-
公开(公告)号：CN111492471B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201880082364.5
申请日：2018-12-11
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , G01N27/16 , H01L21/316 , H01L27/04
Abstract: 半导体装置(100)具备：半导体基板(110)，具有相互对置的第一主面(110A)以及第二主面(110B)；以及多孔金属氧化膜(180)，形成在半导体基板(110)的第一主面(110A)侧，并且具有多个细孔。半导体基板(110)构成为：在第一主面(110A)侧具有与多孔金属氧化膜(180)电连接的连接部(111)，并且从第二主面(110B)侧到第一主面(110A)侧的连接部(111)提供供电路径。
-
公开(公告)号：CN113841211B
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202080035634.4
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种电容器，其特征在于，具有：基板、形成于上述基板上的下部电极、形成于上述下部电极上的电介质膜、形成于上述电介质膜上的上部电极、形成于上述下部电极、上述电介质膜和上述上部电极上的具有贯通开口部的保护层、形成于上述贯通开口部内的凸状部、以及以覆盖上述贯通开口部和上述凸状部的方式形成的外部电极。
-
公开(公告)号：CN113841230A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202080037071.2
申请日：2020-03-03
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01L27/04 , H01G4/228 , H01G4/30 , H01G4/33
Abstract: 本发明提供一种电容器，其特征在于：具有基板、设置在上述基板上的下部电极、设置在上述下部电极上的电介质膜、设置在上述电介质膜上的上部电极、与上述下部电极连接的第1端子电极、以及与上述上部电极连接的第2端子电极，并且，上述下部电极、电介质膜和上部电极构成电容器结构；上述电介质膜具有导通孔，在上述导通孔内形成有上述第1端子电极，上述电介质膜的导通孔的宽度为上述第1端子电极的膜厚的2倍以下。
-
公开(公告)号：CN110800098A
公开(公告)日：2020-02-14
申请号：CN201880042663.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119301063A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202380039062.0
申请日：2023-04-21
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: B81B3/00 , H04R17/00 , H10N30/045 , H10N30/20 , H10N30/30 , H10N30/80 , H10N30/853
Abstract: MEMS元件(1)具备：压电元件(100)，包含压电膜(40)，该压电膜(40)包含铁电体，通过施加电压而进行振动；以及二极管部(200)，与上述压电元件(100)电并联连接，包含至少1个二极管(200A、210、220)。
-
公开(公告)号：CN118303038A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280078024.1
申请日：2022-11-24
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 具备声学设备(100)和声学路径(P)。声学设备(100)包含声学MEMS元件(120)。声学路径(P)与声学MEMS元件(120)相通。在声学路径(P)中，能够与通过声学MEMS元件(120)的振动而产生的超声波共鸣。超声波换能器(400)具有通过声学MEMS元件(120)的共振和由声学路径(P)产生的共鸣组合而出现多个声压峰值的声压频率特性。如果将声学MEMS元件(120)的共振频率设为f0，将上述声压频率特性中出现多个声压峰值的频率之中低于共振频率f0且最接近共振频率f0的频率设为fl，则满足5≤(f0‑fl)/f0×100≤33的关系。
-
公开(公告)号：CN110800098B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201880042663.6
申请日：2018-07-20
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L21/822 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01L27/04
Abstract: 薄膜电容器(100)具备：下部电极(120)；介电膜(130)；上部电极(140)；第1保护膜(151)，其分别形成有使上部电极(140)开口的第1贯通孔(CH11)和使下部电极(120)开口的第2贯通孔(CH12)且具有第1上表面(150A)；第2保护膜(152)，其具有处于比第1保护膜151的第1上表面150A高的位置的第2上表面(150B)；第1端子电极(161)，其通过第1贯通孔(CH11)而与上部电极(140)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置；以及第2端子电极(162)，其通过第2贯通孔(CH12)而与下部电极(120)电连接，至少延伸至第2保护膜(152)的第2上表面(150B)地设置。
-
公开(公告)号：CN115088071A
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN202180014437.9
申请日：2021-02-16
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/04 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01L21/822
Abstract: 半导体装置(1)具备：半导体基板(10)，具有在厚度方向(T)上相对的第一主面(10a)以及第二主面(10b)；电路层(20)，设置在半导体基板(10)的第一主面(10a)上；以及第一树脂体(30)，设置在电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面上，电路层(20)具有：设置在半导体基板(10)侧的第一电极层(22)、与第一电极层(22)对置地设置的第二电极层(24)、在厚度方向(T)上设置在第一电极层(22)与第二电极层(24)之间的电介质层(23)、与第一电极层(22)电连接并被引出到电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面的第一外部电极(27)、以及与第二电极层(24)电连接并被引出到电路层(20)的与半导体基板(10)相反侧的表面的第二外部电极(28)，在俯视时，第一树脂体(30)设置在第一外部电极(27)与第二外部电极(28)之间，在剖面观察时，第一树脂体(30)的与半导体基板(10)相反侧的前端位于比第一外部电极(27)以及第二外部电极(28)的与半导体基板(10)相反侧的前端高的位置。
-
公开(公告)号：CN114981965A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202180009347.0
申请日：2021-01-19
Applicant: 株式会社村田制作所
IPC: H01L27/04 , H01G4/30 , H01G4/33 , H01L21/60 , H01L21/822
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，具备：半导体基板，具有在厚度方向上对置的第一主面及第二主面、在与厚度方向正交的长度方向上对置的第一端面及第二端面；和电路层，设置于半导体基板的第一主面，其特征在于，半导体基板在长度方向上的第二外部电极侧的端面亦即第一端面侧具有在半导体基板上未设置有电路层的第一端部区域，在第一端部区域设置有第一露出部，该第一露出部是除了半导体基板的第一主面以外在第一主面与第一端面之间露出的部分，在与半导体基板的厚度方向以及长度方向平行的方向上切断半导体基板的剖切面中，通过将在第一主面上设置有电路层的部分中的半导体基板以厚度方向的中央为界进行2分割的分割线沿厚度方向对第一端部区域进行了2分割时，作为第一主面侧的区域的第一区域的面积小于作为第二主面侧的区域的第二区域的面积。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.023 seconds)
