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公开(公告)号：CN1550573A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410044707.9
申请日：2004-05-17
CPC classification number: C22C5/06 , C23C14/3414
Abstract: 一种Ag－Bi基合金溅射靶以及该溅射靶的制备方法，其特征在于，溅射靶的析出Bi强度为0.01原子％－1或以下，其是根据下式，基于X－射线衍射的分析结果计算出来的。析出Bi强度＝[IBi(102)/(IAg(111)+IAg(200)+IAg(220)+IAg(311))]/[Bi]该溅射靶的Bi固溶于Ag中。根据本发明，在使用该溅射靶形成薄膜时，可以抑制其薄膜之中Bi含量相对于溅射靶Bi含量的显著降低。
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公开(公告)号：CN101353779B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810134033.X
申请日：2008-07-22
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni、La和Si的Al-Ni-La-Si体系Al-基合金溅射靶，其中当使用扫描电子显微镜以2000倍的放大倍数观察在垂直于所述溅射靶的平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al-Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；并且(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积相对于全部Al-Ni-La-Si体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al-Ni-La-Si体系金属间化合物主要由Al、Ni、La和Si组成。
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公开(公告)号：CN101187007A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710192798.4
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F9/082 , B22F2998/10 , C22C21/00 , C23C4/08 , C23C4/123 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及一种含有Ni和La的Al－Ni－La体系Al－基合金溅射靶，其中，当通过扫描电子显微镜在2000倍的放大倍数观察垂直于溅射靶平面的横截面中从(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)的截面时，(1)按面积分数计，平均粒径为0.3μm至3μm的Al－Ni体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－Ni体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－Ni体系金属间化合物主要由Al和Ni组成；和(2)按面积分数计，平均粒径为0.2μm至2μm的Al－La体系金属间化合物的总面积相对于全部Al－La体系金属间化合物的总面积为70％以上，所述Al－La体系金属间化合物主要由Al和La组成。
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公开(公告)号：CN1238554C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN03800885.8
申请日：2003-06-23
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22C5/08
Abstract: 一种银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶，特别有利于由溅射法形成膜厚分布均匀的银合金薄膜，由X射线衍射法求出任意4个位置的结晶取向强度时，4个测定位置的表示最高结晶取向强度(Xa)的方位相同，且在各测定位置最高结晶取向强度(Xa)与第二高的结晶取向强度(Xb)的强度比(Xb/Xa)的偏差在20%以下的银合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN1545569A
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN03800885.8
申请日：2003-06-23
Applicant: 株式会社钢臂功科研
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C5/06 , C22C5/08
Abstract: 一种银合金溅射靶及其制造方法，该银合金溅射靶，特别有利于由溅射法形成膜厚分布均匀的银合金薄膜，由X射线衍射法求出任意4个位置的结晶取向强度时，4个测定位置的表示最高结晶取向强度(Xa)的方位相同，且在各测定位置最高结晶取向强度(Xa)与第二高的结晶取向强度(Xb)的强度比(Xb/Xa)的偏差在20％以下的银合金溅射靶。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107636194A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201680031260.2
申请日：2016-05-02
Applicant: 株式会社钢臂功科研
IPC: C23C14/34 , H01L21/203
CPC classification number: C23C14/34 , H01L21/203
Abstract: 本发明为一种溅射靶材组装体，其含有多个载置部，所述多个载置部是配置于底板上，且彼此空开间隔而配置，在各载置部上经由接合材料而配置有一个以上的溅射靶材构件，并且在相邻的所述载置部之间的间隙部中具有Ni基材料的涂层。
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公开(公告)号：CN103154308A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201180048311.X
申请日：2011-10-05
CPC classification number: C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/24 , C22C1/0416 , C22C21/00 , C22F1/04 , C23C16/45504 , C23C16/4585 , C23C16/4586
Abstract: 本发明提供使用了溅射钯时的成膜速度(溅射速率)被提高、理想的是能够防止飞溅的发生的Al基合金溅射钯。本发明的Al基合金溅射钯含有Ta。优选的是含有Al及Ta的Al-Ta系金属间化合物的平均粒子直径为0.005μm以上且1.0μm以下，且Al-Ta系金属间化合物的平均粒子间距离满足0.01μm以上且10.0μm以下。
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公开(公告)号：CN101691657B
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN200910132939.2
申请日：2009-03-31
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
Abstract: 本发明提供一种能减少溅射靶在使用初始阶段产生的飞溅，由此防止配线膜等中产生的缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶及其制造方法。本发明涉及构成分别含有选自A组(Ni，Co)中的至少一种、选自B组(Cu，Ge)中的至少一种和选自C组(La，Gd，Nd)中的至少一种的Al-(Ni，Co)-(Cu，Ge)-(La，Gd，Nd)系合金溅射靶，并且其维氏硬度(HV)为35以上的Al-基合金溅射靶。
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公开(公告)号：CN102057074A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200980121618.0
申请日：2009-06-08
CPC classification number: C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
Abstract: 本发明提供一种能够以高成品率制造含有稀土类元素、和熔点比Al高的高熔点元素的Al基合金溅射靶材的方法。本发明涉及Al基合金溅射靶材的制造方法，包括如下工序：准备由雾化法制造的含有稀土类元素的Al基合金的第一粉末的工序、将第一粉末和含有一种以上的熔点比Al高的高熔点元素X的第二粉末进行混合的工序、和使第一粉末和第二粉末的混合粉末致密化的工序，在所述混合工序中，第一粉末的最大粒径(a)为10～200μm，所述第二粉末的最大粒径(b)为10～150μm，所述第一粉末的最大粒径(a)和所述第二粉末的最大粒径(b)的比(a)/(b)为0.5～5。
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公开(公告)号：CN101220458B
公开(公告)日：2010-09-22
申请号：CN200710193219.8
申请日：2007-11-20
CPC classification number: C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
Abstract: 本发明涉及一种Al-基合金溅射靶，其包含0.05至10原子％的量的Ni，其中当根据电子反向散射衍射花样法观察Al-基合金溅射靶的溅射表面的法线方向上的结晶取向 、 、 和 时，所述Al-基合金溅射靶满足：(1)P值对溅射表面的总面积的比率为70％以上，其中P值表示 ±15°、 ±15°、 ±15°和 ±15°的面积分数的总和；(2) ±15°的面积分数对P值的比率为30％以上；和(3) ±15°的面积分数对P值的比率为10％以下。
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