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公开(公告)号：CN112585714B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN201880096759.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/30
Abstract: 本发明提供一种能够提高离子分布的再现性的离子研磨装置。离子研磨装置具有：离子源(1)；试样台(2)，其载置通过照射来自离子源(1)的非聚焦离子束而被加工的试样(4)；以及驱动单元(8)，其配置在离子源(1)与试样台(2)之间，且使在第一方向上延伸的线状的离子束测定部件(7)在与第一方向正交的第二方向上移动，在从离子源(1)以第一照射条件输出离子束的状态下，通过驱动单元(8)使离子束测定部件(7)在离子束的照射范围内移动，通过向离子束测定部件(7)照射离子束来测定流过离子束测定部件(7)的离子束电流。
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公开(公告)号：CN108475607B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201680077768.6
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , H01J37/305
Abstract: 提案了一种在由加工装置加工分析试料后不从试料支架取下该分析试料就能用观察装置进行观察的侧入方式试料支架。该试料支架具备：把持部(34)；从把持部(34)延伸的试料支架主体(35)；与试料支架主体(35)连接并设有用于固定试料(203)的试料台(204)的前端部(32)；以及用于变更固定于试料台(204)的试料(203)的加工面与离子束的照射方向的相对位置关系，避免在试料(203)加工过程中对前端部(32)照射离子束的机构(参照图3)。
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公开(公告)号：CN105047511A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510292799.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/3053 , H01J37/20 , H01J37/3005 , H01J37/3007 , H01J37/304 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/26
Abstract: 本发明提供一种可在同一真空腔内进行剖面加工与平面加工双方的离子铣削装置。为实现该目的，提出一种离子铣削装置，其具备：离子源，其安装在真空腔内，向试料照射离子束；以及倾斜工作台，其具有相对于该离子源放出的离子束的照射方向垂直的方向的倾斜轴，其特征在于，所述离子铣削装置具备：旋转体，其设置在所述试料工作台上，且具有与所述倾斜轴正交的旋转倾斜轴；以及加工观察用开口，其设置在所述真空腔的壁面上，且设置在与由所述倾斜轴和所述离子束的照射轨道所成的平面正交的方向上。
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公开(公告)号：CN104094374A
公开(公告)日：2014-10-08
申请号：CN201380007943.0
申请日：2013-02-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , G01N1/28 , H01J37/30 , H01L21/302
CPC classification number: C23C14/30 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J2237/317 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , H01J2237/334
Abstract: 本发明的目的在于提供构造简单且能够设定高精密的加工范围的离子铣削装置。为了实现所述目的，提出了一种离子铣削装置，该离子铣削装置包括试样保持架，该试样保持架保持试样和对朝向该试样的离子束的照射的一部分进行限制的掩膜，该试样保持架包括：第一接面，其与位于所述离子束的通过轨道侧的试样的端面接触；以及第二接面，其以使所述掩膜位于比该第一接面远离所述离子束的位置的方式与所述掩膜的端面接触。
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公开(公告)号：CN116544088A
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN202310581760.5
申请日：2018-02-28
Applicant: 株式会社日立高新技术
Abstract: 本发明提高通过向试样照射非聚焦的离子束加工试样的离子铣削装置的加工精度、或加工面形状的再现精度。为此，具有试样室(6)、设置于试样室的离子源位置调整机构(5)、经由离子源位置调整机构安装于试样室且射出离子束的离子源(1)、以及以旋转中心为轴旋转的试样台(2)，若将离子束的离子束中心(B0)和旋转中心(R0)一致时的旋转中心的延伸方向设为Z方向，且将与Z方向垂直的面设为XY面，则离子源位置调整机构(5)能够调整离子源(1)的XY面上的位置及Z方向的位置。
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公开(公告)号：CN108475607A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680077768.6
申请日：2016-02-03
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , H01J37/305
Abstract: 提案了一种在由加工装置加工分析试料后不从试料支架取下该分析试料就能用观察装置进行观察的侧入方式试料支架。该试料支架具备：把持部(34)；从把持部(34)延伸的试料支架主体(35)；与试料支架主体(35)连接并设有用于固定试料(203)的试料台(204)的前端部(32)；以及用于变更固定于试料台(204)的试料(203)的加工面与离子束的照射方向的相对位置关系，避免在试料(203)加工过程中对前端部(32)照射离子束的机构(参照图3)。
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公开(公告)号：CN106233419B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201480078349.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/305 , G01N1/32 , H01J37/09 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/045 , H01J2237/3151
Abstract: 本发明提供一种用于抑制由于利用低加速电压而产生的离子束照射而产生的试料热量上升的技术。在试料(3)的前方设置与遮蔽件(2)不同的遮蔽板(13)。该遮蔽板(13)与加工面重叠的位置开口，离子束仅通过该遮蔽板(13)的开口部，在其以外的位置用遮蔽板(13)遮蔽，不会照射试料(3)。另外，通过冷却遮蔽板(13)而进一步抑制试料的热量上升。
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公开(公告)号：CN105047511B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201510292799.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/3053 , H01J37/20 , H01J37/3005 , H01J37/3007 , H01J37/304 , H01J2237/20207 , H01J2237/20214 , H01J2237/26
Abstract: 本发明提供一种可在同一真空腔内进行剖面加工与平面加工双方的离子铣削装置。为实现该目的，提出一种离子铣削装置，其具备：离子源，其安装在真空腔内，向试料照射离子束；以及倾斜工作台，其具有相对于该离子源放出的离子束的照射方向垂直的方向的倾斜轴，其特征在于，所述离子铣削装置具备：旋转体，其设置在所述试料工作台上，且具有与所述倾斜轴正交的旋转倾斜轴；以及加工观察用开口，其设置在所述真空腔的壁面上，且设置在与由所述倾斜轴和所述离子束的照射轨道所成的平面正交的方向上。
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公开(公告)号：CN106233419A
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：CN201480078349.5
申请日：2014-05-09
Applicant: 株式会社日立高新技术
CPC classification number: H01J37/305 , G01N1/32 , H01J37/09 , H01J37/20 , H01J37/3053 , H01J2237/045 , H01J2237/3151
Abstract: 本发明提供一种用于抑制由于利用低加速电压而产生的离子束照射而产生的试料热量上升的技术。在试料(3)的前方设置与遮蔽件(2)不同的遮蔽板(13)。该遮蔽板(13)与加工面重叠的位置开口，离子束仅通过该遮蔽板(13)的开口部，在其以外的位置用遮蔽板(13)遮蔽，不会照射试料(3)。另外，通过冷却遮蔽板(13)而进一步抑制试料的热量上升。
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公开(公告)号：CN104094374B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201380007943.0
申请日：2013-02-18
Applicant: 株式会社日立高新技术
IPC: H01J37/20 , G01N1/28 , H01J37/30 , H01L21/302
CPC classification number: C23C14/30 , G01N1/32 , H01J37/20 , H01J37/30 , H01J37/3053 , H01J37/3056 , H01J2237/317 , H01J2237/31745 , H01J2237/31749 , H01J2237/334
Abstract: 本发明的目的在于提供构造简单且能够设定高精密的加工范围的离子铣削装置。为了实现所述目的，提出了一种离子铣削装置，该离子铣削装置包括试样保持架，该试样保持架保持试样和对朝向该试样的离子束的照射的一部分进行限制的掩膜，该试样保持架包括：第一接面，其与位于所述离子束的通过轨道侧的试样的端面接触；以及第二接面，其以使所述掩膜位于比该第一接面远离所述离子束的位置的方式与所述掩膜的端面接触。
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