公开(公告)号：CN101108965A

公开(公告)日：2008-01-23

申请号：CN200710137055.7

申请日：2007-07-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平松亮介 ,  玉谷正昭 ,  浅井博纪 ,  大塚一昭

IPC: C09K11/79 ,  H01L33/00

CPC classification number: C09K11/7792 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32257 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

Abstract: 本发明提供了一种荧光材料，其包括一种由包含主晶相和引起光发射的激活剂的单一组成形成的材料，这种材料在受到主发光峰值波长位于370－460nm范围的光的激发时，表现出540－550nm波长范围的窄带发光光谱和500－600nm波长范围的宽带发光光谱。

公开(公告)号：CN113474293B

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202080012983.4

申请日：2020-03-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 福士大辅 ,  平林英明 ,  佐佐木亮人 ,  平松亮介 ,  佐佐木敦也 ,  诸冈飞树 ,  森阳一郎

IPC: C01G41/02

Abstract: 一种氧化钨粉末，其长径的平均粒径是10μm以下，平均纵横比是10以下，在一次粒子的短径方向的表面或断面中，晶体缺陷在每单位面积9nm2中是0个以上且4个以下。另外，优选沿着长径具有六边形隧道结构。另外，优选氧化钨粉末具有氧缺损。由此，能够使嵌入性能提高。

公开(公告)号：CN112500855A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202011484047.1

申请日：2014-12-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 平松亮介 ,  田村淳 ,  石田邦夫 ,  阿尔贝萨惠子 ,  加藤雅礼

IPC: C09K11/61

Abstract: 本发明提供发光效率较高的红色发光荧光体、发光器件以及荧光体的制造方法。所述红色发光荧光体的特征在于：其基本组成用式：Ka(Si1‑x,Mnx)Fb表示，在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Mn‑F键的峰值强度相对于出现在拉曼位移为650±10cm‑1的范围且归属于晶体中的Si‑F键的峰值强度之比为0.09～0.22。该荧光体可以通过使硅源与氟化氢相对于高锰酸钾的摩尔比为87～127的反应溶液接触来制造。

公开(公告)号：CN104094425A

公开(公告)日：2014-10-08

申请号：CN201380006901.5

申请日：2013-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平松亮介 ,  石田邦夫

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/67 ,  C09K11/80

CPC classification number: H01L33/504 ,  C09K11/616 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7774 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种白色照明装置，实现高显色性及高发光效率。实施方式的白色照明装置具备：发光元件，在430nm以上460nm以下的波长区域具有峰值波长；荧光体层，形成在发光元件上，含有红色荧光体和绿色黄色荧光体。在将荧光体的峰值波长设为λp、将从荧光体发出的光的半幅值设为FWHM、将从荧光体发出的光的频谱的有效波长范围设为EWW、将荧光体的外部量子效率设为η的情况下，红色荧光体具有625nm≤λp≤635nm、15nm≤EWW≤45nm、40％≤η≤75％的特性，绿色黄色荧光体具有545nm≤λp≤565nm、90nm≤FWHM≤125nm、70％≤η≤90％的特性。

公开(公告)号：CN100556985C

公开(公告)日：2009-11-04

申请号：CN200610085092.3

申请日：2006-05-31

Applicant: 株式会社东芝 ,  国立大学法人横滨国立大学

Inventor： 福田由美 ,  玉谷正昭 ,  浅井博纪 ,  松田直寿 ,  平松亮介 ,  阿尔贝萨·惠子 ,  多多见纯一 ,  米屋胜利 ,  胁原彻

IPC: C09K11/80 ,  H01L33/00

CPC classification number: C04B35/597 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3865 ,  C04B2235/3873 ,  C04B2235/442 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7734 ,  H01J1/63 ,  H05B33/14

Abstract: 提供了一种荧光物质，其包含由化合物构成的母体以及发光中心元素，该化合物具有用下面的通式(1)表示的AlN多型结构：(Al，M)a(N，X)b(1);其中，M为至少一种金属、不包括Al，X为至少一种非金属、不包括N，a和b为正值。

