2层，可以消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷，提高SiC MOSFET器件中SiO2栅介质层的临界击穿电场和耐压能力。
-
公开(公告)号：CN104599946A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410815606.0
申请日：2014-12-24
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在SiC功率器件中的应用，检测说明得到的碳保护膜的纯度高、高温稳定性好，可以有效地保护高温激活退火过程中SiC晶圆的表面形貌。
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.272 seconds)
