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公开(公告)号：CN110178233A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201780083182.5
申请日：2017-12-20
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明提供了由化学式1：SxCo4Sb12-y-zQySnz表示的新的化合物半导体。在化学式1中：Q包括O、Se和Te中的至少一者；x、y和z意指各元素的摩尔比，并且0＜x≤l、0＜y＜12、0＜z＜12、0＜y+z＜12且y≥3x。此外，本发明涉及新的化合物半导体材料及其制备方法，所述新的化合物半导体材料具有优异的电导率以及增强的热电性能指数，从而能够用于各种用途，例如热电转换装置、太阳能电池等的热电转换材料。
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公开(公告)号：CN110178233B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201780083182.5
申请日：2017-12-20
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H10N10/85 , H10N10/853 , H10N10/852 , H10N10/01 , H01L31/0272 , C01G51/00
Abstract: 本发明提供了由化学式1：SxCo4Sb12‑y‑zQySnz表示的新的化合物半导体。在化学式1中：Q包括O、Se和Te中的至少一者；x、y和z意指各元素的摩尔比，并且0＜x≤l、0＜y＜12、0＜z＜12、0＜y+z＜12且y≥3x。此外，本发明涉及新的化合物半导体材料及其制备方法，所述新的化合物半导体材料具有优异的电导率以及增强的热电性能指数，从而能够用于各种用途，例如热电转换装置、太阳能电池等的热电转换材料。
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公开(公告)号：CN110088924B
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN201880004598.8
申请日：2018-06-05
Applicant: 株式会社LG化学
IPC: H10N10/851 , H10N10/852 , H10N10/853 , H10N10/01
Abstract: 本发明提供了由以下化学式1表示的新的含硫属元素化合物、用于制备其的方法以及包含其的热电元件，其中所述含硫属元素化合物即使在低温下、特别是在对应于热电元件的工作温度的温度下也表现出优异的相稳定性，并且由于其独特的晶格结构引起的优异的电导率和低的热导率还表现出显著更优的功率因数和热电性能指数：[化学式1]V1‑2xSn4Bi2‑xAg3xSe7，在上式1中，V为空位，0
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN110177759A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880006756.3
申请日：2018-05-11
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、用于制备其的方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数(ZT)。[化学式1]V1-xMxSn4-yPbyBi2Se7-zTez，在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，y大于0且小于4，以及z大于0且小于或等于1。
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公开(公告)号：CN110114305A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201880005390.8
申请日：2018-05-30
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明提供了以下化学式1的新的含硫属元素的化合物、其制备方法和包含其的热电元件，所述含硫属元素的化合物在低温下、特别是在对应于热电元件的驱动温度的温度下表现出优异的相稳定性，并且还通过功率因数的增加和热导率的降低而表现出优异的热电性能指数。[化学式1]V1-xMxSn4Bi2Se7-yTey在上式1中，V为空位，M为碱金属，x大于0且小于1，以及y大于0且小于或等于1。
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公开(公告)号：CN109075242A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780018528.3
申请日：2017-12-22
Applicant: 株式会社LG化学
Abstract: 本发明提供了一种新化合物半导体和用于制备其的方法，所述新化合物半导体具有提高的热电优值以及优异的导电性，并且因此可以应用于多种用途，例如太阳能电池、热电转换装置的热电转换材料等。
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