公开(公告)号：CN102437001A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110287175.1

申请日：2011-09-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社 ,  岩谷产业株式会社

Inventor： 土桥和也 ,  布濑晓志 ,  星野聪彦 ,  妹尾武彦 ,  吉野裕

IPC: H01J37/32 ,  C23F4/00

CPC classification number: H01L21/306 ,  C23C14/02 ,  C23C14/165 ,  C23C14/568 ,  H01M4/0421 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/386 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明涉及真空处理装置、真空处理方法以及微细加工装置。在真空室(31)内设置有喷嘴部(5)，按照与喷嘴部(5)的喷出口对置的方式保持硅基板(W)。以0.3MPa～2.0MPa从喷嘴部(5)的基端侧供给例如ClF3气体以及Ar气体，使该混合气体从喷嘴部(5)的顶端侧向1Pa～100Pa的真空气氛喷出。由此混合气体进行绝热膨胀，Ar原子、ClF3的分子结合在一起成为气体团簇(C)。在该气体团簇(C)未离子化的情况下，向硅基板(W)的表面部喷射，使该表面部多孔质化。而且在不破坏真空的情况下，在其它的真空室(41)中对该硅基板(W)的表面进行锂的溅射成膜。