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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111463277B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202010050572.6
申请日：2020-01-17
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 一种半导体器件包括倒置型半导体元件，该倒置型半导体元件包括：半导体衬底(1)；形成于半导体衬底上的第一导电类型层(2)；形成于第一导电类型层上并包括线性形状部分的电场阻挡层(4)；形成于第一导电类型层上并具有线性形状部分的JFET(3)部分；形成于电场阻挡层和JFET部分上的电流分散层(5)；形成于电场阻挡层和JFET部分上的深层(7)；形成于电流分散层和深层上的基区(6)；形成于基区上的源区(8)；包括栅极沟槽(11)、栅极绝缘膜(12)和栅电极缘(14)；源电极(15)；以及形成于半导体衬底的背表面侧上的漏电极(16)。(13)并布置成条形形状的沟槽栅极结构；层间绝
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公开(公告)号：CN113826213B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202080036895.8
申请日：2020-05-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 通过用外延层构成源极区域(4)，减小基极区域(3)的厚度的不均，抑制阈值Vt的不均。此外，关于栅极沟槽(6)的侧面，在单元部(RC)的外侧，与单元部内的源极区域中的与基极区域相接的由外延层构成的部分相比，相对于衬底(1)的主表面的法线方向倾斜。由此，使得栅极绝缘膜单元部的外部也成为厚度较厚的厚膜部。(7)即使在单元部内成为厚度较薄的薄膜部，在
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公开(公告)号：CN115881787A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211183593.0
申请日：2022-09-27
IPC: H01L29/41 , H01L23/488 , H01L29/06 , H01L29/40
Abstract: 一种半导体器件包括：具有半导体元件和表面电极的有源区，表面电极由布线电极材料提供，并且在与所述半导体芯片的表面相邻的一侧上连接到所述半导体元件；和焊盘设置区，其具有由布线电极材料提供的焊盘。焊盘设置区在垂直于半导体芯片表面的方向上与有源区重叠。在焊盘设置区与有源区重叠的部分，焊盘通过隔离绝缘膜布置在表面电极上，使布线电极材料为两层，以提供双层布线电极结构。在有源区不与焊盘设置区重叠的部分，表面电极具有由单层布线电极材料组成的单层布线电极结构。
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公开(公告)号：CN113826213A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202080036895.8
申请日：2020-05-22
Applicant: 株式会社电装
Abstract: 通过用外延层构成源极区域(4)，减小基极区域(3)的厚度的不均，抑制阈值Vt的不均。此外，关于栅极沟槽(6)的侧面，在单元部(RC)的外侧，与单元部内的源极区域中的与基极区域相接的由外延层构成的部分相比，相对于衬底(1)的主表面的法线方向倾斜。由此，使得栅极绝缘膜(7)即使在单元部内成为厚度较薄的薄膜部，在单元部的外部也成为厚度较厚的厚膜部。
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公开(公告)号：CN102844867A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201280001099.6
申请日：2012-02-06
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/66
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66348 , H01L29/7397
Abstract: 一种SiC器件包括反型MOSFET，其具有：按照顺序叠置的衬底（1）、漂移层（2）以及基底区域（3）；基底区域（3）的上部中的源极和接触区域（4、5）；穿透源极和基底区域（4、3）的沟槽（6）；沟槽（6）中的栅极绝缘膜（8）上的栅电极（9）；与源极和基底区域（4、3）耦合的源电极（11）；衬底（1）的背面上的漏电极（13）；以及多个深层（10），所述深层位于漂移层（2）的上部中、比沟槽（6）更深、并且在与沟槽的纵向方向交叉的方向上延伸。每个深层（10）在深度方向上具有杂质浓度分布，并且在施加栅电压时，在沟槽侧上的深层（10）的一部分中提供反型层。
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