一种压接型功率半导体器件的测试装置

    公开(公告)号:CN107728032B

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201610672233.5

    申请日:2016-08-16

    Abstract: 一种压接型功率半导体器件的测试装置,包括:测试台控制器;测试底座,测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位,各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极,其中,各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接;测试顶盖,其与测试台控制器连接,用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力,测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极,各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题,其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。

    一种IGBT模块
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108122897B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201611085332.X

    申请日:2016-11-30

    Abstract: 本发明提供一种IGBT模块,其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元,所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔,所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件,所述弹性元件设置于所述盲孔内,并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏,且占用空间小,模块体积小的优点。

    一种IGBT模块
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108122897A

    公开(公告)日:2018-06-05

    申请号:CN201611085332.X

    申请日:2016-11-30

    Abstract: 本发明提供一种IGBT模块,其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元,所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔,所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件,所述弹性元件设置于所述盲孔内,并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏,且占用空间小,模块体积小的优点。

    一种压接型功率半导体器件的测试装置

    公开(公告)号:CN107728032A

    公开(公告)日:2018-02-23

    申请号:CN201610672233.5

    申请日:2016-08-16

    Abstract: 一种压接型功率半导体器件的测试装置,包括:测试台控制器;测试底座,测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位,各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极,其中,各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接;测试顶盖,其与测试台控制器连接,用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力,测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极,各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题,其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。

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