公开(公告)号：CN106661760A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201580033965.3

申请日：2015-07-01

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也 ,  山冈优 ,  渡边诚

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

CPC classification number: C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 提供一种线状凹坑少的氧化镓衬底。能够获得单晶表面的线状凹坑的密度的平均值在1000个/cm2以下的氧化镓衬底。

公开(公告)号：CN105102694A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201480020148.X

申请日：2014-03-31

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 渡边信也 ,  饭塚和幸 ,  土井冈庆 ,  松原春香 ,  增井建和

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

CPC classification number: C30B15/34 ,  C30B15/04 ,  C30B29/16

Abstract: 提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法，其能够使晶体结构的偏差较小的高质量的β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长。在一实施方式中，提供一种β-Ga2O3系单晶的生长方法，其包括：使用晶种，使添加有Sn的平板状β-Ga2O3系单晶朝b轴方向生长的步骤。

公开(公告)号：CN104364883A

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201380028938.8

申请日：2013-05-27

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 饭冢和幸 ,  渡边信也 ,  舆公祥 ,  胁本大树 ,  山下佳弘 ,  佐藤慎九郎

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/18 ,  C30B29/38 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L29/2003 ,  C30B25/183 ,  C30B25/186 ,  C30B29/16 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02414 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供具有Ga2O3基板和Ga2O3基板上的晶体品质高的氮化物半导体层的半导体层叠结构体及包括该半导体层叠结构体的半导体元件。在一个实施方式中，提供半导体层叠结构体(1)，其具有：β-Ga2O3基板(2)，其包含将从(-201)面朝向[102]方向倾斜的面作为主面(2a)的β-Ga2O3晶体；以及氮化物半导体层(4)，其包含在β-Ga2O3基板(2)的主面(2a)上通过晶体外延生长而形成的AlxGayInzN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶体。

公开(公告)号：CN109898135A

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201910106987.8

申请日：2015-07-01

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 舆公祥 ,  渡边信也 ,  山冈优 ,  渡边诚

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

Abstract: 一种β－Ga2O3系单晶衬底的制造方法，包含以下工序：在包含惰性气体、以及与所述惰性气体的流量比为0～2％的氧的环境中，通过EFG法培养线状凹坑的密度的平均值为1000个/cm2以下的β－Ga2O3系单晶的工序；以及从所述β－Ga2O3系单晶截出β－Ga2O3系单晶衬底的工序，在培养所述β－Ga2O3系单晶的工序中，根据所述β－Ga2O3系单晶中的有效载流子浓度将所述流量比在0～2％的范围内设定为规定的值。

公开(公告)号：CN103958746A

公开(公告)日：2014-07-30

申请号：CN201280055743.8

申请日：2012-11-12

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  株式会社光波

Inventor： 兴公祥 ,  松原春香 ,  渡边信也

IPC: C30B29/16 ,  C30B15/34

CPC classification number: C30B15/34 ,  C30B15/36 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明提供一种能够有效地抑制双晶化的β-Ga2O3系单晶的生长方法。本发明的一个实施方式提供一种β-Ga2O3系单晶(25)的生长方法，是使用EFG法的β-Ga2O3系单晶(25)的生长方法，包括使晶种(20)与Ga2O3系熔液(12)接触的工序，以及提拉晶种(20)，且不进行缩颈工序地使β-Ga2O3系单晶(25)生长的工序；在全部方向β-Ga2O3系单晶(25)的宽度为晶种(20)的宽度的110％以下。