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公开(公告)号:CN105914205A
公开(公告)日:2016-08-31
申请号:CN201610300210.1
申请日:2016-05-09
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/18 , H01L23/495 , H01L25/00 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L25/18 , H01L23/4951 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/83365 , H01L2224/83379
Abstract: 本发明公开了一种功率模块结构和功率模块制造方法,其中,功率模块结构包括:主开关器件和续流二极管的电压等级一致,电流大小相同,主开关器件的集电极与续流二极管的阴极键合后,主开关器件倒装焊接在衬板上,衬板上设置有多个分立的覆铜层,其中,主开关器件的发射极与衬板上的第一覆铜层焊接,栅极与衬板上的第二覆铜层焊接,主开关器件的集电极引出线与衬板上的第三覆铜层键合,续流二极管的阳极引出线与衬板上的第四覆铜层键合。所述功率模块结构及功率模块制造方法,通过将键合后的主开关器件和续流二极管倒装焊接在衬板上,实现功率模块的紧凑化和小型化,提高功率模块功率密度。
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公开(公告)号:CN209804600U
公开(公告)日:2019-12-17
申请号:CN201920255168.5
申请日:2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本实用新型涉及一种功率模块用焊接底座,涉及电子功率器件技术领域,用于用于为IGBT模块实现结构紧凑化、功率密度高效化提供有力的条件。本实用新型的功率模块用焊接底座包括焊接部和插针部,插针可设置在插针部中,通过焊接部就可在绝缘衬板上直接焊接墩子与插针,从而使模块的结构更加紧凑,功率密度得以提高。
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公开(公告)号:CN209913085U
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201822209212.7
申请日:2018-12-26
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型涉及一种联结插座,其在纵向方向上延伸,包括第一端和与第一端呈相对设置的第二端;第一凸缘设置在第一端远离第一端端面的位置;凹槽设置在第二端,用于插设联结插销;联结插座以第一凸缘在前的方式放置在与纵向方向垂直的平面上时,第一端端面与平面相接触。一种功率半导体模块,包括电路载体和联结插座,电路载体设置有平坦导体区域,联结插座以第一凸缘在前的方式焊接在平坦导体区域,第一端端面的面积小于平坦导体区域的面积,联结插座的纵向方向与平坦导体区域垂直。一种电路装置,包括印刷电路板和功率半导体模块,联结插销的末端伸出壳体后与印刷电路板连接。本实用新型能够解决联结插座与金属层之间焊接不牢靠和爬锡的问题。
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公开(公告)号:CN209822625U
公开(公告)日:2019-12-20
申请号:CN201920260298.8
申请日:2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种功率模块用焊接底座,包括导电接触元件,所述导电接触元件在纵向方向上延伸,所述导电接触元件的第一端设置有固定部,所述导电接触元件的第二端设置成自由端,所述第一端与所述第二端呈相对布置,在所述导电接触元件上设置有贯穿所述第一端和所述第二端的插针孔。本实用新型能够解决焊料焊接面积小,焊接可靠性差的技术问题,且能够提高自动化程度。
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公开(公告)号:CN209912864U
公开(公告)日:2020-01-07
申请号:CN201920256976.3
申请日:2019-02-28
Applicant: 株洲中车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/13
Abstract: 本实用新型公开一种焊接底座,其特征在于,所述焊接底座为中空的圆柱结构,所述圆柱的两个端面上均设置有多个凹槽,所述凹槽由所述圆柱的侧面延伸至所述中空处。本实用新型还公开一种使用该焊接底座的功率半导体模块。本实用新型明中的焊接底座加工简单,成本低廉,进并且该焊接底座可以与陶瓷衬板焊接牢固;从而增强了功率半导体器件焊接的可靠性。
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