公开(公告)号：CN111839558B

公开(公告)日：2024-07-09

申请号：CN202010213056.0

申请日：2020-03-24

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: A61B6/40 ,  A61B6/42 ,  A61B6/00 ,  G01N23/041

Abstract: 本发明提供一种X射线相位成像装置。在该X射线相位成像装置中，多个光栅中的至少一个光栅由沿着与第一方向及第二方向正交的第三方向排列配置的多个光栅部分构成，所述第一方向是利用移动机构使被摄体或摄像系统移动的方向，所述第二方向是X射线源、检测部以及多个光栅排列的方向。而且，多个光栅部分构成为：从第一方向观察时，相邻的光栅部分彼此重叠。

公开(公告)号：CN108470596A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201810122963.7

申请日：2018-02-07

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 土岐贵弘 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  林信和 ,  吉牟田利典

IPC: G21K1/06

Abstract: 本发明提供一种衍射光栅的制造方法。该衍射光栅的制造方法具备如下工序：利用投影到多个单位衍射光栅的周期性的图案和多个单位衍射光栅生成莫尔条纹；以及基于所生成的莫尔条纹的形状，使多个单位衍射光栅中的至少1个单位衍射光栅相对于其他至少1个单位衍射光栅相对地旋转，从而调整成光栅所延伸的方向一致的状态。

公开(公告)号：CN113924628A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201980096845.6

申请日：2019-07-18

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 和泉拓朗 ,  德田敏 ,  足立晋 ,  米田哲弥

IPC: G21K1/06 ,  G21K3/00

Abstract: 一种分光元件，其具备：对X射线进行分光的分光晶体(10)；支撑上述分光晶体(10)的第1支撑层(11)；和，支撑上述第1支撑层(11)的第2支撑层(12)，上述第1支撑层(11)具有比上述分光晶体(10)的热膨胀系数大的热膨胀系数，上述第2支撑层(12)具有比上述第1支撑层(11)的热膨胀系数小的热膨胀系数且具有比上述第1支撑层(11)的刚性大的刚性。

公开(公告)号：CN1425925A

公开(公告)日：2003-06-25

申请号：CN02151855.6

申请日：2002-10-18

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治 ,  德田敏

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L27/14609

Abstract: 本发明公开了一种放射线探测器。其中，在适于形成大面积的放射线感应型非晶半导体厚膜与电压施加电极的端部边缘部分之间形成高耐压绝缘物质。从而，消除电压施加电极的端部边缘部分上电场的集中，并且不再引起穿透放电或放电击穿等前级现象。

公开(公告)号：CN1380555A

公开(公告)日：2002-11-20

申请号：CN02105818.0

申请日：2002-04-11

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐藤贤治 ,  吉牟田利典 ,  德田敏

IPC: G01T1/24

CPC classification number: H01L31/0216 ,  H01L27/14676 ,  H01L31/0203

Abstract: 以覆盖非晶半导体厚膜的整个表面这样一种方式在放射线灵敏型非晶半导体厚薄膜与电压施加电极之间形成抗溶解和载流子可选高阻薄膜。此外,在非晶半导体厚膜、抗溶解和载流子可选高阻薄膜、和电压施加电极的上面形成的、和以覆盖顶层表面这样一种方式通过高耐压硬化合成树脂固定在上面的顶层表面上,形成热胀系数与绝缘基底的热胀系数相当的绝缘辅助板件。

公开(公告)号：CN1224244A

公开(公告)日：1999-07-28

申请号：CN99101264.X

申请日：1999-01-20

Applicant: 夏普株式会社 ,  株式会社岛津制作所

Inventor： 和泉良弘 ,  寺沼修 ,  四宫时彦 ,  佐藤敏幸 ,  德田敏

IPC: H01L27/14 ,  H01L27/146 ,  H01L31/00

CPC classification number: H01L27/14676 ,  H01L2924/351

Abstract: 本发明的二维图像检像器,用各向异性导电粘接剂粘接具有电荷储存电容和TFT的有源矩阵基片和具有半导体基片的对置基片。因此,上述TFT不必在已形成的有源矩阵基片上成膜形成半导体层便可完成,从而能够采用CdTe或CdZnTe等。因此,通过将CdTe或CdZnTe等用于具光导电性的半导体层材料,响应性可得到改善,还可适应活动影像。

公开(公告)号：CN112955735B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201980072319.6

申请日：2019-07-22

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: G01N23/041 ,  A61B6/06 ,  A61B6/02 ,  A61B6/42

Abstract: 本发明涉及一种X射线相位摄像系统(100)，具备X射线源(1)、检测器(2)、第1光栅组(3)、第2光栅组(4)、移动机构(5)和图像处理部(6)。移动机构构成为使被摄体和摄像系统(9)相对移动，从而使被摄体(T)通过第1光栅区域(R1)以及第2光栅区域(R2)。图像处理部构成为生成第1相位对比度图像(14a)和第2相位对比度图像(14b)。

公开(公告)号：CN112189134B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201980032436.X

申请日：2019-01-22

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: G01N23/041

Abstract: 本X射线成像装置(100)具备摄像系统(CS)、移动机构(8)、位置信息获取部(7a)、以及图像处理部(6)，其中，所述摄像系统(CS)包括X射线源(1)、检测器(5)以及多个光栅，所述图像处理部(6)基于多个X射线图像(10)和获取到的断层位置(z+jd)来获取断层面(40)中的相位分布，由此生成断层面的相位对比度图像(16)。

公开(公告)号：CN112869756A

公开(公告)日：2021-06-01

申请号：CN202011178422.X

申请日：2020-10-29

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: A61B6/00

Abstract: 本发明提供一种X射线相位成像装置。该X射线相位成像装置具备图像处理部，该图像处理部基于在相位对比度图像中沿着从X射线的光轴方向看来与平移方向正交的正交方向产生的渐变的分布状态，来校正该渐变。

公开(公告)号：CN111839558A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010213056.0

申请日：2020-03-24

Applicant: 株式会社岛津制作所

Inventor： 佐野哲 ,  田边晃一 ,  和田幸久 ,  德田敏 ,  堀场日明 ,  森本直树

IPC: A61B6/00 ,  G01N23/041

Abstract: 本发明提供一种X射线相位成像装置。在该X射线相位成像装置中，多个光栅中的至少一个光栅由沿着与第一方向及第二方向正交的第三方向排列配置的多个光栅部分构成，所述第一方向是利用移动机构使被摄体或摄像系统移动的方向，所述第二方向是X射线源、检测部以及多个光栅排列的方向。而且，多个光栅部分构成为：从第一方向观察时，相邻的光栅部分彼此重叠。