公开(公告)号：CN103097292B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201180043160.9

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 佐藤井一 ,  宫野真理 ,  远藤茂树 ,  椎野修 ,  大野信吾 ,  吉川雅人

IPC: C01B33/025

CPC classification number: B44C1/227 ,  C01B33/025 ,  C01B33/037

Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。

公开(公告)号：CN102460822B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201080029668.9

申请日：2010-04-23

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 吉川雅人 ,  宫野真理 ,  大野信吾 ,  西田三博 ,  椎野修

IPC: H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2036 ,  H01G9/2045 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体电极(10)具备配设于具有透光性的基板(11)的表面的透明电极(12)，在透明电极(12)中，在配设于基板(11)的表面的相反面配设金属氧化物层(13)，金属氧化物层(13)具有吸收透过基板(11)的光的波长中特定波长的硅微粒(15)和金属氧化物微粒(14)，硅微粒(15)配设在金属氧化物微粒(14)之间。

公开(公告)号：CN103097292A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180043160.9

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 佐藤井一 ,  宫野真理 ,  远藤茂树 ,  椎野修 ,  大野信吾 ,  吉川雅人

IPC: C01B33/025

CPC classification number: B44C1/227 ,  C01B33/025 ,  C01B33/037

Abstract: 本发明的目的和课题在于，提供一种能够有效地制造粒径均一的硅微粒的硅微粒的制造方法以及硅微粒的粒径控制方法。并且，本发明的特征在于，通过在蚀刻溶液中浸渍硅颗粒、用具有比所述硅颗粒的带隙能量更大的能量的光照射浸渍在所述蚀刻溶液中的所述硅颗粒，从而控制粒径、并且制造比所述硅颗粒的粒径更小的硅微粒。

公开(公告)号：CN102460822A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201080029668.9

申请日：2010-04-23

Applicant: 株式会社普利司通

Inventor： 吉川雅人 ,  宫野真理 ,  大野信吾 ,  西田三博 ,  椎野修

IPC: H01M14/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: H01G9/2031 ,  H01G9/2036 ,  H01G9/2045 ,  H01G9/2059 ,  Y02E10/542 ,  Y02P70/521

Abstract: 半导体电极(10)具备配设于具有透光性的基板(11)的表面的透明电极(12)，在透明电极(12)中，在配设于基板(11)的表面的相反面配设金属氧化物层(13)，金属氧化物层(13)具有吸收透过基板(11)的光的波长中特定波长的硅微粒(15)和金属氧化物微粒(14)，硅微粒(15)配设在金属氧化物微粒(14)之间。