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公开(公告)号：CN102575349B
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201080045649.5
申请日：2010-10-01
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/503 , C23C16/4412 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/54 , C23C16/545 , H01J37/32036 , H01J37/32366 , H01J37/32513 , H01J37/3266 , H01J37/3277 , H05H1/24 , H05H1/46 , H05H2001/4645 , H05H2001/485
Abstract: 本发明的等离子体CVD装置(1)包括：真空室(3)；一对成膜辊(2、2)，配置在真空室(3)内，与交流电源(8)的两极连接并且基材(W)缠挂在该对成膜辊上；气体供给装置(5)，向较连结一对成膜辊(2、2)的旋转中心的线靠一侧的区域的一部分或全部即成膜区域(D)供给包含原料气体的气体；以及磁场发生装置(7)，通过交流电源(8)向各成膜辊(2、2)分别施加交流电源形成将既定区域的原料气体等离子体化的磁场，该磁场发生装置(7)将与一对成膜辊(2、2)中位于成膜区域(D)内的部位的表面邻接的区域的原料气体等离子体化而形成等离子体区域(P)，基材(W)以通过等离子体区域(P)的方式缠挂在一对成膜辊(2、2)上。
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公开(公告)号：CN1516750A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN02811894.4
申请日：2002-06-05
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/511 , B01J19/08 , C03B37/018 , H05H1/46
CPC classification number: H05H1/46 , C03B37/0183 , C03B37/01884 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01J37/32522 , H05B6/701 , H05H2001/4622 , H05H2001/463
Abstract: 是从设置在环状波导管(5)的内周部的天线(20)向配置在环状波导管(5)的内侧的反应室(2)内提供微波功率，并在前述反应室(2)内部产生等离子，从而利用气相生长合成法成膜的等离子CVD装置，在该装置上，在前述环状波导管(5)与反应室(2)之间配置冷却装置(27)，是将前述环状波导管(5)的温度保持在低温的构成。
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公开(公告)号：CN109778149A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811317375.5
申请日：2018-11-07
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/515 , C23C16/503 , C23C16/30 , C23C16/54 , H01L51/50 , H01L51/56
Abstract: 提供一种对于水蒸汽的阻隔性能提高的阻气膜、气体阻隔性薄膜和该气体阻隔性薄膜的制造方法。本发明的一个方式的阻气膜，至少含有氧、硅和碳，在由衰减全反射法得到的光谱中，处于3400cm－1附近由O－H键引起的峰值的强度相对于处于1000cm－1附近由Si－O键引起的峰值强度的比为0.019以下。本发明的另一方式的气体阻隔性薄膜，具备基材、和层叠在该基材的一侧的面上的上述阻气膜。本发明再一方式的气体阻隔性薄膜的制造方法，具备如下工序：使用配置在真空室内、且具备一对成膜辊和气体供给部的成膜装置，将基材卷绕到上述一对成膜辊上的工序；通过等离子体化学气相沉积法使上述阻气膜层叠在上述基材上的工序。
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公开(公告)号：CN108146047A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201711002028.9
申请日：2017-10-24
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: B32B27/36 , B32B27/06 , B32B33/00 , B32B37/00 , B32B38/00 , B32B38/18 , C23C16/34 , C23C16/513 , H01L51/50
Abstract: 本发明其课题在于，提供一种既具有充分的阻气性，翘曲又小的氮化硅层叠膜。本发明的氮化硅层叠膜，其特征在于，是具备柔性基材、和形成于所述柔性基材的至少一侧的表面的单层或多层的薄膜层的氮化硅层叠膜，所述单层或多层的薄膜层之中至少1层的特定薄膜层含有硅、氮和氢，表示所述特定薄膜层内的膜厚方向位置与氢原子的含量的关系的氢分布曲线具有至少1个极大点和至少1个极小点。
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公开(公告)号：CN103215573B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310024257.6
申请日：2013-01-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/042 , C23C16/401 , C23C16/50 , H01J37/3266 , H01J37/3277
Abstract: 本发明提供一种真空成膜装置。本发明的真空成膜装置具备：真空腔室；成膜辊，配置在真空腔室内，并且卷挂作为成膜对象的片状的基材；磁场产生部，设在成膜辊的内部，在该成膜辊的表面上形成磁场；磁场产生部具有内侧磁铁和外侧磁铁，所述内侧磁铁沿着成膜辊的轴向配置，所述外侧磁铁具有与内侧磁铁相反的极性，以环状包围内侧磁铁；内侧磁铁在从基材的成膜面观察的投影中，形成为与在成膜辊上卷挂着基材（W）的范围的宽度相比沿着成膜辊的轴向宽度较窄，并且配置在卷挂基材（W）的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103210117B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201180052015.7
