公开(公告)号：CN112135927A

公开(公告)日：2020-12-25

申请号：CN201980033210.1

申请日：2019-05-28

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 正元祐次 ,  阿部徹司 ,  千叶广之 ,  野口裕太

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/308 ,  H05K3/06

Abstract: 提供一种组合物，其可抑制残膜的发生且形成直线性高、尺寸精度优异的微细的图案，对铜系层等金属层的蚀刻有用。一种组合物，其为含有如下成分的水溶液：(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％；(B)氯化物离子0.1～30质量％；(C)下述通式(1)(R1为单键等，R2和R3为碳原子数1～4的亚烷基，R4和R5为氢原子等，n为数均分子量成为550～1400的数)所示的、数均分子量550～1400的化合物0.01～10质量％；(D)下述通式(2)(R6为正丁基，R7为碳原子数2～4的亚烷基，m为1～3的整数)所示的化合物0.01～10质量％；和水。

公开(公告)号：CN112135927B

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN201980033210.1

申请日：2019-05-28

Applicant: 株式会社ADEKA

Inventor： 正元祐次 ,  阿部徹司 ,  千叶广之 ,  野口裕太

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/308 ,  H05K3/06

Abstract: 提供一种组合物和蚀刻方法，其可抑制残膜的发生且形成直线性高、尺寸精度优异的微细的图案，对铜系层等金属层的蚀刻有用。一种组合物，其为含有如下成分的水溶液：(A)选自铜离子和铁离子中的至少1种成分0.1～25质量％；(B)氯化物离子0.1～30质量％；(C)下述通式(1)(R1为单键等，R2和R3为碳原子数1～4的亚烷基，R4和R5为氢原子等，n为数均分子量成为550～1400的数)所示的、数均分子量550～1400的化合物0.01～10质量％；(D)下述通式(2)(R6为正丁基，R7为碳原子数2～4的亚烷基，m为1～3的整数)所示的化合物0.01～10质量％；和水。