公开(公告)号：CN113924383B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202080038853.8

申请日：2020-06-10

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  荒川等 ,  大友将平 ,  鈴木雄

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种Ru系溅镀靶材及其制造方法，该Ru系溅镀靶材无空隙、纯度高、且组织的各向异性程度低，能够成膜具有低粒子性、高膜厚均匀性及高面均匀性的Ru系膜。本发明的钌系溅镀靶材是具有铸造组织的钌系溅镀靶材，所述溅镀靶材的溅镀面具有至少2种以上的区域，所述区域中由X射线绕射的主峰所特定出的结晶面互不相同。

公开(公告)号：CN114127330A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080050074.X

申请日：2020-06-26

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  鈴木雄 ,  大友将平 ,  中村紘暢

IPC: C23C14/34 ,  C22C21/00 ,  C22C28/00 ,  C22C14/00 ,  C22C16/00 ,  C22C27/00 ,  C22C30/00 ,  C22C1/04

Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅镀靶材，在溅镀靶材中作为杂质的氟元素的混入得到抑制，且使用该溅镀靶材形成薄膜时能够抑制因氟所导致的异常放电的发生，而形成配向性良好的薄膜。本发明的溅镀靶材的特征在于：包含铝且还包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种，且氟的含量为100ppm以下。

公开(公告)号：CN107923032A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201680042487.7

申请日：2016-07-22

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  地主启一郎 ,  伊藤阿弥子

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/00 ,  H01M4/88

CPC classification number: C23C14/223 ,  C23C14/00 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3464 ,  H01M4/88 ,  H01M4/8871

Abstract: 本发明的目的在于提供一种粉末涂布装置，能够没有杂质混入地成膜使自由选择的元素组合而成的薄膜，且满足所获得的薄膜的组成均匀。本发明的粉末涂布装置具有：滚筒3；排气构件4，将滚筒内进行抽真空；以及溅镀装置2，设置在滚筒内；滚筒是主轴C朝向水平方向，且以主轴为中心旋转，关于溅镀装置，是于在放入至滚筒的粉末7的表面形成涂布膜的粉末涂布装置100中，溅镀装置为了安装两个以上的靶6，针对每一个靶具有1个固定部10，在将靶安装在固定部时，各靶相对于主轴的方向在同一水平位置相互并列地配置。

公开(公告)号：CN118355477A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202280080770.4

申请日：2022-11-25

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  石黒好裕 ,  松村尊信 ,  大川裕也

IPC: H01L21/324 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明的目的在于提供一种热反射板，其热容较小，可节能化，具有高反射率，抑制对炉内的污染，且热响应性佳。本发明的热反射板是热反射板100，其具有：板状外装1；及反射体5，其配置在板状外装1的内部，外周围完全被板状外装1覆盖，且对入射至板状外装1的一表面的红外线进行反射；且反射体5是薄膜、板或箔，热反射板100的1mm2中的板状外装及反射体的厚度方向的合计热容为0.0004～0.0080(J/K)。

公开(公告)号：CN111684097B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201980010948.6

申请日：2019-01-23

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 阿野元贵 ,  丸子智弘 ,  宫泽智明 ,  岩本祐一

IPC: C22F1/14 ,  B23K20/12 ,  C22F1/08

Abstract: 本公开的目的在于提供一种金属系基材的修补、改性方法，能够抑制例如摩擦搅拌接合用工具所具有的探针带来的杂质混入到结构体内部，并且通过将结构体内部的组织改性，减少结构体内部存在的缺陷，从而减少结构体内部存在的界面区域。本发明的金属系基材的修补、改性方法具有如下步骤：准备金属系基材，该金属系基材具有在基材面内方向上被划分的第1区域，所述第1区域包含缺陷及/或组织的非连续部分；以及使不具有探针的摩擦工具边旋转边压抵于所述第1区域的表面，产生摩擦热的同时按压所述表面，从而将修补所述缺陷及/或将所述组织的非连续部分改性。

公开(公告)号：CN114127328A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202080049429.3

申请日：2020-06-26

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  鈴木雄 ,  大友将平 ,  中村紘暢

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  B22F5/00 ,  B22F5/12

Abstract: 本发明的目的在于提供一种溅镀靶材，在溅镀靶材中作为杂质的氯元素的混入得到抑制，且使用该溅镀靶材形成薄膜时能够抑制因氯所导致的异常放电的发生，而形成配向性良好的薄膜。本发明的溅镀靶材的特征在于：包含铝且还包含稀土类元素及钛族元素中任一种或两种，且氯的含量为100ppm以下。

公开(公告)号：CN113924383A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202080038853.8

申请日：2020-06-10

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 丸子智弘 ,  荒川等 ,  大友将平 ,  鈴木雄

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明的目的在于提供一种Ru系溅镀靶材及其制造方法，该Ru系溅镀靶材无空隙、纯度高、且组织的各向异性程度低，能够成膜具有低粒子性、高膜厚均匀性及高面均匀性的Ru系膜。本发明的钌系溅镀靶材是具有铸造组织的钌系溅镀靶材，所述溅镀靶材的溅镀面具有至少2种以上的区域，所述区域中由X射线绕射的主峰所特定出的结晶面互不相同。

公开(公告)号：CN112805407A

公开(公告)日：2021-05-14

申请号：CN201980064369.X

申请日：2019-09-27

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 斉藤匠司 ,  宫泽智明 ,  丸子智弘 ,  岩本祐一 ,  伊藤厚

IPC: C23C28/04 ,  B32B15/04 ,  C01G25/02 ,  C23C4/11 ,  C23C4/18 ,  C23C14/08

Abstract: 本发明的目的是提供一种不易发生涂层剥离及会成为氧气侵入路径的龟裂扩大的挥发抑制部件、及一种改善了生产性的挥发抑制部件的制造方法。本发明的挥发抑制部件包括金属系基材和叠层膜，所述叠层膜至少包括形成在该金属系基材的部分表面或整个表面上的第1层及形成在该第1层上的第2层，所述第1层是所述金属系基材与所述第2层的密接层，所述第2层是所述第1层的保护层。

公开(公告)号：CN111684097A

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201980010948.6

申请日：2019-01-23

Applicant: 株式会社古屋金属

Inventor： 阿野元贵 ,  丸子智弘 ,  宫泽智明 ,  岩本祐一

IPC: C22F1/14 ,  B23K20/12 ,  C22F1/08

Abstract: 本公开的目的在于提供一种金属系基材的修补、改性方法，能够抑制例如摩擦搅拌接合用工具所具有的探针带来的杂质混入到结构体内部，并且通过将结构体内部的组织改性，减少结构体内部存在的缺陷，从而减少结构体内部存在的界面区域。本发明的金属系基材的修补、改性方法具有如下步骤：准备金属系基材，该金属系基材具有在基材面内方向上被划分的第1区域，所述第1区域包含缺陷及/或组织的非连续部分；以及使不具有探针的摩擦工具边旋转边压抵于所述第1区域的表面，产生摩擦热的同时按压所述表面，从而将修补所述缺陷及/或将所述组织的非连续部分改性。