公开(公告)号：CN113539927B

公开(公告)日：2024-08-02

申请号：CN202110389082.3

申请日：2021-04-12

Applicant: 株式会社电装 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 小岛淳 ,  笹冈千秋 ,  恩田正一 ,  长屋正武 ,  原一都 ,  河口大祐

IPC: H01L21/683

Abstract: 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。

公开(公告)号：CN116504606A

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202310055335.2

申请日：2023-01-18

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 长屋正武 ,  中林正助 ,  河口大祐 ,  油井俊树 ,  笹冈千秋 ,  恩田正一 ,  小岛淳

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78 ,  C30B29/40 ,  C30B33/00 ,  B23K26/00

Abstract: 制造氮化镓衬底的方法包括制备氮化镓晶片、形成转换层和形成氮化镓衬底。氮化镓具有第一主表面和第二主表面，所述第二主表面在与所述第一主表面相对的一侧上。所述氮化镓晶片由六方晶体制成，并且所述第一主表面和所述第二主表面中的每一个都是所述六方晶体的{1‑100}m‑平面。通过将激光束发射到所述氮化镓晶片中，沿着所述氮化镓晶片的平面方向形成所述转换层。通过在所述转换层处分割所述氮化镓晶片来由所述氮化镓晶片形成所述氮化镓衬底。在所述转换层的形成中，发射所述激光束以形成用于形成所述转换层的照射标记。

公开(公告)号：CN115966589A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211136290.3

申请日：2022-09-19

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  浜松光子学株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 长屋正武 ,  渡边弘纪 ,  大原淳士 ,  河口大祐 ,  原佳祐 ,  笹冈千秋 ,  小岛淳 ,  恩田正一

IPC: H01L29/04 ,  H01L29/20 ,  H01L23/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/78 ,  B23K26/00

Abstract: 一种半导体芯片包括构成芯片的基板(110)，其具有一个表面(110a)、与所述一个表面相反的另一表面(110b)、以及连接所述一个表面和所述另一表面的两对相反侧表面(110c)。所述一个表面和所述另一表面沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的一个。两对相反侧表面中的一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另一个。两对相反侧表面中的另一对沿着{0001}c‑平面、{1‑100}m‑平面和{11‑20}a‑平面中的另外一个。所述侧表面包括在作为侧表面的法线方向的深度方向上的表面层部分中包含氧化镓和镓金属的改变层(120)。

公开(公告)号：CN105074059A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201480009593.6

申请日：2014-01-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 近藤宏行 ,  恩田正一 ,  木藤泰男 ,  渡边弘纪

IPC: C30B29/36

CPC classification number: C30B29/36 ,  C01B32/956 ,  C30B23/00 ,  C30B23/025

Abstract: 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11-20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。