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公开(公告)号:CN101632068B
公开(公告)日:2015-01-14
申请号:CN200880008447.6
申请日:2008-12-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628
Abstract: 一种半导体存储装置包括:配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区11、配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储器区12和13、以及执行下面的处理的控制器10。控制器10执行:第一处理,用于通过第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中;第二处理,用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中;以及第三处理,用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中。
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公开(公告)号:CN101763894B
公开(公告)日:2013-05-01
申请号:CN200910169039.5
申请日:2009-09-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C16/10 , G11C11/5628 , G11C16/105 , G11C2216/14
Abstract: 本发明涉及半导体存储装置和存储控制方法。一种半导体存储装置包括:第一存储单元,其具有作为数据写入区域的多个第一块;指令单元,其发出将数据写入所述第一块中的写入指令;转换单元,其参考转换表将输入数据的外部地址转换成在所述第一块中的存储位置,在所述地址转换表中所述数据的外部地址与所述第一块中的所述数据的所述存储位置相关联;以及判断单元,其基于所述输入数据的所述存储位置而判断所述第一块中的任何块是否存储有效数据,其中当所述第一块中的任何块没有存储所述有效数据时,所述指令单元发出将数据写入其中没有存储所述有效数据的所述第一块中的写入指令。
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公开(公告)号:CN101622607B
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:CN200880006364.3
申请日:2008-09-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F11/1412 , G06F11/1068 , G06F11/1402 , G06F12/02 , G11C16/0483 , G11C16/3418 , G11C16/3431
Abstract: 本发明提供一种半导体存储装置作为可以有效地执行刷新操作的半导体存储装置,其包括:非易失性半导体存储器,其按块来存储数据,所述块为数据擦除的单位;以及控制单元,其监控存储在选自所述块的受监控块中的数据的错误计数,并且刷新在其中所述错误计数等于或大于阈值的受监控块中的数据。
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公开(公告)号:CN101652762B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN200880006649.7
申请日:2008-09-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G06F12/16
CPC classification number: G11C16/349 , G06F11/1068 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/16 , G11C29/76
Abstract: 一种存储器系统包括:非易失性存储器,包含多个块作为数据擦除单位;测量单元,用来测量每个块中的数据被擦除时的擦除时间;块控制器,它具有块表,该表将每个块的指示自由状态和使用状态之一的状态值与其所述擦除时间联系起来;探测器,用来探测在短时间内共同地进行了重写的块;第一选择器,基于所述块表中的信息选择具有较早擦除时间的自由块作为第一块;第二选择器,基于所述块表中的信息选择具有较早擦除时间的使用中的块作为第二块;以及均衡单元,用来在所述第一块包含在由所述探测器所探测到的块中时将所述第二块中的数据移动到所述第一块中。
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公开(公告)号:CN101689140B
公开(公告)日:2012-04-18
申请号:CN200980000136.X
申请日:2009-02-10
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/7202 , G06F2212/7207 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211
Abstract: 根据本发明的存储器系统包括:通过采用这样的非易失性半导体存储器和控制器来减少管理表创建所需的存储器的量,所述非易失性半导体存储器包括多个并行操作元件,所述多个并行操作元件分别具有多个物理块作为数据擦除的单位,所述控制器可以并行驱动所述并行操作元件并具有擦除次数管理单元,所述擦除次数管理单元以与并行驱动的多个物理块相关联的逻辑块为单位管理擦除次数。
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公开(公告)号:CN101632068A
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200880008447.6
申请日:2008-12-25
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G06F3/0604 , G06F3/0616 , G06F3/0631 , G06F3/064 , G06F3/0656 , G06F3/0658 , G06F3/0679 , G06F3/0685 , G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F12/0866 , G06F2212/7201 , G06F2212/7202 , G06F2212/7203 , G06F2212/7209 , G11C11/5628
Abstract: 一种半导体存储装置包括:配置在易失性半导体存储器中的第一存储器区11、配置在非易失性半导体存储器中的第二和第三存储器区12和13、以及执行下面的处理的控制器10。控制器10执行:第一处理,用于通过第一单位将多个数据存储在所述第一存储器区中;第二处理,用于通过第一管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第二存储器区中;以及第三处理,用于通过第二管理单位将从所述第一存储器区输出的数据存储在所述第三存储器区中。
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