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公开(公告)号:CN1076510C
公开(公告)日:2001-12-19
申请号:CN96116727.0
申请日:1996-12-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器,包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物的介电陶瓷层:(1-α-β){BaO}m·TiO2+α{(1-x)M2O3+xRe2O3}+β(Mn1-y-zNiyCoz)0(0.0025≤α≤0.025;0.0025≤β≤0.05;β/α≤4;0.1≤x≤0.50;0≤y≤0.8;0≤z≤0.8;0≤y+z≤0-8;;1.005≤m≤1.035;它以所述主要组分为基准,还含有0.5至5.0摩尔的次要组分氧化镁,以及0.2至3.0份(重量)Li2O-(Si,Ti)O2-Al2O3-ZrO2类氧化物。
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公开(公告)号:CN1062540C
公开(公告)日:2001-02-28
申请号:CN97102334.4
申请日:1997-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/47 , C04B35/472 , C04B35/499 , H01G4/12
CPC classification number: C04B35/499 , H01G4/1254
Abstract: 一种主要由镁铌酸铅、钛酸锶和钛酸铅组成的介电陶瓷组合物,其特征在于,此三种主要组分的摩尔比为[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]x·[SrTiO3]y·[PbTiO3]z,(其中,x+y+z=100摩尔份数,在三角坐标系中,x、y和z的值位于通过A(72,10,18)、B(76,5,19)、C(57,5,38)和D(48,20,32)四点的各线上或其包围区域内),而且三种主要组分被补充以(Pb1-xBax)(Cu1/2W1/2)O3(其中0≤x≤1),其量少于5摩尔份数(不包括0)/100摩尔份数主要组分。此介电陶瓷组合物能在低温下烧结,并具有高介电常数和高机械强度。
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公开(公告)号:CN1171382A
公开(公告)日:1998-01-28
申请号:CN97113832.X
申请日:1997-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物;氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO2计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020;0.0025≤β≤0.04;β/α≤4;0≤X
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公开(公告)号:CN1254831C
公开(公告)日:2006-05-03
申请号:CN00120346.0
申请日:2000-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 一种单块陶瓷电子元件,包括含有多层陶瓷层和多个位于所述陶瓷层之间的内电极的层压物,该陶瓷层由陶瓷原料粉末烧结而成,该内电极由金属粉末烧结而成。陶瓷层的厚度为3微米或更薄,它含有平均粒径大于0.5微米的陶瓷颗粒,在陶瓷层厚度方向陶瓷颗粒的粒径小于陶瓷层的厚度,内电极的厚度为0.2-0.7微米。在层压物相反两端的每一端上,该电子元件较好还包括外电极,所述陶瓷层由陶瓷介电材料制成,所述多个内电极中的每一个的一个边缘露出于所述层压物相反两端中的一端,从而与一个外电极电气相连,形成单块陶瓷电容器。
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公开(公告)号:CN1326204A
公开(公告)日:2001-12-12
申请号:CN01121006.0
申请日:1997-06-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;至少一种选自氧化铽、氧化镝、氧化钬、氧化铒和氧化镱的稀土氧化物;氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-xNix)O,其中Re2O3是选自Tb2O3、Dy2O3、Ho2O3、Er2O3和Yb2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述:0.0025≤α≤0.020,0.0025≤β≤0.04,β/α≤4 ,0≤x
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公开(公告)号:CN1326203A
公开(公告)日:2001-12-12
申请号:CN01121003.6
