公开(公告)号：CN100481340C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410095441.0

申请日：2004-12-20

Applicant: 株式会社荏原制作所 ,  株式会社东芝

Inventor： 中尾秀高 ,  川端康充 ,  胜间田好文 ,  小泽直树 ,  佐佐木达也 ,  重田厚

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04 ,  B24B49/00 ,  B24B1/00

CPC classification number: B24B37/013 ,  B24B49/03 ,  B24B49/12

Abstract: 提供一种衬底抛光装置来防止抛光过度和抛光不充分，并能够定量设置附加抛光时间。该衬底抛光装置包括用来将待抛光衬底抛光的机械装置；用来测量沉积在该衬底上的薄膜厚度的膜厚度测量装置；用来输入被抛光薄膜目标厚度的界面；用来保存先前抛光结果的存储区；以及用于计算抛光时间和抛光速度的处理单元。该衬底抛光装置建立一个附加抛光数据库，用于将从附加抛光结果中获得的数据存储在该存储区中。

公开(公告)号：CN100369210C

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN03800729.0

申请日：2003-02-20

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 和田雄高 ,  赤塚朝彦 ,  佐佐木达也

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

CPC classification number: B24B53/017 ,  B24B7/228 ,  B24B37/04 ,  B24B37/044 ,  B24B49/12 ,  B24B53/02 ,  C09G1/00 ,  H01L21/31053

Abstract: 在本发明的将研磨对象物压紧到固定磨粒上，边使之滑动边进行研磨的抛光方法，其特征在于具备：第一工序，边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物；以及第二工序，边供应含有阳离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液，边研磨上述研磨对象物。