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公开(公告)号：CN105957888A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201610494974.9
申请日：2016-06-27
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
CPC classification number: H01L29/7395 , H01L23/488 , H01L29/423
Abstract: 本发明的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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公开(公告)号：CN107728032B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201610672233.5
申请日：2016-08-16
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种压接型功率半导体器件的测试装置，包括：测试台控制器；测试底座，测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位，各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极，其中，各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接；测试顶盖，其与测试台控制器连接，用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力，测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极，各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题，其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。
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公开(公告)号：CN108122897B
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201611085332.X
申请日：2016-11-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块，其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元，所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔，所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件，所述弹性元件设置于所述盲孔内，并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏，且占用空间小，模块体积小的优点。
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公开(公告)号：CN105957861B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201610480973.9
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
Abstract: 本发明的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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公开(公告)号：CN108122897A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201611085332.X
申请日：2016-11-30
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07
Abstract: 本发明提供一种IGBT模块，其包括上电极、下电极以及设置在所述上电极与下电极之间的多个子单元，所述上电极上设有与多个子单元一一对应的盲孔，所述子单元包括从所述下电极向所述上电极方向依次层叠的第一导电基板、芯片、第二导电基板、导电压块以及弹性元件，所述弹性元件设置于所述盲孔内，并呈压缩状。本发明具有保证各子单元压力均衡、避免芯片压坏，且占用空间小，模块体积小的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107728032A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201610672233.5
申请日：2016-08-16
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种压接型功率半导体器件的测试装置，包括：测试台控制器；测试底座，测试底座中分布有若干用于放置被测压接型功率半导体器件的测试工位，各个测试工位中形成有用于与被测压接型功率半导体器件的第一被测端子连接的第一测试电极，其中，各个测试工位的第一测试电极与测试台控制器连接；测试顶盖，其与测试台控制器连接，用于在测试台控制器向被测压接型功率半导体器件施加指定压力，测试顶盖中分布有若干用于与被测压接型功率半导体器件的第二被测端子连接的第二测试电极，各个第二测试电极与测试台控制器连接。该装置解决了传统压接型IGBT/FRD子单元无法测试或者测试难度非常大的问题，其可以实现多个子单元同时独立测试与结果记录。
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公开(公告)号：CN205723548U
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201620667076.4
申请日：2016-06-27
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种压接式IGBT子模组和IGBT模块封装结构，涉及电力技术领域，能够降低因IGBT子模组个数较多时因弹簧针接触不良而造成的失效概率。IGBT子模组，包括：IGBT芯片；发射极钼片，所述发射极钼片的一面与所述IGBT芯片的发射极的部分相接触；集电极钼片，所述集电极钼片的一面与所述IGBT芯片的集电极接触；栅极连接件，所述栅极连接件的一端为自由端，并与所述IGBT芯片的栅极接触；定位件，用于固定所述IGBT芯片、所述发射极钼片、所述集电极钼片和所述栅极连接件；所述栅极连接件的另一端固定连接于所述IGBT模块封装结构的PCB电路板上。
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公开(公告)号：CN206931600U
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201720774531.5
申请日：2017-06-29
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L29/739 , H01L23/49
Abstract: 本实用新型公开一种压接式IGBT模块，涉及电力电子技术领域，用于提高压接式IGBT模块的生产效率。所述压接式IGBT模块包括壳体，壳体上设有发射极和集电极；发射极和集电极之间设有至少一个IGBT子单元，且发射极面向IGBT子单元的表面设置PCB板，PCB板与IGBT子单元的栅极连接；发射极开设有引线柱容置通孔，引线柱容置通孔内设置栅极引线柱，且引线柱容置通孔与栅极引线柱绝缘；栅极引线柱靠近PCB板的一端与PCB板连接，栅极引线柱远离PCB板的一端悬空在引线柱容置通孔内。本实用新型提供的压接式IGBT模块用于半导体集成。
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公开(公告)号：CN206163475U
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201621265537.1
申请日：2016-11-23
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体器件封装结构，涉及微电子技术领域，能够降低半导体器件的封装复杂度，同时降低半导体器件的热阻和导通压降。所述半导体器件封装结构包括管盖和管座，管盖盖于管座上，管盖的下表面焊接有多个第一电极钼片，管座的上表面焊接有多个第二电极钼片，多个第二电极钼片与多个第一电极钼片一一对应；还包括多个芯片和多个定位框架，定位框架用于对芯片进行定位；多个芯片与多个第一电极钼片一一对应；芯片位于第一电极钼片和第二电极钼片之间，且芯片与第一电极钼片和第二电极钼片均贴合。本实用新型用于半导体器件封装。
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公开(公告)号：CN205752165U
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201620659669.6
申请日：2016-06-24
Applicant: 中国南方电网有限责任公司电网技术研究中心 , 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/04 , H01L23/488
Abstract: 本实用新型的实施例提供一种芯片模块封装结构，涉及电力技术领域，能够简化工艺过程，可缩短封装时间，降低生产成本。芯片模块封装结构，包括：多个芯片；定位件，所述定位件上设置有阵列分布的孔洞单元，每个所述孔洞单元用于固定一个所述芯片；壳体，所述壳体包括顶壳、中环和底壳，所述顶壳和底壳的边缘分别与所述中环的上下开口接合，所述顶壳上固定设置有多个第一钼片，所述第一钼片与孔洞单元的位置对应，所述第一钼片的一面与所述芯片的第一极接触；多个凸台，所述凸台设置于所述壳体的底壳上，所述凸台上固定设置有所述第二钼片，所述第二钼片的一面与所述芯片的第二极接触。
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