公开(公告)号：CN105448994A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510095460.1

申请日：2015-03-03

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  泉泽优 ,  小野升太郎 ,  山下浩明 ,  奥畠隆嗣

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明的实施方式提供一种可一面抑制导通电阻增加，一面提升雪崩耐量的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置包括：第1导电型的第1半导体区域、元件区域、包围元件区域的终端区域、及第2电极。元件区域包括：第2导电型的第2半导体区域、第2导电型的第3半导体区域、第1导电型的第4半导体区域、栅极电极、及第1电极。终端区域具有第2导电型的第5半导体区域、及第2导电型的第6半导体区域。第5半导体区域是设置在第1半导体区域内。第5半导体区域是在第2方向上设置有多个。第6半导体区域是设置在第1半导体区域与第5半导体区域之间。第6半导体区域的第2导电型的杂质浓度高于第5半导体区域的第2导电型的杂质浓度。

公开(公告)号：CN103022129A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201210309467.5

申请日：2012-08-28

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 入船裕行 ,  斋藤涉 ,  角保人 ,  木村淑 ,  大田浩史 ,  铃木纯二

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/404 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种提高了耐压的半导体装置及其制造方法。第1半导体层具有多个第1扩散层。第2半导体层具有多个第2扩散层。第3半导体层具有多个第3扩散层。多个第1扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第1扩散层内的杂质量随着从第1半导体层的下端向上端而逐渐变大。多个第2扩散层的第1方向的宽度相互相同。多个第2扩散层内的杂质量相互相同。多个第3扩散层的第1方向的宽度比处于同一层的第1扩散层的第1方向的宽度以及第2扩散层的第1方向的宽度窄，并且随着从第3半导体层的下端向上端而逐渐变窄。多个第3扩散层内的杂质量相互相同。

公开(公告)号：CN101866921B

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：CN200911000119.4

申请日：2009-11-20

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  斋藤涉 ,  小野升太郎 ,  薮崎宗久 ,  羽田野菜名 ,  渡边美穗

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811 ,  Y10S257/901

Abstract: 在元件部和终端部具有超结结构的纵型的功率半导体装置中，在超结结构的外周部表面上形成n型杂质层。由此，能够降低超结结构区的外周部表面的电场。因此，能够提供高耐压且高可靠性的纵型功率半导体装置。

公开(公告)号：CN101866951A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN201010143449.5

申请日：2010-03-17

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  斋藤涉 ,  小野昇太郎 ,  薮崎宗久 ,  羽田野菜名 ,  渡边美穗

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7811 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7813

Abstract: 本发明提供半导体装置。本发明的晶体管包括第一导电型的第一半导体层、和具有沿着与第一半导体层的表面平行的方向交替排列了第一导电型的第二半导体层以及第二导电型的第三半导体层的柱结构的漂移层。相对上述漂移层并行并且交替配置了第一导电型的第四半导体层以及第二导电型的第五半导体层。第五半导体层具有比第四半导体层多的杂质量。相对第四以及第五半导体层并行且交替配置了第一导电型的第六半导体层以及第二导电型的第七半导体层。第七半导体层具有比第六半导体层少的杂质量。

公开(公告)号：CN114171576A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202110207930.4

申请日：2021-02-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 田近拓巳 ,  大田浩史 ,  新田峻介

IPC: H01L29/06 ,  H01L23/31

Abstract: 实施方式提供提高了树脂密封的气密性的半导体装置。半导体装置具备半导体元件和树脂。半导体元件包括半导体部、第一电极和第二电极。所述半导体部具有背面、与所述背面相反侧的表面、以及将所述背面与所述表面连接的侧面，所述第一电极设置于所述半导体部的所述背面上，所述第二电极设置于所述半导体部的所述表面上。所述半导体元件在所述侧面具有包围所述半导体部的槽。所述树脂对所述半导体元件进行气密密封并包括被填充于所述槽的内部的部分。

公开(公告)号：CN112447627A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010126783.3

