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公开(公告)号:CN118610184A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410073780.6
申请日:2024-01-18
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/56
Abstract: 半导体装置及其制造方法。半导体装置具备与第1连接对象(12a、15)连接的第1引出布线(18、25、31、32)以及与第2连接对象(12b、16)连接的第2引出布线(19、26、30)。第1引出布线具备与第1连接对象连接的第1连接部(18a)、从封固树脂(27)露出的第1顶部(18c)以及相对于一面(11a)倾斜并将第1连接部及第1顶部连结的第1立设部(18b)。第2引出布线具备与第2连接对象连接的第2连接部(19a)、从封固树脂露出的第2顶部(19c)以及相对于一面倾斜并将第2连接部及第2顶部连结的第2立设部(19b)。第1顶部和第2顶部相互对置而配置。
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公开(公告)号:CN110024266A
公开(公告)日:2019-07-16
申请号:CN201780072872.0
申请日:2017-11-16
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 作为旋转电机的电动发电机(5)具有壳体(10)、轴(15)、转子(16)、定子(20)。定子(20)具有定子铁芯(21)以及三相的绕组。定子铁芯(21)形成有沿周向排列的多个切槽。三相的绕组卷绕于定子铁芯(21)。设与三相对应的绕组为第一绕组、第二绕组及第三绕组。第一绕组的一端设置于比将切槽在定子(20)的径向分割为两部分的分割线更靠定子(20)的径向外侧。第二绕组的一端设置于比分割线更靠定子(20)的径向内侧。第三绕组的一端至少隔着一个切槽,相对于定子(20)的径向设置于第一绕组的一端与第二绕组的一端之间。
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公开(公告)号:CN1925169B
公开(公告)日:2010-08-04
申请号:CN200610126666.7
申请日:2006-08-31
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/049 , H01L29/045 , H01L29/0847 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/66068 , H01L29/78 , H01L29/7828 , H01L29/7838
Abstract: 一种具有MOS结构的碳化硅半导体器件,包括:衬底(1、31、61);在所述衬底(1、31、61)中的沟道区(2、34、64);第一杂质区(4、36、66、67);第二杂质区(5、37、73);在所述沟道区(2、34、64)上的栅极绝缘膜(6、38、68);以及在所述栅极绝缘膜(6、38、68)上的栅极(7、35、65);所述沟道区(2、34、64)提供电流通路。所述沟道区(2、34、64)与所述栅极绝缘膜(6、38、68)彼此之间具有界面。所述界面包含由氢原子或羟基终止的悬挂键。所述界面具有等于或大于2.6×1020cm-3的氢浓度。
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