公开(公告)号：CN113805441A

公开(公告)日：2021-12-17

申请号：CN202110664970.1

申请日：2021-06-16

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  权昶佑 ,  安一培 ,  崔新革 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  崔珉祐 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 公开了一种剥离组合物。一实施例的剥离组合物以剥离组合物的总重量为基准而包括：1重量％以上50重量％以下的极性溶剂；1重量％以上60重量％以下的二醇化合物；1重量％以上20重量％以下的胺化合物；以及1重量％以上40重量％以下的水，其中，以剥离组合物的总重量为基准，极性溶剂以10重量％以上40重量％以下的含量包括N,N‑二甲基丙酰胺和环丁砜中的至少一个。剥离组合物可以在形成于电极上的光致抗蚀剂图案的去除工序中使用，并且可以显示出防止电极腐蚀的特性。

公开(公告)号：CN111270236A

公开(公告)日：2020-06-12

申请号：CN201911217843.6

申请日：2019-12-03

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  金镇奭 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  金承熙 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26

Abstract: 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。

公开(公告)号：CN104451681B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201410497650.1

申请日：2014-09-25

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  尹升好 ,  金善一 ,  金相佑 ,  李大雨 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。

公开(公告)号：CN108203827A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711373532.X

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  郑在祐 ,  朴弘植 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

CPC classification number: C23F1/18 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32139 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。

公开(公告)号：CN114763612A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111650221.X

申请日：2021-12-30

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  权昶佑 ,  沈承辅 ,  安一培 ,  张硕浚 ,  金镇奭 ,  朴芝焄 ,  李龙洙 ,  全亮镒 ,  金奎佈 ,  金相佑 ,  申贤哲

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本申请提供了蚀刻剂组合物以及使用蚀刻剂组合物制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。实施方式的蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层膜并且可包括约5wt％至约20wt％的过硫酸盐，约0.1wt％至约5wt％的磷酸和/或磷酸盐，约0.01wt％至约2wt％的羰基环化合物，约0.01wt％至约1wt％的3‑氮环化合物，约0.1wt％至约2wt％的4‑氮环化合物，约0.1wt％至约0.9wt％的氟化合物，约0.1wt％至约0.5wt％的硫酸氢盐，约1wt％至约3wt％的两性离子化合物，和水，包含的水的量使整个蚀刻剂组合物的总重量为约100wt％。

公开(公告)号：CN110284139B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910207694.9

申请日：2019-03-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  金镇爽 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  沈枟亨 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明的实施方式的蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、四‑氮环化合物、具有两个或更多个羰基的羰基环化合物和水，并且四‑氮环化合物和羰基环化合物的重量比为约1:0.1至约1:2。蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层并且可用于制造具有优异蚀刻图案特性的金属图案和阵列基板。

公开(公告)号：CN108203827B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201711373532.X

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  郑在祐 ,  朴弘植 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。

公开(公告)号：CN103571495A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310319674.3

申请日：2013-07-26

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  李旺宇 ,  文英慜 ,  尹升好 ,  崔永株 ,  金相佑 ,  李骐范 ,  李大雨 ,  曹三永

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/465 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。