公开(公告)号：CN100483783C

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200410076968.9

申请日：2004-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂田淳一郎 ,  村上雅一 ,  森谷幸司 ,  及川欣聪 ,  浅见勇臣 ,  大谷久

IPC: H01L51/52 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5259

Abstract: 根据本发明，一个绝缘的或半绝缘的具有隧道电流能流过的厚度的壁垒层设置在空穴注入电极和带有空穴传输特性的有机化合物层(空穴注入层或空穴传输层)之间。具体地说，含有硅或二氧化硅的绝缘的或半绝缘的薄壁垒层；硅或二氧化硅和光传送导电氧化物材料；或硅或二氧化硅，光传送导电氧化物材料，以及碳可以被设置在由光传送导电氧化物材料形成的光传送导电氧化物薄膜和含有有机化合物的空穴注入层之间。

公开(公告)号：CN1881596A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610099729.4

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法，以及利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件，及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气，通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55－70原子％、氮浓度设定为0.1－6原子％和氢浓度设定为0.1－3原子％。为了制造这种成分的膜，基片温度设定在350－500℃，较好在400－450℃之间，放电功率密度设定在0.1－1W/cm2。

公开(公告)号：CN1263159C

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：CN00121639.2

申请日：2000-06-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 坂间光范 ,  浅见勇臣 ,  石丸典子 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/314 ,  H01L21/285

CPC classification number: H01L27/1214 ,  H01L29/4908

Abstract: 目的是提供一种适用于一般为TFT的半导体器件的绝缘膜和一种制造该绝缘膜的方法。提供一种利用这种绝缘膜作栅绝缘膜、基膜、保护绝缘膜或层间绝缘膜的半导体器件，及其制造方法。利用SiH4、N2O和H2作原料气，通过等离子体CVD由氢化氧氮化硅膜制造该绝缘膜。其成分是氧浓度设定为55-70原子%、氮浓度设定为0.1-6原子%和氢浓度设定为0.1-3原子%。为了制造这种成分的膜，基片温度设定在350-500℃，较好在400-450℃之间，放电功率密度设定在0.1-1W/cm2。