公开(公告)号：CN104835824A

公开(公告)日：2015-08-12

申请号：CN201510064937.X

申请日：2015-02-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  荒井伸也 ,  辻大毅 ,  青地英明 ,  田中启安

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11565 ,  H01L27/11575 ,  H01L29/42344 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 本申请涉及一种半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置包括：连接部件，包含半导体材料；第一电极膜，设置在所述连接部件的至少上方；第一绝缘膜，设置在所述第一电极膜上；积层体，设置在所述第一绝缘膜上，并且由第二电极膜及第二绝缘膜交替积层而成；三根以上的半导体柱，沿互不相同的两个以上的方向排列，并且在所述第二电极膜及所述第二绝缘膜的积层方向延伸，贯通所述积层体及所述第一绝缘膜而与所述连接部件连接；第三绝缘膜，设置在所述半导体柱与所述积层体之间、及所述连接部件与所述第一电极膜之间；以及电荷储存层，设置在所述第三绝缘膜中的至少所述第二电极膜与所述半导体柱之间。

公开(公告)号：CN102037557B

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：CN200880120172.5

申请日：2008-12-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  胜又龙太 ,  木藤大 ,  鬼头杰 ,  田中启安 ,  小森阳介 ,  石月惠 ,  青地英明

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/513

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件具有多个存储器串，在每一个存储器串中，多个电可重写的存储器基元被串联连接。每一个所述存储器串包括：第一半导体层，每一个所述第一半导体层都具有沿相对于衬底的垂直方向延伸的柱状部分的对和被形成为耦合所述柱状部分的对的下端的耦合部分；电荷存储层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面；以及第一导电层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面和所述电荷存储层。所述第一导电层用作所述存储器基元的栅极电极。

公开(公告)号：CN102037557A

公开(公告)日：2011-04-27

申请号：CN200880120172.5

申请日：2008-12-09

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 福住嘉晃 ,  胜又龙太 ,  木藤大 ,  鬼头杰 ,  田中启安 ,  小森阳介 ,  石月惠 ,  青地英明

IPC: H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L27/11582 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/513

Abstract: 一种非易失性半导体存储器件具有多个存储器串，在每一个存储器串中，多个电可重写的存储器基元被串联连接。每一个所述存储器串包括：第一半导体层，每一个所述第一半导体层都具有沿相对于衬底的垂直方向延伸的柱状部分的对和被形成为耦合所述柱状部分的对的下端的耦合部分；电荷存储层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面；以及第一导电层，其被形成为围绕所述柱状部分的侧表面和所述电荷存储层。所述第一导电层用作所述存储器基元的栅极电极。