组合物和蚀刻方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112135927B

    公开(公告)日:2022-06-24

    申请号:CN201980033210.1

    申请日:2019-05-28

    Abstract: 提供一种组合物和蚀刻方法,其可抑制残膜的发生且形成直线性高、尺寸精度优异的微细的图案,对铜系层等金属层的蚀刻有用。一种组合物,其为含有如下成分的水溶液:(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1~25质量%;(B)氯化物离子0.1~30质量%;(C)下述通式(1)(R1为单键等,R2和R3为碳原子数1~4的亚烷基,R4和R5为氢原子等,n为数均分子量成为550~1400的数)所示的、数均分子量550~1400的化合物0.01~10质量%;(D)下述通式(2)(R6为正丁基,R7为碳原子数2~4的亚烷基,m为1~3的整数)所示的化合物0.01~10质量%;和水。

    铜膜形成用组合物和使用其的铜膜的制造方法

    公开(公告)号:CN107075681B

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201580053151.6

    申请日:2015-09-14

    Abstract: 提供:涂布于基体上、以低于160℃进行加热从而可以得到具有充分导电性的铜膜的、不含微粒等固相的溶液状的铜膜形成用组合物。为一种铜膜形成用组合物,其含有:甲酸铜或其水合物0.1~3.0摩尔/kg;选自由下述通式(1)所示的化合物和下述通式(1’)所示的化合物组成的组中的至少1种化合物;和,下述通式(2)所示的哌啶化合物。

    铜膜形成用组合物和使用其的铜膜的制造方法

    公开(公告)号:CN107075681A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201580053151.6

    申请日:2015-09-14

    CPC classification number: C23C18/08

    Abstract: 提供:涂布于基体上、以低于160℃进行加热从而可以得到具有充分导电性的铜膜的、不含微粒等固相的溶液状的铜膜形成用组合物。为一种铜膜形成用组合物,其含有:甲酸铜或其水合物0.1~3.0摩尔/kg;选自由下述通式(1)所示的化合物和下述通式(1’)所示的化合物组成的组中的至少1种化合物;和,下述通式(2)所示的哌啶化合物。

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