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    发光器件及发光器件的制造方法
    1.
    发明授权
    发光器件及发光器件的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105900529B

    公开(公告)日：2018-07-06

    申请号：CN201480072569.7

    申请日：2014-12-26

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 村山浩二 ,  宫田晴哉

    IPC: H01L51/54 ,  H05B33/14 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/08 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10

    CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/14 ,  H01L51/502 ,  H01L2933/0033

    Abstract: 在透明基板(1)上形成有阳极(2)、空穴注入层(3)、空穴输送层(4)、发光层(5)、电子输送层(6)以及阴极(7)。发光层(5)是分散有多个量子点(8)而形成的，空穴输送性材料(9)以分散状存在于量子点(8)的间隙。制作使量子点(8)分散的量子点分散溶液和含有可溶于该量子点分散溶液的具有空穴输送性的可溶性空穴输送性材料的空穴输送性溶液，将空穴输送性溶液涂布于空穴注入层(3)上形成空穴输送性涂布膜后，在该空穴输送性涂布膜上涂布量子点分散溶液，使可溶性空穴输送性材料溶解于量子点分散溶液，同时制成空穴输送层(4)和发光层(5)。由此，能够以低成本提高在量子点内的复合概率，实现发光效率、发光色纯度良好且驱动电压可低电压化的发光器件及其制造方法。

    发光器件及发光器件的制造方法
    2.
    发明公开
    发光器件及发光器件的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN105900529A

    公开(公告)日：2016-08-24

    申请号：CN201480072569.7

    申请日：2014-12-26

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 村山浩二 ,  宫田晴哉

    IPC: H05B33/14 ,  B82Y20/00 ,  C09K11/06 ,  C09K11/08 ,  H05B33/22 ,  H05B33/10

    CPC classification number: H01L33/06 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/14 ,  H01L51/502 ,  H01L2933/0033

    Abstract: 在透明基板(1)上形成有阳极(2)、空穴注入层(3)、空穴输送层(4)、发光层(5)、电子输送层(6)以及阴极(7)。发光层(5)是分散有多个量子点(8)而形成的，空穴输送性材料(9)以分散状存在于量子点(8)的间隙。制作使量子点(8)分散的量子点分散溶液和含有可溶于该量子点分散溶液的具有空穴输送性的可溶性空穴输送性材料的空穴输送性溶液，将空穴输送性溶液涂布于空穴注入层(3)上形成空穴输送性涂布膜后，在该空穴输送性涂布膜上涂布量子点分散溶液，使可溶性空穴输送性材料溶解于量子点分散溶液，同时制成空穴输送层(4)和发光层(5)。由此，能够以低成本提高在量子点内的复合概率，实现发光效率、发光色纯度良好且驱动电压可低电压化的发光器件及其制造方法。

    纳米粒子材料和光电转换器件
    4.
    发明授权
    纳米粒子材料和光电转换器件 有权

    公开(公告)号：CN102576746B

    公开(公告)日：2015-05-13

    申请号：CN201080042595.7

    申请日：2010-09-14

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 村山浩二

    IPC: H01L51/42 ,  H01L31/0352

    CPC classification number: H01L31/035218 ,  H01L51/426 ,  H01L2251/552 ,  Y02E10/549

    Abstract: 作为超微粒子的量子点(2)由具有核部(3)和保护该核部(3)的壳部(4)的核-壳结构构成，该壳部(4)的表面被空穴输送性表面活性剂(5)和电子输送性表面活性剂(6)这2种表面活性剂以并存的方式覆盖。另外，空穴输送性表面活性剂(5)具有与量子点(2)的价带发生共振隧穿那样的HOMO能级，电子输送性表面活性剂(6)具有与量子点(2)的导带发生共振隧穿那样的LUMO能级。由此实现载流子的输送效率良好且适用于光电转换器件用途的纳米粒子材料。

    薄膜形成方法和量子点设备
    7.
    发明授权
    薄膜形成方法和量子点设备 有权

    公开(公告)号：CN102666369B

    公开(公告)日：2014-08-27

    申请号：CN201080056814.7

    申请日：2010-12-10

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 村山浩二

    IPC: H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  B82B3/00

    CPC classification number: G06F17/30312 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/127

    Abstract: 在原料溶液制作工序（11）中，制作InP/ZnS分散溶液等原料溶液。在量子点分散溶液制作工序（12）中，在原料溶液中添加电子输送性表面活性剂使电子输送性表面活性剂配位在量子点的表面上（电子输送性表面活性剂添加处理（12a）），真空干燥使分散溶剂蒸发后（真空干燥处理（12b）），使其在含有空穴输送性表面活性剂的溶剂中浸渍，制作用空穴输送性表面活性剂取代了电子输送性表面活性剂的一部分的量子点分散溶液（配体取代处理（12c））。在涂布工序（13）中，在基板上涂布量子点分散溶液同时制作空穴输送层和量子点层，从而获得二层结构的薄膜。由此高效率地制作含有在量子点的表面配位有功能不同的2种表面活性剂的量子点层的薄膜。

    薄膜形成方法和量子点设备
    8.
    发明公开
    薄膜形成方法和量子点设备 有权

    公开(公告)号：CN102666369A

    公开(公告)日：2012-09-12

    申请号：CN201080056814.7

    申请日：2010-12-10

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 村山浩二

    IPC: B82B3/00 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06

    CPC classification number: G06F17/30312 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02557 ,  H01L21/02568 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/127

    Abstract: 在原料溶液制作工序（11）中，制作InP/ZnS分散溶液等原料溶液。在量子点分散溶液制作工序（12）中，在原料溶液中添加电子输送性表面活性剂使电子输送性表面活性剂配位在量子点的表面上（电子输送性表面活性剂添加处理（12a）），真空干燥使分散溶剂蒸发后（真空干燥处理（12b）），使其在含有空穴输送性表面活性剂的溶剂中浸渍，制作用空穴输送性表面活性剂取代了电子输送性表面活性剂的一部分的量子点分散溶液（配体取代处理（12c））。在涂布工序（13）中，在基板上涂布量子点分散溶液同时制作空穴输送层和量子点层，从而获得二层结构的薄膜。由此高效率地制作含有在量子点的表面配位有功能不同的2种表面活性剂的量子点层的薄膜。

    太阳能电池和该太阳能电池的制造方法
    10.
    发明公开
    太阳能电池和该太阳能电池的制造方法 有权

    公开(公告)号：CN103782394A

    公开(公告)日：2014-05-07

    申请号：CN201280041154.4

    申请日：2012-08-21

    Applicant: 株式会社村田制作所

    Inventor： 村山浩二 ,  野村雅信 ,  岩田康嗣 ,  富田加奈子

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/035236 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/035218 ,  H01L31/06 ,  Y02E10/50

    Abstract: 在基板(1)上形成由Al—Nd等构成的阴极(2)，并且在阴极(2)的主面上依次形成由n型Si等构成的电子输送层(3)、由石墨烯等构成的量子点排列层(4)、量子点层(5)、由p型Si等构成的空穴输送层(6)、以及由ITO等构成的阳极(7)，并且在所述阳极(7)上形成了引出电极(8a)、(8b)使得该阳极(7)的至少一部分表面露出。对于量子点层(5)，量子点由Si团簇粒子形成，并且该Si团簇粒子被三维地周期排列，对于Si团簇粒子，平均粒径为3nm以下，Si团簇粒子彼此的粒子间距离为1nm以下。由此实现吸收系数良好且载流子输运特性优异、能量变换效率良好的高效率的太阳能电池及其制造方法。

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