申请日：2020-02-28

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 新田峻介 ,  松冈长 ,  大田浩史

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式提供能够扩大地设定安全动作区域的半导体装置。实施方式的半导体装置具备包含第一导电型的第一半导体层的半导体部、设于半导体部的表面上的电极、以及设于半导体部与电极之间的控制电极。半导体部还包含设于第一半导体层与第二电极之间的第二导电型的第二半导体层和选择性地设于第二半导体层与第二电极之间的第一导电型的第三半导体层。半导体部包含位于第二电极的中央部之下的第一区域和位于中央部的外侧的外周部之下的第二区域。第二半导体层包含在第一区域中与控制电极面对的第一部分、以及在第二区域中与控制电极面对的第二部分，第一部分中的第二导电型杂质的浓度比第二区域中的第二导电型杂质的浓度低。

公开(公告)号：CN102403357B

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201110254492.3

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 木村淑 ,  角保人 ,  大田浩史 ,  入船裕行

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0634 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/872

Abstract: 实施方式的功率用半导体装置具备第一导电型的第一半导体层(1)、第一漂移层(5)、第二漂移层(8)、第一电极(24)、和第二电极(25)，具有在第一电极(24)与第二电极(25)之间流过电流的元件部、和其外周的末端部。第一漂移层(5)具有在元件部中在第一方向上交替地配置的第1第一导电型柱层(3)和第1第二导电型柱层(4)，在末端部中具有第一外延层(2)。第二漂移层(8)在第二外延层(8)中的元件部和末端部中，具有沿着第一方向离开配置的第2及第3第二导电型柱层(7、7a)，将被它们分别所夹的第二外延层(8)分别作为第2及第3第一导电型柱层(6、6a)。

公开(公告)号：CN103681797A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310073821.3

申请日：2013-03-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 泉泽优 ,  小野昇太郎 ,  大田浩史 ,  山下浩明

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/402 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7811

Abstract: 本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置具有形成半导体元件的元件区域以及包围元件区域的终端区域。半导体装置具有半导体基板、沟道、绝缘层以及场板导电层。沟道在终端区域中以包围元件区域的方式形成于半导体基板。场板导电层隔着绝缘层形成于沟道。

公开(公告)号：CN103489864A

公开(公告)日：2014-01-01

申请号：CN201210436214.4

申请日：2012-11-05

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山下浩明 ,  泉沢优 ,  小野升太郎 ,  大田浩史

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0856 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802

Abstract: 本发明提供开关动作时的电流的时间变化小的功率用半导体装置。实施方式所涉及的功率用半导体装置具备：第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设置在上述第一半导体层之上；第一导电型的第三半导体层，设置在上述第二半导体层之上；栅电极；以及栅绝缘膜，设置在上述栅电极与上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层之间。通过上述第一半导体层、上述第二半导体层、上述第三半导体层、上述栅电极以及上述栅绝缘膜，形成场效应型晶体管，第一区域中的上述晶体管的阈值比第二区域中的上述晶体管的阈值高。

公开(公告)号：CN102694028A

公开(公告)日：2012-09-26

申请号：CN201210051614.3

申请日：2012-03-02

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 大田浩史 ,  角保人 ,  木村淑 ,  铃木纯二 ,  入船裕行

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66712

Abstract: 实施方式的电力用半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层(1)；设置于其上的第1导电型的第2半导体层(3)；设置于第2半导体层中的多个柱状的第2导电型的第3半导体层(4)；设置于第3半导体层的上端部的多个岛状的第2导电型的第4半导体层(5)；多个第1导电型的第5半导体层(6)；多个第2导电型的第6半导体层(8)；栅电极(11)；层间绝缘膜(12)；第1电极(13)以及第2电极(14)。第5半导体层设置于第4半导体层的表面。第6半导体层将相邻的两个第4半导体层相互连接起来。第1电极与第1半导体层连接。第2电极通过层间绝缘膜与栅电极绝缘，且经由栅电极的开口部与第4半导体层以及第5半导体层连接。