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公开(公告)号：CN102190279B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110057139.6
申请日：2011-03-03
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B81B7/00
CPC classification number: H01L29/84 , H01L2224/11
Abstract: 根据一个实施例，半导体装置包括：基板；设置于基板上的有机绝缘膜；形成于该有机绝缘膜上的比该有机绝缘膜薄的无机绝缘膜；中空密封结构，其被形成于无机绝缘膜上，并且将MEMS元件密封于其里面，同时保证中空密封结构自身和MEMS元件之间的空间；被形成用以贯通有机绝缘膜和无机绝缘膜的贯通孔；导电构件，其被充填入贯通孔内，并且电连接MEMS元件和通过被充填入贯通孔内而形成的电极。
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