公开(公告)号：CN109428262B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201811029974.7

申请日：2018-09-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤真司 ,  角野努 ,  桥本玲 ,  金子桂 ,  甲斐康伸

IPC: H01S5/18 ,  H01S5/34

Abstract: 本发明提供提高了散热性、降低了从芯片侧面的光的泄漏的面发光量子级联激光器。面发光量子级联激光器具有活性层和第1半导体层。第1半导体层设置在活性层之上，具有第1面。第1面包括由第1凹部构成第1二维光栅的内部区域以及由第2凹部构成第2二维光栅的外周区域。第1凹部的光栅间隔是第2凹部的光栅间隔的m倍。第1凹部的平面形状为，关于在第1平面形状的重心通过并且与第1二维光栅的至少1边平行的线非对称。第2凹部的平面形状为，关于在平面形状的重心通过并且与第2二维光栅的全部的边平行的线分别对称。激光具有与第2凹部的光栅间隔对应的发光波长并且从内部区域在与活性层大致垂直的方向上被放出。

公开(公告)号：CN110011182A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201810010147.7

申请日：2018-01-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桥本玲 ,  斋藤真司 ,  角野努 ,  金子桂 ,  甲斐康伸 ,  冈田直忠

IPC: H01S5/32

Abstract: 本发明提供一种光子晶体内置基板及其制造方法、以及面发光量子级联激光器。光子晶体内置基板具有化合物半导体基板、电介质层、以及第1半导体层。所述电介质层设置于所述化合物半导体基板的表面，配置到二维衍射光栅的各个晶格结点。各电介质层具有相对于所述二维衍射光栅的边中的至少1个边非对称的形状，且具有比所述化合物半导体基板的折射率低的折射率。所述半导体层叠体覆盖所述电介质层和所述化合物半导体基板的所述表面且具有平坦的第1面，构成所述第1面的层包含可与构成所述化合物半导体基板的材料进行晶格匹配的材料。

公开(公告)号：CN104282810A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201410309048.0

申请日：2014-07-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  斎藤真司 ,  桥本玲 ,  黄钟日 ,  布上真也

IPC: H01L33/02

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/22 ,  H01L33/405 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体发光元件。根据一个实施例，一种半导体发光元件包括第一电极、第一和第二发光单元、第一和第二导电层、第一连接电极、第一电介质层、第一和第二衬垫、以及第一发光单元间电介质层。第一发光单元包括第一和第二半导体层以及第一发光层。第一半导体层包括第一半导体部分和第二半导体部分。第二发光单元包括第三半导体层、第四半导体层以及第二发光层。第四半导体层电连接到第一电极。第一导电层电连接到第三半导体层。第二导电层电连接到第二半导体层。第一连接电极电连接第一导电层和第一半导体部分。

公开(公告)号：CN104037281A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410079574.2

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桥本玲 ,  木村重哉 ,  黄钟日 ,  胜野弘 ,  斋藤真司 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括光反射层、第一至第四半导体层、第一和第二发光层、以及第一光传输层。第二半导体层设置在第一半导体层和光反射层之间。第一发光层设置在第一和第二半导体层之间。第一光传输层设置在第二半导体层和光反射层之间。第三半导体层设置在第一光传输层和光反射层之间。第四半导体层设置在第三半导体层和光反射层之间。第二发光层设置在第三和第四半导体层之间。光反射层电连接到从第三和第四半导体层中选择的一个。

公开(公告)号：CN103594574A

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN201310328701.3

申请日：2013-07-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 黄钟日 ,  斋藤真司 ,  桥本玲 ,  布上真也

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01S5/343

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/06 ,  H01S5/343

Abstract: 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括：第一半导体层、第二半导体层、以及设于第一半导体层和第二半导体层之间的发光层。第一半导体层包括氮化物半导体，并且是n型的。第二半导体层包括氮化物半导体，并且是p型的。所述发光层包括：第一阱层；设于第一阱层与第二半导体层之间的第二阱层；设于第一和第二阱层之间的第一势垒层；以及在第一势垒层与第二阱层之间接触第二阱层并且包括含Alx1Ga1-x1N（0.1≤x1≤0.35）的层的第一含Al层。

公开(公告)号：CN101520527B

公开(公告)日：2010-12-29

申请号：CN200910007396.1

申请日：2009-02-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桥本玲 ,  吉田春彦 ,  江崎瑞仙

IPC: G02B6/122

CPC classification number: G02B6/1228 ,  G02B6/125 ,  G02B2006/12061

Abstract: 一种光波导电路，包括：形成在衬底上的下包层；形成在下包层上以将下包层分隔成第一部分和第二部分的第一光波导；形成在第一部分上的第二光波导，该第二光波导包括指向第一光波导的侧面的梢端部分，该梢端部分以渐缩的方式变窄；以及形成在第二部分上的第三光波导，该第三光波导包括指向第二光波导的梢端部分的梢端部分，该第三光波导的梢端部分以渐缩的方式变窄。