半导体装置
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109560140A

    公开(公告)日:2019-04-02

    申请号:CN201811483289.1

    申请日:2011-01-13

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。所公开的发明的目的之一是提供一种维持良好的特性并实现微型化的使用氧化物半导体的半导体装置。半导体装置包括:氧化物半导体层;与氧化物半导体层接触的源电极及漏电极;与氧化物半导体层重叠的栅电极;设置在氧化物半导体层与栅电极之间的栅极绝缘层;以及以与氧化物半导体层接触的方式设置的绝缘层,其中,氧化物半导体层在其侧表面与源电极或漏电极接触,并且在其上表面隔着绝缘层与源电极或漏电极重叠。

    半导体装置及其制造方法
    13.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102024428B

    公开(公告)日:2015-09-09

    申请号:CN201010293505.3

    申请日:2010-09-16

    CPC classification number: G09G3/344 G09G2310/061

    Abstract: 本发明提出一种在抑制显示装置的耗电量的情况下提高显示质量的新的驱动方法。其中,在第一初始化期间使所有的像素显示第一灰度级,在第二初始化期间使所有的像素显示第二灰度级,在写入期间显示目标图像并在保持期间保持图像。此外,在第一初始化期间及第二初始化期间中擦除显示多灰度级的灰度级存储显示元件的电历史。另外,在第一初始化期间、第二初始化期间、写入期间及保持期间中改变公共电极的电位。此外,与公共电极的电位同步地改变电容布线的电位。

Patent Agency Ranking