公开(公告)号：CN1715854A

公开(公告)日：2006-01-04

申请号：CN200510081079.6

申请日：2005-06-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 丰田稻男

IPC: G01L9/04

CPC classification number: G01L9/0055

Abstract: 一种压力传感器，包括：金属杆(10)，其具有根据施加的压力而变形的隔膜片(11)；以及半导体基板(20)，其中绝缘层(23)插入在第一和第二半导体层(21、22)之间。多个应变片(24)形成在半导体基板的第一半导体层的预定区域，用于将隔膜片的弯曲转变为电信号。在该压力传感器中，所述应变片具有这样的图案形状，所述图案形状彼此之间被沟槽(25)绝缘且间隔开，其中每个沟槽都从第一半导体层的表面延伸到绝缘层。此外，所述半导体基板具有凹槽部分(28)，其从第二半导体层的表面凹向绝缘层，且被设置在对应于预定区域的位置处。所述隔膜片插入在凹槽部分中，且所述绝缘层在凹槽部分中连接在隔膜片的表面上。

公开(公告)号：CN1527039A

公开(公告)日：2004-09-08

申请号：CN200410007486.8

申请日：2004-03-05

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 胜间田卓 ,  丰田稻男 ,  田中宏明

IPC: G01L1/22

CPC classification number: G01L1/2281 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/065

Abstract: 一种半导体压力传感器包括：半导体衬底(10)，该衬底具有用于接受压力的隔膜(30)和用于检测对应该压力的隔膜(30)的变形的桥电路。该桥电路包括一对第一测量电阻器(41、44)和一对第二测量电阻器(42a、43a)。第一测量电阻器(41、44)设置在隔膜(30)的中心，第二测量电阻器(42a、43a)设置在隔膜(30)的周边。每个第一测量电阻器(41、44)的第一电阻(RA、RD)大于每个第二测量电阻器(42a、43a)的第二电阻(RB1、RC1)。提高了该传感器的TNO特性，因此该传感器具有高检测精度。

公开(公告)号：CN1445538A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN03107340.9

申请日：2003-03-20

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 浜本和明 ,  丰田稻男

IPC: G01N27/22

CPC classification number: G01N27/225

Abstract: 电容型湿度传感器包括衬底(10)、两个电极(31、32)、钝化层(40)和一个湿度敏感层(50)。两个电极(31、32)配置于衬底(10)上并在同一平面上，而且是互相对向设置，中间有一个间隔。钝化层(40)覆盖两个电极(31、32)。湿度敏感层(50)配置于间隔上或间隔之间，并且湿度敏感层(50)的介电常数相应于湿度而改变。随着间隔的加宽，湿度传感器中的滞后减小。特别是，当间隔等于钝化层(40)两倍或更大时，滞后可减小到小于相对湿度的10％RH。

公开(公告)号：CN100527372C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200380100334.6

申请日：2003-12-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明 ,  丰田稻男 ,  渡边善文 ,  近藤市治 ,  真山惠次 ,  阿部吉次

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/84 ,  C23C18/16

CPC classification number: G01L19/147 ,  B81B7/0012 ,  B81B2207/07 ,  G01F1/34 ,  G01F1/692 ,  G01F15/006 ,  G01L19/0645 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。

公开(公告)号：CN100417928C

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200510081079.6

申请日：2005-06-29

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 丰田稻男

IPC: G01L9/04

Abstract: 一种压力传感器，包括：金属杆(10)，其具有根据施加的压力而变形的隔膜片(11)；以及半导体基板(20)，其中绝缘层(23)插入在第一和第二半导体层(21、22)之间。多个应变片(24)形成在半导体基板的第一半导体层的预定区域，用于将隔膜片的弯曲转变为电信号。在该压力传感器中，所述应变片具有这样的图案形状，所述图案形状彼此之间被沟槽(25)绝缘且间隔开，其中每个沟槽都从第一半导体层的表面延伸到绝缘层。此外，所述半导体基板具有凹槽部分(28)，其从第二半导体层的表面凹向绝缘层，且被设置在对应于预定区域的位置处。所述隔膜片插入在凹槽部分中，且所述绝缘层在凹槽部分中连接在隔膜片的表面上。

