公开(公告)号：CN101515628A

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200910128927.2

申请日：2006-08-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 十河敬宽 ,  馆山和树 ,  花田博吉 ,  斋藤康人 ,  荒川雅之 ,  近藤成仁 ,  常冈治 ,  岩抚直和

IPC: H01L35/32

Abstract: 提供了一种在施加热循环之后保持气密封的同时能够提高发电性能并能够通过减少物品的数量实现结构的简化以及装置生产率和可靠性的提高的热电装置以及这种热电装置的制造方法。一种热电装置，包括金属基板(2)、装配在金属基板(2)表面中央部分上的热电元件(3)、用于遮盖热电元件(3)的上表面和侧面的金属盖(4)以及设置到金属基板(2)表面的外围部分以气密封金属基板(2)和盖(4)之间的空间的接合金属构件(5)。

公开(公告)号：CN100440560C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410082049.2

申请日：2004-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 首藤直树 ,  樱田新哉 ,  近藤成仁 ,  常冈治

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/00

CPC classification number: H01L35/18 ,  B22F2009/041 ,  B22F2998/10 ,  C22C12/00 ,  C22C27/00 ,  C22C30/00 ,  B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明公开了一种热电池，该热电池使用一种热电材料，该热电材料包括用下面的组成式表示并具有MgAgAs型晶体结构的主相：(Tia1Zrb1Hfc1)xCoySb100-x-y其中0＜a1＜1，0＜b1＜1，0＜c1＜1，a1+b1+c1＝1，30≤x≤35和30≤y≤35。

公开(公告)号：CN100414732C

公开(公告)日：2008-08-27

申请号：CN200410094212.7

申请日：2004-10-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 首藤直树 ,  樱田新哉 ,  近藤成仁 ,  常冈治

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/20 ,  H01L35/14 ,  H01L35/00

CPC classification number: H01L35/18 ,  B22F2009/041 ,  B22F2998/10 ,  C22C12/00 ,  C22C27/00 ,  C22C30/00 ,  B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10

Abstract: 本发明公开了一种包含由下列组成式表示并且具有MgAgAs-型晶体结构的主相的热电材料：(Tia1Zrb1Hfc1)xCoySb100-x-y；其中0＜a1＜1，0＜b1＜1，0＜c1＜1，a1+b1+c1＝1，30≤x≤35，并且30≤y≤35。

公开(公告)号：CN1925183A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610126580.4

申请日：2006-08-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 岩抚直和 ,  近藤成仁 ,  常冈治 ,  馆山和树 ,  十河敬宽

IPC: H01L35/28 ,  H01L35/32 ,  H01L35/08

CPC classification number: H01L35/32

Abstract: 本发明根据一优选实施例提供了一种热电元件装置，包括：第一电极，包含一电极构件，置于所述电极构件上具有电传导性的弹性构件和置于所述弹性构件上具有电传导性的热均衡构件；热电元件，由具有热电效应的热电材料制成且安置在所述第一电极上以与所述热均衡构件接触；和安置在所述热电元件上的第二电极。

公开(公告)号：CN1783526A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510118608.5

申请日：2005-10-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 常冈治 ,  近藤成仁 ,  岩抚直和 ,  原昭浩 ,  馆山和树

IPC: H01L35/00 ,  H01L35/28 ,  H01L35/02

CPC classification number: H01L35/32 ,  H01L35/04

Abstract: 一种热电直接变换装置，其形成有多个热电直接变换半导体对，其中每个热电直接变换半导体对包括一个p型半导体和一个n型半导体；多个高温电极和多个低温电极，其中每个高温电极和低温电极电连接所述p型半导体和所述n型半导体；高温绝缘板和低温绝缘板，其中每个高温绝缘板和低温绝缘板分别通过所述多个高温电极或所述多个低温电极与所述多个热电直接变换半导体对热连接；至少一个扩散阻挡层，其位于所述高温电极或低温电极与所述热电直接变换半导体对之间，且整个装置气密密封在含有真空或惰性气体气氛的气密壳内，从而防止了电极与半导体对之间的扩散，以提供一种在长时间内表现出优异的发电性能的热电变换装置。

公开(公告)号：CN1624947A

公开(公告)日：2005-06-08

申请号：CN200410082049.2

申请日：2004-09-29

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 首藤直树 ,  樱田新哉 ,  近藤成仁 ,  常冈治

IPC: H01L35/14 ,  H01L35/00

CPC classification number: H01L35/18 ,  B22F2009/041 ,  B22F2998/10 ,  C22C12/00 ,  C22C27/00 ,  C22C30/00 ,  B22F9/04 ,  B22F3/02 ,  B22F3/10

Abstract: 公开了一种热电材料，包括用下面的组成式表示的主相并具有MgAgAs型晶体结构：(Ta1Zrb1Hfc1)xCoySb100－x－y，其中0＜a1＜1，0＜b1＜1，0＜c1＜1，a1+b1+c1＝1，30≤x≤35和30≤y≤35。

公开(公告)号：CN1604353A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410095162.4

申请日：2004-07-23

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 馆山和树 ,  十河敬宽 ,  井口知洋 ,  斋藤康人 ,  荒川雅之 ,  近藤成仁 ,  常冈治 ,  原昭浩

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/10

CPC classification number: H01L35/06 ,  H01L35/30 ,  H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  H05K1/0204 ,  H05K2201/10219 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49144

Abstract: 提供一种可靠性高的热电变换装置，该热电变换装置(1)具有多个p型热电元件(10)和n型热电元件(11)，与应配置各个热电元件(10、11)的位置对应配置的多个放热侧电极(13)，在形成平面的放热侧基板(14)的表面上配置成矩阵状，关于多个p型热电元件(10)和多个n型热电元件(11)，在使吸热侧电极(5)在这些热电元件的吸热侧端面上滑动的同时，所述各个热电元件(10、11)的放热侧端面和放热侧电极(13)利用焊锡(12)进行接合。