公开(公告)号：CN107683520B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201680031312.6

申请日：2016-10-25

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 郑粲烨 ,  高正旼 ,  金大星 ,  李星秀 ,  殷畅鲜

IPC: H01L21/02 ,  C30B29/36

Abstract: 本发明涉及一种基于硅的熔融组合物以用于通过溶液法形成SiC单晶，所述组合物包含硅、碳和由以下式(1)定义的溶解度参数(Csisol)小于‑0.37的金属：式(1)，其中在上述式(1)中，A为在包含金属和碳的硅晶格中包含硅原子、碳原子和金属原子的第一评估晶格的第一能量(A)，B为在包含金属的硅晶格中包含硅原子和金属原子的第二评估晶格的第二能量(B)，μ1为作为通过将金刚石晶体结构中硅的总能量除以单元晶格中存在的硅原子数获得的化学势的常数‑5.422，μ2为作为通过将金刚石晶体结构中碳的总能量除以单元晶格中存在的碳原子数获得的化学势的常数‑9.097。

公开(公告)号：CN110914485B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201980003601.9

申请日：2019-05-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 李虎林 ,  金浈桓 ,  郑粲烨 ,  高正旼

IPC: C30B29/36 ,  C30B15/36 ,  C30B15/14

Abstract: 根据一个示例性实施方案的基于硅的熔融组合物在用于形成碳化硅单晶的溶液生长法中使用，包含硅(Si)、钇(Y)和铁(Fe)，并且以式1表示。在式1中，a等于或大于0.4且等于或小于0.8，b等于或大于0.2且等于或小于0.3，以及c等于或大于0.1且等于或小于0.2。[式1] SiaYbFec

公开(公告)号：CN111051267A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880052372.5

申请日：2018-09-19

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 金俊奎 ,  申东午 ,  高正旼

IPC: C04B35/584 ,  C04B35/626 ,  C04B35/634 ,  C04B35/638 ,  C04B103/40

Abstract: 本发明涉及用于制备氮化硅烧结体的流延成型浆料组合物。本发明的流延成型浆料组合物表现出适合于流延成型的粘度，因此能够容易地控制所制备的生片的面积和厚度，从而制备具有电路板的厚度的大面积氮化硅烧结体，而无需后处理过程例如研磨等。此外，根据本发明，可以通过简化的过程使用低成本的原料来制备氮化硅烧结体，从而确保制备过程的效率和经济可行性。

公开(公告)号：CN108884592A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201780017884.3

申请日：2017-08-22

Applicant: 株式会社LG化学

Inventor： 郑粲烨 ,  李虎林 ,  金敬勋 ,  高正旼

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/02 ,  C30B19/04

CPC classification number: C30B19/04 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02

Abstract: 根据一个示例性实施方案的基于硅的熔融组合物被用于形成碳化硅单晶的溶液生长法，并且由包含硅(Si)、第一金属M1、第二金属M2和第三金属M3的式1表示，其中第一金属M1是选自镍(Ni)和锰(Mn)中的一者或更多者，第二金属M2是选自钪(Sc)和钛(Ti)中的一者或更多者，以及第三金属M3是选自铝(Al)和镓(Ga)中的一者或更多者：SiaM1bM2cM3d (式1)其中a为0.3至0.8，b为0.1至0.5，c为0.01至0.3，d为0.01至0.2，并且a+b+c+d为1。