公开(公告)号：CN1503055A

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN200310115500.1

申请日：2003-11-26

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小峰信洋

IPC: G03F1/08 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70625 ,  G03F1/42 ,  G03F1/50 ,  G03F7/70466

Abstract: 本发明的目的是提供监测多重曝光过程中的实效性的曝光量的原版、曝光监测方法、曝光方法和半导体器件的制造方法。该原版具备第1掩模部和第2掩模部。第1掩模部，具有：配置在设置在第1遮光部(16)上的第1窗口部(11a)内的，光透过率朝向1个方向地增加的第1曝光监测图案(6)，和配置在设置在第1遮光部(16)上的第2窗口部(11b)内的，光透过率朝向上述1个方向的反方向地增加的第2曝光监测图案(7)；以及，第2掩模部，具有：在与上述第1掩模部(14a)对准时，配置在设置在与第1遮光部(16)对应的位置的第2遮光部(18)上的第3窗口部(12a)内的，使透过率朝向上述1个方向地增加的第3曝光监测图案(8)，和设置在与第1遮光部(16)对应的位置的第2遮光部(18)上且配置在第4窗口部(12b)内的，光透过率朝向反方向地增加的第4曝光监测图案(9)。

公开(公告)号：CN1400506A

公开(公告)日：2003-03-05

申请号：CN02123399.3

申请日：2002-06-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 小峰信洋 ,  浅沼庆太 ,  东木达彦

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/70433

Abstract: 提供可降低3θ象差等的影响并高精度地转印所期望的图案的曝光方法。采用将来自光源系统的照明光照射到形成有掩膜图案的曝光掩膜上，经由投影透镜将透过该曝光掩膜的光的像投影到基板上，且掩膜图案包含排列成方格栅形的多个单位电路图案(11)和配置在该单位电路图案(11)间的多个单位辅助图案(12)，配置上述辅助图案(12)，以便在基于对应上述多个单位电路图案(11)以及上述多个单位辅助图案(12)所产生的衍射光的上述投影透镜的瞳面上的多个光点之中，使光强最强的4个光点在上述瞳面上按90度周期分布。