申请日:1997-07-03
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/1227
Abstract: 本发明揭示了一种介电陶瓷组合物和使用该组合物的叠层陶瓷电容器。该组合物含有:钛酸钡;氧化钪、氧化钇、氧化锰和氧化镍;并相对于100摩尔具有下列组成式的主要组分,含有0.5至3.0摩尔(以MgO计)氧化镁,和0.2至5.0摩尔(以SiO2计)氧化硅作为次要组分:(1-α-β){BaO}m·TiO2+αM2O3+β(Mn1-xNix)O,其中M2O3是选自Sc2O3和Y2O3中的至少一种;α、β、m和x如下所述: 0.0025≤α≤0.020,0.0025≤β≤0.04,β/α≤4,0≤x
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公开(公告)号:CN1279490A
公开(公告)日:2001-01-10
申请号:CN00120346.0
申请日:2000-07-04
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: H01G4/0085 , H01G4/1227 , H01G4/30
Abstract: 一种单块陶瓷电子元件,包括含有多层陶瓷层和多个位于所述陶瓷层之间的内电极的层压物,该陶瓷层由陶瓷原料粉末烧结而成,该内电极由金属粉末烧结而成。陶瓷层的厚度为3微米或更薄,它含有平均粒径大于0.5微米的陶瓷颗粒,在陶瓷层厚度方向陶瓷颗粒的粒径小于陶瓷层的厚度,内电极的厚度为0.2-0.7微米。在层压物相反两端的每一端上,该电子元件较好还包括外电极,所述陶瓷层由陶瓷介电材料制成,所述多个内电极中的每一个的一个边缘露出于所述层压物相反两端中的一端,从而与一个外电极电气相连,形成单块陶瓷电容器。
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公开(公告)号:CN1268586A
公开(公告)日:2000-10-04
申请号:CN00102218.0
申请日:2000-02-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C25D3/60
CPC classification number: C25D3/60
Abstract: 一种pH约为2.0—9.0的Sn-Bi镀浴,它包含Bi3+离子;Sn2+离子;配位剂(Ⅰ)和配位剂(Ⅱ)。配位剂(Ⅰ)可以是(a)有1—3个碳原子烷基的脂族二羧酸,(b)有1—3个碳原子烷基的脂族羟基单羧酸,(c)有1—4个碳原子烷基的脂族羟基多羧酸,(d)单糖类、通过部分氧化单糖制得的多羟基羧酸、及其环酯化合物,或(e)稠合磷酸。配位剂(Ⅱ)可以是(s)乙二胺四乙酸(EDTA),(t)氨三乙酸(NTA),或(u)反式-1,2-环己二胺四乙酸(CyDTA)。
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公开(公告)号:CN1163875A
公开(公告)日:1997-11-05
申请号:CN97102334.4
申请日:1997-01-23
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: C04B35/47 , C04B35/472
CPC classification number: C04B35/499 , H01G4/1254
Abstract: 一种主要由镁铌酸铅、钛酸锶和钛酸铅组成的介电陶瓷组合物,其特征在于,此三种主要组分的摩尔比为[Pb(Mg1/3Nb2/3)O3]x·[SrTiO3]y·[PbTiO3]z(其中,x+y+z=100摩尔份数,在三角坐标系中,x、y和z的值位于通过A(72,10,18)、B(76,5,19)、C(57,5,38)和D(48,20,32)四点的各线上或其包围区域内),而且三种主要组分被补充以(Pb1-xBax)(Cu1/2W1/2)O3(其中0≤x≤1),其量少于5摩尔份数(不包括0)/100摩尔份数主要组分。此介电陶瓷组合物能在低温下烧结,并具有高介电常数和高机械强度。
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公开(公告)号:CN1156318A
公开(公告)日:1997-08-06
申请号:CN96116728.9
申请日:1996-12-20
Applicant: 株式会社村田制作所
CPC classification number: C04B35/468
Abstract: 本发明揭示了一种叠层陶瓷电容器,包括由下列组成式为主要组分的陶瓷组合物制成的介电陶瓷层:(1-α-β){BaO}m·TiO2+αRe2O3+β(Mn1-x-yNixCoY)O(0.0025≤α≤0.025;0.0025≤β≤0.05;β/α≤4;0≤x<1.0;0≤y<1.0;0≤x+y<1.0;1.000<m≤1.035;它以所述主要组分为基准,还含有0.5至5.0%(摩尔)的次要组分氧化镁,和0.2至3.0%(重量)SiO2-TiO2-MO类氧化物。
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