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公开(公告)号：CN101652762A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200880006649.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/349 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/16 , G11C29/76
Abstract: 一种存储器系统包括：非易失性存储器，包含多个块作为数据擦除单位；测量单元，用来测量每个块中的数据被擦除时的擦除时间；块控制器，它具有块表，该表将每个块的指示自由状态和使用状态之一的状态值与其所述擦除时间联系起来；探测器，用来探测在短时间内共同地进行了重写的块；第一选择器，基于所述块表中的信息选择具有较早擦除时间的自由块作为第一块；第二选择器，基于所述块表中的信息选择具有较早擦除时间的使用中的块作为第二块；以及均衡单元，用来在所述第一块包含在由所述探测器所探测到的块中时将所述第二块中的数据移动到所述第一块中。
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公开(公告)号：CN101641680A
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200880006501.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F12/0897 , G06F2212/1016 , G06F2212/7203
Abstract: 一种存储器系统，包括：WC 21，通过主机设备以扇区单位从该WC 21读出数据和将数据写入该WC 21中；FS 12，以页单位从该FS 12读出数据和将数据写入该FS 12中；MS 11，以轨道单位从该MS 11读出数据和将数据写入该MS 11中；FSIB 12a，其用作为用于FS 12的输入缓冲器；以及MSIB 11a，其用作为用于MS 11的输入缓冲器。在FSIB 12a中设置FSBB 12ac，该FSBB 12ac具有等于或大于WC 21的存储容量的存储容量，且存储在WC 21中写入的数据。数据管理单元120管理各个存储单元，当判断在这些存储单元当中执行的一种处理超过预定时间时，数据管理单元120挂起被判断为超过预定时间的那个处理，并且控制在WC 21中写入的数据，以将所述数据保存在FSBB 12ac中。
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公开(公告)号：CN101622607B
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN200880006364.3
申请日：2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F11/1412 , G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F12/02 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置，其包括：非易失性半导体存储器，其按块来存储数据，所述块为数据擦除的单位；以及控制单元，其监控存储在选自所述块的受监控块中的数据的错误计数，并且刷新在其中所述错误计数等于或大于阈值的受监控块中的数据。
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公开(公告)号：CN101652762B
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN200880006649.7
申请日：2008-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/349 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/16 , G11C29/76
Abstract: 一种存储器系统包括：非易失性存储器，包含多个块作为数据擦除单位；测量单元，用来测量每个块中的数据被擦除时的擦除时间；块控制器，它具有块表，该表将每个块的指示自由状态和使用状态之一的状态值与其所述擦除时间联系起来；探测器，用来探测在短时间内共同地进行了重写的块；第一选择器，基于所述块表中的信息选择具有较早擦除时间的自由块作为第一块；第二选择器，基于所述块表中的信息选择具有较早擦除时间的使用中的块作为第二块；以及均衡单元，用来在所述第一块包含在由所述探测器所探测到的块中时将所述第二块中的数据移动到所述第一块中。
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公开(公告)号：CN101689140B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200980000136.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明的存储器系统包括：通过采用这样的非易失性半导体存储器和控制器来减少管理表创建所需的存储器的量，所述非易失性半导体存储器包括多个并行操作元件，所述多个并行操作元件分别具有多个物理块作为数据擦除的单位，所述控制器可以并行驱动所述并行操作元件并具有擦除次数管理单元，所述擦除次数管理单元以与并行驱动的多个物理块相关联的逻辑块为单位管理擦除次数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101681317B
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN200980000143.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G06F11/1435 , G06F11/1441 , G06F11/1471 , G06F11/1474
Abstract: 本发明提供一种即使在数据写入期间发生程序错误时也可确实地恢复管理信息的存储器系统。在对前日志的“日志写入(1)”之后，当在执行数据写入时发生程序错误(数据写入错误)时，所述存储器系统再次执行所述数据写入而不获取与数据重写处理对应的前日志。在结束所述数据写入之后，所述存储器系统在不产生后日志的情况下获取快照来替代所述后日志，且结束所述处理。
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公开(公告)号：CN101681315A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000135.5
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明实施例的存储器系统包括：数据管理单元120，其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c，以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层，逻辑NAND层以及物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。
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公开(公告)号：CN101681311A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200980000129.X
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/102 , G06F11/141 , G06F11/1443 , G06F11/1471 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/105 , G11C29/00
Abstract: 一种存储器系统包括易失性第一存储单元、设置有多个能够存储多值数据的存储器基元的非易失性第二存储单元，该存储器基元具有多个页，还包括在主机设备和第二存储单元之间利用第一存储单元进行数据传输的控制器。该控制器包括保存处理单元和损坏信息恢复处理单元，在数据以一次写入方式被写入第二存储单元之前，当数据被写入和被写入了数据的页相同的存储器单元的低阶页时，该保存处理单元备份该低阶页的数据；并且当该低阶页的数据损坏时，该损坏信息恢复处理单元使用所述备份数据恢复所述损坏数据。
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公开(公告)号：CN101681315B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980000135.5
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/1036 , G06F2212/1044 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明实施例的存储器系统包括：数据管理单元120，其被划分为DRAM层管理单元120a、逻辑NAND层管理单元120b以及物理NAND层管理单元120c，以使用各个管理单元独立地执行对DRAM层，逻辑NAND层以及物理NAND层的管理，从而执行有效的块管理。
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公开(公告)号：CN101681312B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200980000131.7
申请日：2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0619 , G06F3/0647 , G06F3/065 , G06F3/0652 , G06F3/0685 , G06F11/1456 , G06F11/1469 , G06F11/1471 , G06F12/0246 , G06F2201/84 , G06F2212/7201 , G06F2212/7207 , G11C7/20 , G11C11/5628 , G11C16/0483 , G11C16/10 , G11C16/105
Abstract: 一种存储器系统包括管理信息恢复单元。该管理信息恢复单元参考在NAND存储器中的前日志和后日志来判定是否发生了短时中断。当前日志或后日志存在于NAND存储器中时，该管理信息恢复单元判定发生了短时中断。在这种情况下，管理信息恢复单元判定发生短时中断的时机，并且，在选择前日志或后日志用于恢复之后，管理信息恢复单元执行管理信息的恢复，将这些日志反映在快照上。此后，管理信息恢复单元对NAND存储器中的所有一次写入块应用恢复处理，再次取得快照，并且打开过去的快照和日志。
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