公开(公告)号：CN103717552A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201280037799.0

申请日：2012-07-26

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 那波隆之 ,  佐藤英树 ,  星野政则 ,  小森田裕

IPC: C04B37/02 ,  H01L23/15 ,  H05K3/20 ,  H05K3/38

CPC classification number: H01L23/3735 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/661 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/963 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  F27B9/243 ,  H01L21/4871 ,  H01L2924/0002 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/202 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种氧化物系陶瓷电路基板的制造方法，其是通过在氧化物系陶瓷基板上配置铜板而形成层叠体的工序、以及加热所得到的层叠体的工序，从而将氧化物系陶瓷基板和铜板一体接合而成的氧化物系陶瓷电路基板的接合方法，其特征在于，所述加热的工序具有：在1065～1085℃之间有加热温度的极大值的第一加热区域对层叠体进行加热的工序，接着在1000～1050℃之间有加热温度的极小值的第二加热区域对层叠体进行加热的工序，进而在1065～1120℃之间有加热温度的极大值的第三加热区域对层叠体进行加热而形成接合体的工序；之后在冷却区域将该接合体冷却。根据所述构成，可以得到耐热循环（TCT）特性优良的氧化物系陶瓷电路基板。

公开(公告)号：CN103492345A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201280019369.6

申请日：2012-07-13

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝高新材料公司

Inventor： 星野政则 ,  佐藤英树 ,  小森田裕 ,  中山宪隆 ,  那波隆之

IPC: C04B35/111 ,  C04B37/02 ,  H05K1/03 ,  H05K3/46

CPC classification number: C04B35/111 ,  C04B37/021 ,  C04B37/025 ,  C04B37/026 ,  C04B38/00 ,  C04B2111/00844 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/96 ,  C04B2235/9607 ,  C04B2237/06 ,  C04B2237/125 ,  C04B2237/126 ,  C04B2237/127 ,  C04B2237/343 ,  C04B2237/407 ,  C04B2237/52 ,  C04B2237/54 ,  C04B2237/706 ,  C04B2237/708 ,  C04B2237/86 ,  H05K1/0306 ,  H05K3/38 ,  C04B38/0054

Abstract: 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。