公开(公告)号：CN1721500A

公开(公告)日：2006-01-18

申请号：CN200510081970.X

申请日：2005-07-14

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 平松亮介 ,  大塚一昭 ,  信田直美 ,  玉谷正昭 ,  植竹久代 ,  筒井善仁

IPC: C09K11/77 ,  H01L51/30

CPC classification number: C01B21/0602 ,  C01P2002/54 ,  C01P2002/84 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/502 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2933/0041 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本申请涉及含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。所公开的制造含氮荧光物质的方法包括：在由含碳材料制成的容器中容纳含两种或者多种元素的氧化物荧光物质；然后在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。

公开(公告)号：CN118647687A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202380018542.9

申请日：2023-01-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 河本崇博 ,  碓井大地 ,  田口成那 ,  平松亮介 ,  近藤弘康

IPC: C09K5/14 ,  F25B9/00

Abstract: 实施方式的蓄冷材料包含含有稀土类元素的稀土类氧硫化物、含有稀土类元素及Al的石榴石型稀土类氧化物、和氧化铝，石榴石型稀土类氧化物的X射线衍射峰强度相对于稀土类氧硫化物的X射线衍射峰强度之比为0.1％以上且40％以下。

公开(公告)号：CN105793388A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201480065679.0

申请日：2014-12-09

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 平松亮介 ,  田村淳 ,  石田邦夫 ,  阿尔贝萨惠子 ,  加藤雅礼

IPC: C09K11/61 ,  C09K11/08 ,  C09K11/59 ,  C09K11/62 ,  C09K11/64 ,  C09K11/68 ,  C09K11/84 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/616 ,  C09K11/57 ,  C09K11/617 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供发光效率较高的红色发光荧光体、发光器件以及荧光体的制造方法。所述红色发光荧光体的特征在于：其基本组成用式：Ka(Si1?x,Mnx)Fb表示，在测定该荧光体的拉曼光谱的情况下，出现在拉曼位移为600±10cm?1的范围且归属于晶体中的Mn?F键的峰值强度相对于出现在拉曼位移为650±10cm?1的范围且归属于晶体中的Si?F键的峰值强度之比为0.09～0.22。该荧光体可以通过使硅源与氟化氢相对于高锰酸钾的摩尔比为87～127的反应溶液接触来制造。

公开(公告)号：CN103311413B

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201310063120.1

申请日：2013-02-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 服部靖 ,  冈田葵 ,  平松亮介 ,  石田邦夫 ,  加藤雅礼

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/79

CPC classification number: H05B33/12 ,  C09K11/7734 ,  H01L33/504 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  Y02B20/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种兼顾高演色性、高发光效率的白色发光装置。实施方式的白色发光装置具备：发光元件，在大于等于430nm小于等于470nm的波长区域具有峰值波长；第1荧光体，发出大于等于525nm小于等于560nm的第1峰值波长的光；第2荧光体，发出比第1峰值波长长的第2峰值波长的光；第3荧光体，发出比第2峰值波长长的、大于等于620nm小于等于750nm的第3峰值波长的光。而后，第1荧光体和第2荧光体具有MSiαOβNγ的组成，在将第1峰值波长设成λ1（nm）、将第2峰值波长设为λ2（nm）的情况下，1100≤λ1+λ2，并且λ2-λ1≤60。

公开(公告)号：CN104893719A

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：CN201510092361.8

申请日：2015-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 阿尔贝萨惠子 ,  福田由美 ,  石田邦夫 ,  三石严 ,  冈田葵 ,  服部靖 ,  平松亮介 ,  加藤雅礼

IPC: C09K11/64 ,  H01L33/50

CPC classification number: C09K11/7721 ,  C09K11/0883 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/504 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开内容的实施方案提供了一种在峰波长范围是250nm到500nm的光激发下展现在565nm到600nm波长范围内的发射峰的磷光体。所述发射峰的半宽度是包括两端端值的115nm到180nm。这一磷光体具有Sr2Si7Al3ON13的晶体结构，且由铈活化。