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公开(公告)号：CN1741158A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510051343.1
申请日：2005-03-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/127 , G11B5/3909 , G11B5/746 , G11B9/1418 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明涉及一种在记录媒体中进行磁化信息的写入以及读出的方法，以及一种磁性记录再生装置。形成包含磁性金属层1/非磁性金属层2/磁性金属层3的至少3层的薄膜结构，将金属探针5与此多层膜表面接近到纳米数量级的距离。通过在金属探针5与多层膜41的表面之间施加电压，使在多层膜中生成的量子阱状态变化，并使磁性金属层1、3之间的相对的磁化变化。此时，在写入磁化方向上施加辅助磁场11。
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公开(公告)号：CN1612220A
公开(公告)日：2005-05-04
申请号：CN200410074187.6
申请日：2004-09-01
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/33
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/3906 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明涉及一种具备输出高、最适于高记录密度磁记录和再生的磁阻效应元件的磁头。本发明的技术解决手段是采取以下的构成：具有第一电极层、与第一电极层电连接的第一强磁性电极层对、以及和第一强磁性电极对之间流动的电流交叉地配置而且与第一电极层电连接的第二强磁性电极对，使电流经过第一电极层在第一强磁性电极对之间流动在第一电极层上蓄积自旋电子，一旦外加外部磁场第四强磁性电极层的磁化方向就发生变化。通过与在第一强磁性电极对之间流动的电流交叉地配置第二强磁性电极对，来提高面内自旋蓄积效应的输出信号变化率。
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公开(公告)号：CN108694442A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810156156.7
申请日：2018-02-23
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G06N3/08 , G06F16/2477 , G06F17/18 , G06N3/04 , G06N3/0445 , G06N3/0675 , G06N3/063 , G06N3/049
Abstract: 一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
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公开(公告)号：CN101075628B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200710084807.8
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在利用自旋注入磁化反转的存储器中，实现高速动作时的低电流重写动作，抑制每个存储器单元的离差，并抑制读出干扰。在进行重写前，提供弱脉冲，使自旋状态不稳定，降低重写电流。利用重写电流在脉冲宽度中非线性地增大的区域进行读出，对干扰进行抑制。进而，通过利用位线电荷使注入自旋量恒定的驱动方法来抑制离差。
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公开(公告)号：CN101067967B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200610147055.0
申请日：2006-11-14
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/15
Abstract: 一种磁性存储装置包括磁隧道结(MTJ)，具有铁磁自由层，表现出第一相对较高的阻态和第二相对较低的阻态。为了写入磁性存储装置，驱动电流IMTJ(125)通过MTJ。对于第一持续时间，该电流等于DC阈值电流，为在第一态和第二态之间转换多层结构所需的DC电流。这在自由层中产生出C形畴结构。对于第二持续时间，电流IMTJ比DC阈值电流大。这引起MTJ转换态。引起该转换所需的电流小于使用均匀电流脉冲(127)所需的电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101359475B
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN200810108864.X
申请日：2008-05-29
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11B5/39
CPC classification number: G11B5/3903 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G01R33/1284 , H01L43/08
Abstract: 本发明涉及再现磁头及磁记录装置。本发明提供一种可与具有太比特级的面记录密度硬盘相对应的超高分辨率且低噪音的再现磁头。本发明的再现磁头使电流从磁化被反铁磁性体(103)固定了的固定层(102)流向具有受外部磁场影响的部位(N1)和不受外部磁场影响的部位(N2)的非磁性细线(101)，并使自旋极化电子(Is1、Is2)累积在非磁性细线(101)中。电压端子的距离(L)比非磁性细线(101)的自旋扩散长度短。随着外部磁场的变动，自旋电子(Is1)虽受调制，但自旋电子(Is2)不受调制。因此，在(N1)和(N1)之间产生依赖于外部磁场的电位差，用电压表(104)测定该电位差。
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公开(公告)号：CN101231851B
公开(公告)日：2010-08-11
申请号：CN200710186603.5
申请日：2007-11-14
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11B5/3903 , G11B5/398 , Y10T428/11
Abstract: 本发明提供适用于高记录密度磁记录再生的、噪声小的磁头。在非磁性导电层(101)上隔着第一绝缘层(103)形成固定层(102)，并在非磁性导电层的介质侧的面上隔着第二绝缘层(105)形成自由层(104)。其中，连接通过第一绝缘层在非磁性导电层与上述固定层之间使电流流通的电路(106)和在非磁性导电层与上述自由层之间用于测定电压的电路(107)。形成自由层的介质侧的面，可以是与介质表面大致平行的面，也可以是相对于介质表面倾斜的面。
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公开(公告)号：CN101075631B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200710084808.2
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: G11C11/16 , G11C8/08 , G11C11/1675 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在使用了自旋注入磁化反转技术的MRAM中，用小型的存储单元实现充分的改写动作，并且抑制读出干扰的同时使读出电流变大。在隧道磁阻元件的自由层位于位线侧的情况下使用PMOS晶体管，在隧道磁阻元件的固定层位于位线侧的情况下使用NMOS晶体管，用源极接地来进行反平行化改写。通过在反平行改写方向进行读出动作，提高读出写入动作裕度。
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公开(公告)号：CN100559483C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200510051343.1
申请日：2005-03-04
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y10/00 , G11B5/127 , G11B5/3909 , G11B5/746 , G11B9/1418 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明涉及一种在记录媒体中进行磁化信息的写入以及读出的方法，以及一种磁性记录再生装置。形成包含磁性金属层1/非磁性金属层2/磁性金属层3的至少3层的薄膜结构，将金属探针5与此多层膜表面接近到纳米数量级的距离。通过在金属探针5与多层膜41的表面之间施加电压，使在多层膜中生成的量子阱状态变化，并使磁性金属层1、3之间的相对的磁化变化。此时，在写入磁化方向上施加辅助磁场11。
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公开(公告)号：CN101425328A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810183830.7
申请日：2007-02-27
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/16
CPC classification number: H01L27/228 , G11C11/1653 , G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , G11C11/1693
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，在利用自旋注入磁化反转的存储器中，实现高速动作时的低电流重写动作，抑制每个存储器单元的离差，并抑制读出干扰。在进行重写前，提供弱脉冲，使自旋状态不稳定，降低重写电流。利用重写电流在脉冲宽度中非线性地增大的区域进行读出，对干扰进行抑制。进而，通过利用位线电荷使注入自旋量恒定的驱动方法来抑制离差。
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