公开(公告)号：CN1247974C

公开(公告)日：2006-03-29

申请号：CN200410004162.9

申请日：2004-02-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小田辉夫 ,  丰田稻男

IPC: G01L9/04 ,  G01L23/22 ,  G01L23/18

CPC classification number: G01L23/08 ,  G01L9/006

Abstract: 本发明公开了一种压力探测器，例如燃烧压力传感器，其包括一个安置在圆筒形外壳中的压力敏感元件。响应施加于压力敏感元件上压力的电信号，在该元件内产生并通过导电线路图传到输出端子，所述导电线路图形成在压力敏感元件和输出端子之间的连接部件的表面上。导电线路图也可以形成在连接部件表面上的凹槽内。可以使用由各向异性的导电材料制作的薄圆盘形的导电部件替代连接部件。

公开(公告)号：CN1707232A

公开(公告)日：2005-12-14

申请号：CN200510076572.9

申请日：2005-06-10

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小田辉夫 ,  丰田稻男

IPC: G01L9/04

Abstract: 一个杆状压力传递元件(80)的一端设置在传感单元(20)中，另一端伸入并穿过发动机(200)的插入孔(201)中。该杆状元件(80)的所述另一端所暴露在的燃烧压力通过压力传递元件(80)传递给传感单元(20)以检测该燃烧压力。该压力传递元件(80)以发动机(200)的爆震频率fn共振，并且可基于该压力传递元件(80)的共振来检测该爆震频率fn。

公开(公告)号：CN1692484A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100334.6

申请日：2003-12-24

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 田中宏明 ,  丰田稻男 ,  渡边善文 ,  近藤市治 ,  真山惠次 ,  阿部吉次

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  H01L29/84 ,  C23C18/16

CPC classification number: G01L19/147 ,  B81B7/0012 ,  B81B2207/07 ,  G01F1/34 ,  G01F1/692 ,  G01F15/006 ,  G01L19/0645 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48799 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00015

Abstract: 一种电镀半导体晶片同时维持所镀薄膜厚度均匀的方法，防止在晶片背面淀积并且防止在后续步骤中污染。在半导体晶片的铝电极上间接形成连接端子，在晶片背面由绝缘体覆盖的情况下进行非电解地电镀。优选的是，所述绝缘体是作为构成产品一部分的玻璃衬底。半导体型传感器展现了对腐蚀介质提高了的耐腐蚀性。在半导体衬底上，所述半导体型传感器具有用于检测腐蚀介质的物理量或者化学成分的结构部分以及电量转换元件，并且具有多个焊点，所述焊点是用于向外部单元发送检测到的电信号的输出端子，其中所述焊点利用贵重金属保护。

公开(公告)号：CN1681142A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN200510065121.5

申请日：2005-04-08

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 寺亮之介 ,  丰田稻男 ,  铃木康利

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC classification number: G11B5/39 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种隧道磁阻(TMR)器件，其具有包含一个下端电极层、一个钉扎层、一个隧道势垒层、一个自由层和一个上端电极层的结构，其可在基底上连续地形成。该隧道势垒层基本上具有化学计量组成。该隧道势垒层可为由ALD法形成的氧化铝薄膜。

公开(公告)号：CN1523333A

公开(公告)日：2004-08-25

申请号：CN200410004162.9

申请日：2004-02-13

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 小田辉夫 ,  丰田稻男

IPC: G01L9/04 ,  G01L23/22 ,  G01L23/18

CPC classification number: G01L23/08 ,  G01L9/006

Abstract: 本发明公开了一种压力探测器，例如燃烧压力传感器，其包括一个安置在圆筒形外壳中的压力敏感元件。响应施加于压力敏感元件上压力的电信号，在该元件内产生并通过导电线路图传到输出端子，所述导电线路图形成在压力敏感元件和输出端子之间的连接部件的表面上。导电线路图也可以形成在连接部件表面上的凹槽内。可以使用由各向异性的导电材料制作的薄圆盘形的导电部件替代连接部件。