公开(公告)号：CN107591316B

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201710788148.X

申请日：2013-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

公开(公告)号：CN110047937A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201910045929.9

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤贵洋 ,  中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  德永肇 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/465 ,  H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/24 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN108649066A

公开(公告)日：2018-10-12

申请号：CN201810788970.0

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN103779423B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。

公开(公告)号：CN104380473B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201380028160.0

申请日：2013-05-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇

IPC: H01L29/786 ,  C23C14/34 ,  G02F1/1368 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种在使用氧化物半导体的半导体装置中防止电特性变动的可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种半导体装置，包括：接触于源电极层及漏电极层的第一氧化物半导体层；以及成为晶体管的主要电流路径(沟道)的第二氧化物半导体层。第一氧化物半导体层用作用来防止源电极层及漏电极层的构成元素扩散到沟道的缓冲层。通过设置第一氧化物半导体层，可以防止该构成元素扩散到第一氧化物半导体层与第二氧化物半导体层的界面及第二氧化物半导体层中。

公开(公告)号：CN103824886A

公开(公告)日：2014-05-28

申请号：CN201310572119.1

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤贵洋 ,  中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  德永肇 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/136277 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02551 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/465 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3248 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN101523611A

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200780037484.5

申请日：2007-09-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/10

CPC classification number: H01L27/11206 ,  G11C17/16 ,  H01L23/5252 ,  H01L27/105 ,  H01L27/11286 ,  H01L27/1255 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 目的是提供一种安装有存储器的半导体器件，该存储器可在由无线信号生成的电流值和电压值的范围内被驱动。另一个目的是提供一写多读存储器，可在制造半导体器件之后的任意时间将数据写入该存储器。天线、反熔丝型ROM和驱动器电路形成于绝缘衬底上。在反熔丝型ROM中包括的一对电极中，该对电极中的另一个与驱动器电路中所包括的晶体管的源电极和漏电极也通过同一步骤和相同的材料形成。

公开(公告)号：CN113421929A

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN202110701603.4

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤贵洋 ,  中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  德永肇 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/04

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN103824886B

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201310572119.1

申请日：2013-11-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 佐藤贵洋 ,  中泽安孝 ,  长隆之 ,  越冈俊介 ,  德永肇 ,  神长正美

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管稳定的电气特性。另外，赋予使用氧化物半导体膜的晶体管具有优良的电气特性。另外，本发明提供一种具有该晶体管的高可靠性的半导体装置。关于具有层叠有氧化物半导体膜及氧化物膜的多层膜、栅电极以及栅极绝缘膜的晶体管，多层膜经由栅极绝缘膜而重叠于所述栅电极地设置，多层膜是具有由氧化物半导体膜的下表面与氧化物半导体膜的侧面所呈的第一角度、以及由氧化物膜的下表面与氧化物膜的侧面所呈的第二角度的形状，并且，第一角度小于第二角度且被设为锐角。另外，通过使用该晶体管来制造半导体装置。

公开(公告)号：CN103855224B

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201310631139.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 德永肇 ,  肥塚纯一 ,  冈崎健一 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786

Abstract: 本发明提供一种可靠性高且具有稳定的电特性的半导体装置。通过以接触于形成有沟道的氧化物半导体膜的上层及下层的方式形成含有一种以上与构成该氧化物半导体膜的金属元素相同的金属元素的氧化物膜，可以使该氧化物半导体膜的上侧界面与下侧界面不容易生成界面能级。另外，通过作为与氧化物半导体膜接触的氧化物膜使用电子亲和能比氧化物半导体膜的电子亲和能小的材料，流过沟道的电子几乎不会迁移至与氧化物半导体膜接触的氧化物膜中，而主要迁移至氧化物半导体膜中。因此，即使形成于氧化物膜的外侧的绝缘膜与氧化物膜的界面存在能级，该能级也几乎不会对电子的移动造成影响。