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公开(公告)号：CN108780818B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201780014556.8
申请日：2017-02-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , G09F9/30 , H01L21/336 , H05B33/14
Abstract: 提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。本发明的一个实施方式是一种包括栅电极、栅电极上的绝缘膜、绝缘膜上的氧化物半导体膜以及氧化物半导体膜上的一对电极的半导体装置。氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜、第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜以及第二氧化物半导体膜上的第三氧化物半导体膜。第一氧化物半导体膜、第二氧化物半导体膜及第三氧化物半导体膜包括相同的元素。第二氧化物半导体膜包括其结晶性比第一氧化物半导体膜和第三氧化物半导体膜中的一方或双方低的区域。
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公开(公告)号：CN109075209B
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN201780027953.9
申请日：2017-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。
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公开(公告)号：CN108475700B
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN201780006127.6
申请日：2017-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/28 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/088 , H01L27/108 , H01L27/146 , H01L29/417
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括晶体管的半导体装置。晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极以及第二绝缘膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含铜，第一导电膜及第三导电膜包含抑制铜的扩散的材料，第二导电膜的端部包括包含铜及硅的区域。
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公开(公告)号：CN111615744A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980009057.9
申请日：2019-01-11
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , H01L29/786
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。半导体装置通过如下工序制造：形成含有金属氧化物的半导体层的第一工序；在半导体层上形成导电膜的第二工序；将导电膜以在半导体层上分开的方式进行蚀刻来露出半导体层的一部分的第三工序；以及对导电膜及半导体层的一部分进行第一处理的第四工序。其中，导电膜包含铜、银、金或铝。第一处理是在包括含有氧元素的第一气体及含有氢元素的第二气体的混合气体的气氛下进行的等离子体处理。
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公开(公告)号：CN109075209A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780027953.9
申请日：2017-05-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , C23C14/08 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L21/477 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 本发明提供一种新颖的半导体装置的制造方法。另外，本发明提供一种以较低的温度制造可靠性高的半导体装置的方法。该方法包括：在沉积室中形成第一氧化物半导体膜的第一工序；以及在沉积室中在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜的第二工序。沉积室中的气氛的水蒸气分压比大气中的水蒸气分压低。第一氧化物半导体膜及第二氧化物半导体膜都以具有结晶性的方式形成。第二氧化物半导体膜以该第二氧化物半导体膜的结晶性比第一氧化物半导体膜高的方式形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111868899B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201980019782.4
申请日：2019-03-12
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一绝缘层、第二绝缘层以及导电层。第一绝缘层与半导体层的顶面的一部分接触，导电层位于第一绝缘层上，第二绝缘层位于半导体层上。半导体层包含金属氧化物，包括与导电层重叠的第一区域及不与导电层重叠的第二区域。此外，第二区域与第二绝缘层接触，第二绝缘层包含氧及第一元素，第一元素是磷、硼、镁、铝和硅中的任一个以上。
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公开(公告)号：CN111742397B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201980014757.7
申请日：2019-02-18
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L29/786 , H10K71/00
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。利用包括如下工序的方法制造半导体装置。在绝缘层上形成含有金属氧化物的半导体膜的第一工序。在半导体膜上形成导电膜的第二工序。在导电膜上形成第一抗蚀剂掩模并通过对导电膜进行蚀刻形成第一导电层并使不被第一导电层覆盖的半导体膜的上表面露出的第三工序。形成覆盖第一导电层的上表面及侧面并覆盖半导体膜的上表面的一部分的第二抗蚀剂掩模，通过对半导体膜进行蚀刻形成半导体层并使不被半导体层覆盖的绝缘层的上表面露出的第四工序。
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公开(公告)号：CN116918454A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280017839.9
申请日：2022-02-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H05B33/22
Abstract: 提供一种高清晰或高分辨率的显示装置。该显示装置包括第一发光器件、第二发光器件、第一绝缘层及第一层。第一发光器件包括第一像素电极、第一像素电极上的第一发光层及第一发光层上的公共电极，第二发光器件包括第二像素电极、第二像素电极上的第二发光层及第二发光层上的公共电极，第一发光层覆盖第一像素电极的侧面，第二发光层覆盖第二像素电极的侧面，第一层位于第一发光层上，从截面看时，第一层的一个端部与第一发光层的端部对齐或大致对齐，第一层的另一个端部位于第一发光层上，第一绝缘层覆盖第一层的顶面以及第一发光层及第二发光层的各侧面，公共电极位于第一绝缘层上。
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公开(公告)号：CN114068723A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202111357336.X
申请日：2017-01-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L27/108 , H01L27/12 , H01L27/146 , H01L27/15 , H01L29/417 , H01L29/45 , H01L21/34 , H01L21/8258 , H01L27/06 , H01L27/088
Abstract: 在包括氧化物半导体膜的半导体装置中，提供一种包括电特性优良的晶体管的半导体装置。本发明是一种包括玻璃衬底和沟道蚀刻型晶体管的半导体装置。沟道蚀刻型晶体管包括栅电极、第一绝缘膜、第二绝缘膜、氧化物半导体膜、源电极、漏电极、第三绝缘膜、像素电极以及包含铜的导电膜。源电极及漏电极都包括第一导电膜、在第一导电膜上并与其接触的第二导电膜以及在第二导电膜上并与其接触的第三导电膜。第二导电膜包含第一元素，第一导电膜及第三导电膜包含相同的第二元素，氧化物半导体膜包含铟、镓和锌。
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公开(公告)号：CN113396483A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202080013106.9
申请日：2020-02-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , C23C16/02 , C23C16/42 , G02F1/1368 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L27/32 , H01L51/50 , H05B33/10
Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。提供一种可靠性高的显示装置。提供一种半导体装置的制造方法，包括如下工序：形成包含金属氧化物的半导体层的工序；在半导体层上形成在半导体层上彼此分开的第一导电层及第二导电层的工序；对露出半导体层的区域使用包含氧化性气体及还原性气体的混合气体进行等离子体处理的工序；在半导体层上、第一导电层上及第二导电层上形成第一绝缘层的工序；以及在第一绝缘层上形成第二绝缘层的工序。利用使用混合气体的等离子体增强化学气相沉积法形成第一绝缘层，该混合气体包含含硅的气体、氧化性气体及氨气体。此外，在等离子体处理后以不暴露于大气的方式连续形成第一绝缘层。
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