申请日：2011-10-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/4401 , C23C16/50 , H01J37/3277
Abstract: 提供一种防止向原料气体的供给部的不需要的成膜而抑制薄片的产生从而能够进行品质优异的CVD被膜的成膜的等离子CVD装置。该等离子CVD装置具有真空腔、将真空腔内真空排气的真空排气装置、设置于真空腔内而卷挂基材的成膜辊、向真空腔内供给原料气体的气体供给部、在成膜辊的表面附近形成等离子产生区域而在基材上进行成膜的等离子电源。气体供给部设置于隔着成膜辊而位于与上述等离子产生区域相反侧的等离子非产生区域。
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公开(公告)号：CN103249865B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201180060443.4
申请日：2011-11-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/503 , C23C16/54 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/4588 , C23C16/503 , C23C16/54 , H01J37/32018 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/3277 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2245/123
Abstract: 本发明具备：真空腔室（4）；配置在该真空腔室（4）内，并且对作为成膜对象的基材（W）进行卷挂的一对成膜辊（2、2）；以及通过在成膜辊（2）的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊（2）卷挂的基材（W）上形成皮膜的成膜区域的磁场生成部（8、15），一对成膜辊（2、2）由第一成膜辊（2）和第二成膜辊（2）构成，所述第二成膜辊（2）以轴心与该第一成膜辊（2）相互平行的方式与该第一成膜辊（2）空开间隔进行设置，磁场生成部（8、15）以如下方式配置，即，作为成膜区域，在一对成膜辊（2、2）之间的相向空间（3）内形成第一成膜区域（19），并且在该相向空间（3）以外的空间的、与成膜辊（2）的表面邻接的区域形成第二成膜区域（20）。
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公开(公告)号：CN103249865A
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN201180060443.4
申请日：2011-11-25
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/503 , C23C16/54 , H05H1/46
CPC classification number: C23C16/50 , C23C16/4588 , C23C16/503 , C23C16/54 , H01J37/32018 , H01J37/32568 , H01J37/32669 , H01J37/32752 , H01J37/32761 , H01J37/3277 , H01J2237/3321 , H05H1/46 , H05H2245/123
Abstract: 本发明具备：真空腔室（4）；配置在该真空腔室（4）内，并且对作为成膜对象的基材（W）进行卷挂的一对成膜辊（2、2）；以及通过在成膜辊（2）的表面产生使等离子体发生的磁场，从而形成在被该成膜辊（2）卷挂的基材（W）上形成皮膜的成膜区域的磁场生成部（8、15），一对成膜辊（2、2）由第一成膜辊（2）和第二成膜辊（2）构成，所述第二成膜辊（2）以轴心与该第一成膜辊（2）相互平行的方式与该第一成膜辊（2）空开间隔进行设置，磁场生成部（8、15）以如下方式配置，即，作为成膜区域，在一对成膜辊（2、2）之间的相向空间（3）内形成第一成膜区域（19），并且在该相向空间（3）以外的空间的、与成膜辊（2）的表面邻接的区域形成第二成膜区域（20）。
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公开(公告)号：CN103215573A
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN201310024257.6
申请日：2013-01-23
Applicant: 株式会社神户制钢所
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/042 , C23C16/401 , C23C16/50 , H01J37/3266 , H01J37/3277
Abstract: 本发明提供一种真空成膜装置。本发明的真空成膜装置具备：真空腔室；成膜辊，配置在真空腔室内，并且卷挂作为成膜对象的片状的基材；磁场产生部，设在成膜辊的内部，在该成膜辊的表面上形成磁场；磁场产生部具有内侧磁铁和外侧磁铁，所述内侧磁铁沿着成膜辊的轴向配置，所述外侧磁铁具有与内侧磁铁相反的极性，以环状包围内侧磁铁；内侧磁铁在从基材的成膜面观察的投影中，形成为与在成膜辊上卷挂着基材（W）的范围的宽度相比沿着成膜辊的轴向宽度较窄，并且配置在卷挂基材（W）的范围内。
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公开(公告)号：CN103210117A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201180052015.7
申请日：2011-10-27
Applicant: 株式会社神户制钢所
IPC: C23C16/44
CPC classification number: C23C16/545 , C23C16/4401 , C23C16/50 , H01J37/3277
Abstract: 提供一种防止向原料气体的供给部的不需要的成膜而抑制薄片的产生从而能够进行品质优异的CVD被膜的成膜的等离子CVD装置。该等离子CVD装置具有真空腔、将真空腔内真空排气的真空排气装置、设置于真空腔内而卷挂基材的成膜辊、向真空腔内供给原料气体的气体供给部、在成膜辊的表面附近形成等离子产生区域而在基材上进行成膜的等离子电源。气体供给部设置于隔着成膜辊而位于与上述等离子产生区域相反侧的等离子非产生区域。
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