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公开(公告)号：CN103782394B
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201280041154.4
申请日：2012-08-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/022425 , H01L31/035218 , H01L31/06 , Y02E10/50
Abstract: 在基板(1)上形成由Al-Nd等构成的阴极(2)，并且在阴极(2)的主面上依次形成由n型Si等构成的电子输送层(3)、由石墨烯等构成的量子点排列层(4)、量子点层(5)、由p型Si等构成的空穴输送层(6)、以及由ITO等构成的阳极(7)，并且在所述阳极(7)上形成了引出电极(8a)、(8b)使得该阳极(7)的至少一部分表面露出。对于量子点层(5)，量子点由Si团簇粒子形成，并且该Si团簇粒子被三维地周期排列，对于Si团簇粒子，平均粒径为3nm以下，Si团簇粒子彼此的粒子间距离为1nm以下。由此实现吸收系数良好且载流子输运特性优异、能量变换效率良好的高效率的太阳能电池及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107852449A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680040944.9
申请日：2016-06-30
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种振动装置，能不对压电振子施加较大负荷，有利地去除附着在外罩、镜头上的水滴等。振动装置(2)使用于具有透镜(9)的摄像头主体。振动装置具有：设有压电振子(15)的筒状振动体部(12)；与筒状振动体部(12)的一端连结的筒状的模式转换结合部(21)；以及与模式转换结合部(21)接合的透光体部(22)。透光体部(22)具有配置在透镜(9)的前方的透光性部分。模式转换结合部(21)具有与筒状振动体部(12)相比、厚度较薄的薄壁部。
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公开(公告)号：CN104471675B
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201380034371.5
申请日：2013-06-14
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/027 , G03F9/00 , H01L21/3065
CPC classification number: H01G4/12 , G03F9/7076 , G03F9/708 , H01G4/33 , H01L21/31144 , H01L28/82
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够将损伤较少的对准标记用于蚀刻时的光掩膜的定位的薄膜层叠元件的制造方法。本发明的薄膜层叠元件的制造方法具备：第二工序，在该第二工序中通过使用了光蚀刻法的蚀刻来在薄膜层叠体(7)上形成元件部(10)以及对准标记；以及第三工序，在该第三工序中具有：在薄膜层叠体(7)上涂覆感光性抗蚀剂的步骤、将具有对准图案的光掩膜通过对准图案与在前面的工序中形成的对准标记的位置匹配来配置在感光性抗蚀剂上的步骤、对感光性抗蚀剂曝光并显影的步骤、以及通过对涂覆了感光性抗蚀剂的薄膜层叠体蚀刻来在薄膜层叠体上形成元件部以及对准标记的步骤。
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公开(公告)号：CN104067376B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201480000577.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
CPC classification number: H01L29/866 , H01L27/0676 , H01L28/40
Abstract: 复合电子部件(100)的特征在于：具备由Si基板(1)、薄膜电容(8)、Si基板(1)和半导体薄膜层(13)构成的齐纳二极管(14)，Si基板(1)的载流子浓度比半导体薄膜层(13)的载流子浓度小。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104067376A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201480000577.0
申请日：2014-01-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/329 , H01L29/861 , H01L29/866 , H01L29/868
CPC classification number: H01L29/866 , H01L27/0676 , H01L28/40
Abstract: 复合电子部件(100)的特征在于：具备由Si基板(1)、薄膜电容(8)、Si基板(1)和半导体薄膜层(13)构成的齐纳二极管(14)，Si基板(1)的载流子浓度比半导体薄膜层(13)的载流子浓度小。
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公开(公告)号：CN103782394A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201280041154.4
申请日：2012-08-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L31/04 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/035236 , H01L31/022425 , H01L31/035218 , H01L31/06 , Y02E10/50
Abstract: 在基板(1)上形成由Al—Nd等构成的阴极(2)，并且在阴极(2)的主面上依次形成由n型Si等构成的电子输送层(3)、由石墨烯等构成的量子点排列层(4)、量子点层(5)、由p型Si等构成的空穴输送层(6)、以及由ITO等构成的阳极(7)，并且在所述阳极(7)上形成了引出电极(8a)、(8b)使得该阳极(7)的至少一部分表面露出。对于量子点层(5)，量子点由Si团簇粒子形成，并且该Si团簇粒子被三维地周期排列，对于Si团簇粒子，平均粒径为3nm以下，Si团簇粒子彼此的粒子间距离为1nm以下。由此实现吸收系数良好且载流子输运特性优异、能量变换效率良好的高效率的太阳能电池及其制造方法。
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公开(公告)号：CN101896985B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200880120325.6
申请日：2008-11-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01G4/12 , H01G13/00 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/228 , H01G4/306 , H01L27/016 , H01L28/91
Abstract: 本发明提供一种能减少电极层和电介质层的蚀刻次数的薄膜叠层电容器的制造方法。在基板(12)上形成交替地层叠有4层以上的n层电极层(30)和(n-1)层的电介质层(40)的电容器部(18)，从同一侧进行共计k次的蚀刻，在第i次蚀刻中，在电极层(30)及电介质层(40)的各ai层上形成贯通孔(21x～23x、25x～27x)，将ai中的至少一个设为2以上，并设k＜n-1，在贯通孔的底面，从蚀刻开始侧起使第二层～第n层的电极层(30)露出。
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公开(公告)号：CN102113113A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN200980131166.4
申请日：2009-05-13
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/33 , H01L27/04
CPC classification number: H01L27/016 , H01G4/224 , H01G4/236 , H01G4/33
Abstract: 一种电介质薄膜电容器的制造方法，上述电介质薄膜电容器在导电性基板(1)的一个主面上形成有上部外部电极(15)，在上述导电性基板(1)的另一个主面上形成有下部外部电极(17)。上述制造方法具有将在电介质层(6)的上下两面形成有第1以及第2电极层(5、7)的电容器部(4)形成在导电性基板(1)的一个主面上的电容器部形成工序和形成将第1电极层(5)与导电性基板(1)电连接的基板配线(11)的配线形成工序，在上述电容器形成工序与上述配线形成工序之间包括对上述电容器部(4)进行热处理的热处理工序。由此实现不损失可靠性就能够抑制ESR的增加的电介质薄膜电容器。
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公开(公告)号：CN101896985A
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200880120325.6
申请日：2008-11-04
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01G4/33 , H01G4/12 , H01G13/00 , H01L21/822 , H01L27/04
CPC classification number: H01G4/33 , H01G4/228 , H01G4/306 , H01L27/016 , H01L28/91
Abstract: 本发明提供一种能减少电极层和电介质层的蚀刻次数的薄膜叠层电容器的制造方法。在基板(12)上形成交替地层叠有4层以上的n层电极层(30)和(n-1)层的电介质层(40)的电容器部(18)，从同一侧进行共计k次的蚀刻，在第i次蚀刻中，在电极层(30)及电介质层(40)的各ai层上形成贯通孔(21x～23x、25x～27x)，将ai中的至少一个设为2以上，并设k＜n-1，在贯通孔的底面，从蚀刻开始侧起使第二层～第n层的电极层(30)露出。
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