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公开(公告)号：CN103597361B
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201280028857.3
申请日：2012-06-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01R1/067 , C23C14/025 , C23C14/0605 , G01R1/06738 , G01R1/06755
Abstract: 提供一种电接触构件，其能够实现与被测体的低附着性，并且能够长期保持稳定的导电性，特别是在大约85℃左右的高温下的反复接触和大气中长期放置后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期保持稳定的电接触。本发明涉及与被测体反复接触的电接触构件，其中，与被测体接触的电接触构件的表面，由含有Pd的碳被膜构成。
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公开(公告)号：CN104871010A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201380061292.3
申请日：2013-12-12
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01R1/06755 , C23C14/06 , G01R1/0416 , G01R1/06738 , G01R3/00 , G01R31/2886 , H01H1/027 , H01H1/06 , H01H2300/036 , H01R13/03
Abstract: 本发明的电接触构件，是与被测体反复接触的电接触构件。与被测体接触的所述电接触构件的表面由含有金属元素的含金属元素碳被膜构成。在相对于所述电接触构件的轴线成45°的倾斜面上所形成的含金属元素碳被膜的表面粗糙度Ra1在一定的值以下。由此，能够实现与被测体的低附着性，长期稳定抑制接触电阻的上升，确保稳定的电接触。
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公开(公告)号：CN101865734B
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201010199004.9
申请日：2008-07-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01K11/06
CPC classification number: G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
Abstract: 本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件(1)受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
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公开(公告)号：CN102473732A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033080.0
申请日：2010-07-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , H01L21/28 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。
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公开(公告)号：CN101865734A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010199004.9
申请日：2008-07-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01K11/06
CPC classification number: G01K3/14 , G01K11/06 , G01K2213/00
Abstract: 本发明提供一种温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机(4)和IO板(5)被输出到运算处理装置(6)的图像数据为基础，以个数计算部(7)计算在形成有金属薄膜的温度测定构件1受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器(8)中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部(9)求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1331271C
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200480003063.7
申请日：2004-01-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: H01P3/165 , H01P11/006 , Y10T428/24182
Abstract: 本发明提供了一种介电线，其具有足够的强度，并适于批量生产，以及提供了一种该介电线的制造方法。该制造方法是一种用于制造介电线的制造方法，该介电线具有介电带和介电层，介电带位于两个大致相互平行的导电板之间，并且介电带具有比导电板窄的宽度，介电层填充在两个导电板之间除了介电带以外的其它部分，该介电层由介电常数比介电带的介电常数小的多孔材料组成。该介电线(NRD波导)通过下列步骤制成：使用介电原材料在导电板之一上形成薄膜的薄膜成形步骤；将介电原材料的上述薄膜的一部分暴露到预定的光线、光束以及蒸汽下的带暴露步骤，其中该部分具有相应于介电带的形状；以及使得介电原材料整个薄膜多孔的孔成形步骤。
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公开(公告)号：CN103972246A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410205558.3
申请日：2010-07-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: H01L27/12 , H01L29/786 , H01L29/49
CPC classification number: H01L29/7869 , G02F2001/136295 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L29/45 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种密接性优良，且能够实现低电阻、低接触电阻的新的布线结构。本发明的布线结构在基板上从基板侧起依次具备布线膜、和薄膜晶体管的半导体层，上述半导体层由氧化物半导体构成。
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公开(公告)号：CN103597361A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201280028857.3
申请日：2012-06-15
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: G01R1/067 , C23C14/025 , C23C14/0605 , G01R1/06738 , G01R1/06755
Abstract: 提供一种电接触构件，其能够实现与被测体的低附着性，并且能够长期保持稳定的导电性，特别是在大约85℃左右的高温下的反复接触和大气中长期放置后，也能够实现与被测体的低附着性，并且能够抑制接触电阻的上升，能够长期保持稳定的电接触。本发明涉及与被测体反复接触的电接触构件，其中，与被测体接触的电接触构件的表面，由含有Pd的碳被膜构成。
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公开(公告)号：CN101344438B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200810135718.6
申请日：2008-07-03
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明提供一种不需要外部配线，也没有杂质和粉尘发生，能够进行从低温至高温的广阔的温度范围中的最高到达温度的测定的温度测定构件、温度测定装置和温度测定方法。本发明构成如下：以经由CCD照相机4和IO板5被输出到运算处理装置6的图像数据为基础，以个数计算部7计算在形成有金属薄膜的温度测定构件1受到的热过程下致使在金属薄膜上生成的突起的形状的面密度，根据该面密度和预先收纳在存储器8中的最高到达温度与面密度相关的数据，由温度计算部9求得被测温对象的最高到达温度。另外，本发明构成如下：使用在基板上成膜铝薄膜而成的温度测定构件，测定伴随该温度测定无件受到的温度过程而在薄膜表面所形成的突起引起的薄膜的反射率的降低量，基于此反射率的降低量，推定温度过程之中最高到达温度。
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公开(公告)号：CN100521077C
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200610171976.0
申请日：2006-09-29
Applicant: 株式会社神户制钢所 , 国立大学法人京都大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/48 , H01L21/31 , H01L21/316 , H01L23/498 , H01L23/12 , H05K1/02 , H05K1/03 , H05K3/00 , H01P3/08 , H01P11/00
CPC classification number: H05K3/0011 , B32B21/04 , H05K1/024 , H05K1/0306 , H05K2201/0116 , Y10T428/249953 , Y10T428/249969
Abstract: 一种多孔基板，包括：在基板内部的三维网状骨架、以及与在基板至少一个表面上形成的骨架固相质量相同的表层，并且其制造方法包括：通过溶胶-凝胶反应在一对平板之间的空间中形成湿凝胶，该湿凝胶具有三维网状骨架固相和富含溶剂的液相，所述固相和液相相互分离，通过干燥去除湿凝胶中的溶剂，和除去该对平板中的至少一个平板。
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