公开(公告)号：CN1577845A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410058626.4

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 中岛健太郎 ,  天野实 ,  上田知正 ,  高桥茂树

IPC: H01L27/00 ,  G11C11/02

CPC classification number: C23F4/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/3254 ,  H01F41/308 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 提供一种磁存储器装置和磁存储器装置的制造方法。其中，在基板上形成绝缘层，在上述绝缘层上形成下部电极，在上述下部电极的上表面上形成磁阻效应膜，该磁阻效应膜包含绝缘阻挡层、和夹着该绝缘阻挡层而层叠的多个磁性体膜，在上述磁阻效应膜之上层叠掩模层，把上述掩模层用作掩模对上述磁阻效应膜进行离子蚀刻加工，形成磁阻效应元件，在上述掩模、上述磁阻效应元件、和上述下部电极的上表面上形成绝缘膜，利用离子束对上述绝缘膜进行蚀刻以使上述磁阻效应元件的侧面露出。

公开(公告)号：CN1452174A

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN02151651.0

申请日：2002-12-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 天野実 ,  岸達也 ,  与田博明 ,  斉藤好昭 ,  高桥茂树 ,  上田知正 ,  西山胜哉 ,  浅尾吉昭 ,  岩田佳久

IPC: G11C11/15 ,  G11C5/00

CPC classification number: G11C11/15

Abstract: 提供一种磁存储装置，即使提高存储密度，也能提高在存储单元中使用的磁效应元件存储层的存储维持状态稳定性，且可靠性高。存储单元在选择与第一写入布线对应的第二写入布线时分别被选择，且具有：磁阻效应元件，其具有通过在第一及第二写入布线上分别流过电流产生磁场而存储应写入的信息的存储层；第一结构部件，设置成包围第一写入布线，在记录层磁化容易轴方向上配置记录层和形成磁闭路的两端部；和第二结构部件，设置成包围第二写入布线，在记录层磁化困难的轴方向上配置使记录层磁化困难轴方向磁场强化的两端部。第一结构部件的两端部配置成比第二结构部件的两端部更接近记录层。